一种γ‑钼酸铋纳米晶片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种γ‑钼酸铋纳米晶片制备方法，其制备方法包括以下步骤：1)以异丙醇为溶剂，将硝酸铋和1‑3丙二醇进行溶剂热反应，再经过滤、洗涤、烘干得1‑3丙二醇铋；2)将所得1‑3丙二醇铋均匀分散在钼酸钠水溶液中，调节所得溶液体系的pH值为0‑3，然后进行水热反应，再经过滤、洗涤、烘干得γ‑钼酸铋纳米晶片。本发明专利技术以硝酸铋、异丙醇、钼酸钠为主要原料，采用两步法制备γ‑钼酸铋纳米晶片，涉及的制备工艺设备简单、反应条件温和、能耗小，工艺独特新颖，制备的γ‑钼酸铋纳米晶片纯度高、比表面积大，晶粒尺寸可控可见光光催化性能优异。

【技术实现步骤摘要】
201610029093

【技术保护点】
一种γ‑钼酸铋纳米晶片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)以异丙醇为溶剂，将硝酸铋和1‑3丙二醇进行溶剂热反应，再经过滤、洗涤、烘干得1‑3丙二醇铋；2)将所得1‑3丙二醇铋均匀分散在钼酸钠水溶液中，调节所得溶液体系的pH值为0‑3，然后进行水热反应，再经过滤、洗涤、烘干得γ‑钼酸铋纳米晶片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林志东，孟柱，洪玉元，付萍，王学华，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42