一种背接触晶硅电池及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶硅太阳能电池
，具体涉及一种背接触晶硅电池及其制备方法。
技术介绍
传统的晶硅电池发射极接触电极和基极接触电极分别制作在电池片的正面和背面，其中发射极接触电极的金属栅线是制作在接受阳光照射的正面，因此电池的部分表面被金属覆盖，被金属覆盖的这部分面积不能参与吸收入射的太阳光，造成一部分光学损失。而背接触技术的应用能增加受光面积，增加光吸收，从而提高电池效率。现有的背接触技术主要有金属穿孔背绕技术(MWT)，发射极穿孔背绕技术(EWT)，发射极钝化背接触技术(PERC、PERL)，交错背接触技术(IBC)。其中Sunpower公司的IBC电池是目前量产效率最高的电池，其量产电池效率可以达到24％。Sunpower公司的制作方法是在有机掩膜保护的条件下使用热扩散掺杂的方法，先形成图案化的发射极和基极。由于需要引入掩膜的涂覆、光刻和掩膜的去除，热扩散掺杂需要去除硅酸盐，制作工艺步骤繁琐、复杂，从而成本较高。而且随着晶片尺寸的扩大，背面电极栅线长度需要变长，而整面的电极栅线将造成严重的功率损失，使电池片的效率下降。对于背接触晶硅电池的封装一般采取将从电池的背面串联或者使用图形化的金属背板实现电池的互联。由于单晶硅电池一般具有圆角，在形成组件时电池不能全部覆盖组件的表面，不能充分利用组件的受光面。此外，电池间的互联也使组件不具有柔性。
技术实现思路
为此，本专利技术解...
【技术保护点】
一种背接触晶硅电池，包括硅片基板及设置于所述硅片基板背面的发射极、基极、发射极电极和基极电极，所述发射极电极和基极电极分别与所述发射极和所述基极对应形成欧姆接触，其特征在于，所述硅片基板的背面分割为多个独立的重复单元，所述发射极与所述基极呈间隔分布于每个所述重复单元中；在每个所述重复单元的一端设有与各个所述发射极电极电连接的发射极汇流条，其另一端设有与各个所述基极电极电连接的基极汇流条，相邻两所述重复单元之间通过所述的基极汇流条、发射极汇流条实现互联。
【技术特征摘要】
1.一种背接触晶硅电池，包括硅片基板及设置于所述硅片基板背
面的发射极、基极、发射极电极和基极电极，所述发射极电极和基极电
极分别与所述发射极和所述基极对应形成欧姆接触，其特征在于，所述
硅片基板的背面分割为多个独立的重复单元，所述发射极与所述基极呈
间隔分布于每个所述重复单元中；在每个所述重复单元的一端设有与各
个所述发射极电极电连接的发射极汇流条，其另一端设有与各个所述基
极电极电连接的基极汇流条，相邻两所述重复单元之间通过所述的基极
汇流条、发射极汇流条实现互联。
2.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的
发射极和基极的外表面上均设有钝化层或氧化层，所述钝化层或氧化层
上成型有与所述的发射极和基极相连通的开口，所述的发射极电极和基
极电极均设置于所述开口内并分别与所述的发射极和基极对应连接。
3.根据权利要求2所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的
基极电极与发射极电极之间断开且形成叉指状的结构，发射极电极的栅
线宽度大于等于所述基极电极的栅线宽度。
4.根据权利要求3所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的
发射极电极的栅线宽为100～200μm，基极电极的栅线宽为50～100μ
m，发射极汇流条和基极汇流条的宽度为0.5～1mm。
5.根据权利要求1-4任一所述的背接触晶硅电池，其特征在于，
所述硅片基板上设有至少一个用于电连接所述重复单元的柔性互联装
置，相邻两个所述重复单元通过所述柔性互联装置实现两所述重复单元
间的串并联。
6.根据权利要求5所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的
柔性互联装置包括柔性支撑衬底、导电连接带和柔性绝缘带，所述导电
连接带设置于所述柔性支撑衬底上，所述柔性绝缘带设置于所述导电连
\t接带上，所述柔性绝缘带设置于两所述重复单元的发射极汇流条和/或基
极汇流条之间，且所述导电连接带分别与两所述重复单元的发射极汇流
条和/或基极汇流条电连接。
7.根据权利要求6所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述的
支撑衬底是热塑性层和柔性薄膜的复合结构；所述柔性薄膜的厚度为
10～100μm，所述热塑性层的厚度为10～100μm，所述导电连接带和
绝缘带的厚度均为1～50μm。
8.根据权利要求1所述的背接触晶硅电池，其特征在于，所述硅
片基板的正面还设有浅掺杂区，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭东阳，
申请(专利权)人：北京汉能创昱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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