【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种微结构的制造方法,包含以下步骤: 将分离层形成在第一支撑衬底上方; 将第一层形成于分离层上方; 将分离层的一部分暴露; 将第二支撑衬底隔着粘性层附着到第一层上; 将第一支撑衬底从第一层分离开使得第一层保留于 第二支撑衬底上; 将间隔层形成于第一保护衬底上方; 将第一层和第一保护衬底隔着间隔层彼此相对置地附着起来;以及 将第一层从第二支撑衬底分离开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:山口真弓,泉小波,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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