【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微机械,包括: 在绝缘性表面上的电路;以及 电连接到形成在所述绝缘性表面上的所述电路的结构体, 其中,所述电路包括具有栅电极和在所述栅电极上的第一半导体层的半导体元件, 所述结构体包括第二半导体层和空间部分, 所述结构体的所述空间部分设置在所述绝缘性表面和所述第二半导体层之间,以及 所述第二半导体层是包含多晶硅的层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:山口真弓,泉小波,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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