一种减阻表面的制造方法技术

本发明专利技术属于微纳制造技术领域，涉及一种减阻表面的制造方法。在硅、二氧化硅基片、工程塑料基片或者金属基片表面上设计、制作出交错排列的微米级结构阵列，以紫外压印光刻技术为转移手段，模板可重复使用；以氟化工艺作为表面处理手段，得到具有减阻功能的微结构基片，该基片微结构表面的表面能极低。可用于微机电系统器件表面，能减小微尺度下的表面摩擦、磨损及粘附失效；用于运输管道和微流器件表面，能降低流体在微通道中的沿程压力损失，减小流体的流动阻力，增大流速；用于航空、航天、航海、交通运输等领域中，能减小能耗，节省能源。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种减阻表面的制造方法，其特征在于，按下列步骤进行：　１）制备压印模版，采用湿法刻蚀或者激光加工在模版上得到预先设计的微结构图案，微结构图案呈交错排列的微米阵列，各微柱或凹坑的长、宽为３～１３０μｍ，高度为８～１００μｍ，微柱或凹坑之 间的间距为６～２６０μｍ；　２）在基片表面上均匀涂铺一层液态高分子聚合物阻蚀胶，采用粘度为５０～１５０ｃｐ的阻蚀胶，低速时转速为６００～８００ｒｐｍ，时间１０～１５ｓ，然后逐渐升高转速至８０００ｒｐｍ，时间为３５～４５ｓ，胶层厚度为５ μｍ～６０μｍ，待其自由流平；　３）将模版压入阻蚀胶层，通过紫外光曝光使阻蚀胶发生聚合反应硬化成型，固化时间１０～２０ｓ；　４）释放压力并将模版脱离基片；　５）对基片进行反应离子刻蚀并除去残留的阻蚀胶，在基片上即可得到与模 版上微结构等比例的图案，该表面上微结构的长×宽为３×３μｍ～１３０×１３０μｍ，高度为８～１００μｍ，微柱之间的间距为２μｍ～２６０μｍ；　６）在干燥箱中对带有微结构图形的基片表面进行氟化处理，获得低表面能氟自组装单分子层，即具有减阻 表面的微结构基片。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王莉，丁玉成，郝秀清，何仲赟，宗学文，卢秉恒，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]