一种通用ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件电化学腐蚀绝缘保护方法技术

本发明专利技术公开了一种通用ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件电化学腐蚀绝缘保护方法，具体操作步骤为：１）固定ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件于封装盒；２）导通ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件上与电化学腐蚀相关的焊盘与封装盒对应的焊盘；３）封固封装盒；４）进行腐蚀工艺；５）分离ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件与封装盒，获得干净的ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件。本发明专利技术的优点是：１．相对于原有制作特殊抗腐蚀绝缘夹具的方法本发明专利技术通用方法不需要为每种不同的芯片制作特定的夹具，具有通用性；２．此方法具有更短的加工周期；３．更低的加工成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通用ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件电化学腐蚀绝缘保护方法，其特征在于：所述保护方法的操作步骤为：　１）、固定ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件于封装盒；２）、导通；３）、封固封装盒；４）、进行腐蚀；５）、分离ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件与封装盒，获得干净的ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦斌斌，俞挺，陈大鹏，欧毅，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]