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本发明公开了一种通用ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件电化学腐蚀绝缘保护方法，具体操作步骤为：１）固定ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件于封装盒；２）导通ＣＭＯＳ　ＭＥＭＳ器件上与电化学腐蚀相关的焊盘与封装盒对应的焊盘；３）封固封装盒；４）进行腐蚀工艺；５）分离Ｃ...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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