采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法技术

一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法，其工艺步骤如下：１．在〈１００〉硅基片上淀积氮化硅薄膜；２．表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀部分深度氮化硅薄膜，形成倒梯形窗口；３．表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜，去胶；４．腐蚀硅衬底，形成倒梯形腐蚀坑及突点；５．表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；６．光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜孔，去铬，清洗处理表面；７．表面淀积氮化硅薄膜；８．表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；９．腐蚀释放二氧化硅薄膜牺牲层；１０．表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于采用硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法，其特征在于，步骤如下：步骤１、在〈１００〉硅基片上淀积氮化硅薄膜；步骤２、表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀部分深度氮化硅薄膜，形成倒梯形窗口；步骤３、表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜，去胶；步骤４、腐蚀硅衬底，形成倒梯形腐蚀坑及突点；步骤５、表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；步骤６、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜孔，去铬，清洗处理表面；步骤７、表面淀积氮化硅薄膜；步骤８、表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；步骤９、腐蚀释放二氧化硅薄膜牺牲层；步骤１０、表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石莎莉，陈大鹏，欧毅，谢常青，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]