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一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法，其工艺步骤如下：１．在〈１００〉硅基片上淀积氮化硅薄膜；２．表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀部分深度氮化硅薄膜，形成倒梯形窗口；３．表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜，去胶；４．腐蚀硅衬...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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