【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种通过使用穿孔工艺来制造半导体器件的方法,所述穿孔工艺包括:在半导体衬底上设置具有开口的掩模;以及在所述半导体衬底上形成宽度尺寸不同的多种类型的通孔,其中沿所述半导体衬底的深度方向上半导体材料的去除速率随着所述开口的开口宽度的增大而增加,所述方法包括:第一步骤,在与具有所述相对较窄的开口宽度的所述掩模的开口相对应的所述半导体衬底的第一区域中,在半导体衬底的第一表面中形成凹入部分,以使所述第一区域具有小于所述半导体衬底其余的第二区域的厚度;以及第二步骤,利用在所述半导体衬底相反的第二表面上设置的所述掩模,执行所述穿孔工艺,以便在所述半导体衬底的所述第二区域中形成到达所述第一表面的第一通孔,以及到达所述凹入部分的第二通孔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:江田和夫,辻幸司,桐原昌男,西岛洋一,
申请(专利权)人:松下电工株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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