本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，所述阵列基板包括：衬底，位于衬底上的栅极和公共电极，设置于栅极和公共电极上的栅极绝缘层，设置于栅极绝缘层上的有源层，设置于有源层上的源极和漏极，设置于源极、漏极、有源层和栅极绝缘层上的绝缘层，设置于绝缘层和漏极上的像素电极，公共电极、位于公共电极上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的绝缘层和位于绝缘层上的像素电极构成存储电容，且位于第二区域的绝缘层的厚度小于位于第一区域的绝缘层的厚度，第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层，第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层。本发明专利技术阵列基板及其制作方法和液晶显示装置能够提高显示品质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低等优点，目前在平板显示领域占主导地位。其广泛应用在台式计算机、掌上型计算机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便携式电话、电视盒等多种办公自动化和视听设备中。液晶显示装置通常包括一薄膜晶体管阵列基板、一彩色滤光片基板及夹在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板之间的液晶层。请参考图1，图1为现有的阵列基板6的示意图，现有的阵列基板上设置有多个像素单元10，每个像素单元10包括薄膜晶体管Tl、液晶电容Cl和存储电容Cst，像素电极11和公共电极13形成液晶电容Cl，液晶电容Cl和存储电容Cst并联。薄膜晶体管Tl的栅极与栅极线Gi(i = l...!!)相连，薄膜晶体管Tl的源极与数据线DKi = P^n)相连，薄膜晶体管T1的漏极与像素电极U相连。像素电极n由薄膜晶体管^控制。当对薄膜晶体管Tl的栅极施加开启电压时，薄膜晶体管Tl打开，数据信号由源极传输至漏极，通过漏极再传输至像素电极11，像素电极11在薄膜晶体管打开时间内充电，充电结束后，像素电极11的电压将维持到下一次扫描时重新充电，一般来说，液晶电容CI不大，仅靠液晶电容Cl不能维持像素电极11的电压，因此均需设置存储电容Cst来保持像素电极11的电压。而公共电极、公共电极上方的绝缘层(图中未示出)、像素电极构成了像素单元的存储电容Cst。当对薄膜晶体管Tl的栅极施加开启电压时，同时也对存储电容Cst进行了充电，当对薄膜晶体管Tl的栅极施加关闭电压时，存储电容Cst上的电压可以维持像素单元显示的灰阶直到下一次栅极再次施加开启电压，即维持一帧时间内像素单元的正常显示。为了维持一帧时间内像素单元的正常显示，存储电容Cst必须足够大，存储电容Cst为MOS电容，但可看作是平板电容，而根据平板电容的计算公式C= eS/d，其中，C为电容值，ε为绝缘层的介电常数，S为电容的极板面积，d为电容的两极板间距离或者可认为是两极板间的绝缘层的厚度，由电容的计算公式可知，当存储电容Cst的极板面积S越大时，电容C越大，或者绝缘层厚度d越小时，电容C越大。为了增大存储电容Cst，现有方法通常是通过增大存储电容Cst的极板面积的方式来增大存储电容Cst的值，但是现有液晶显示装置中，存储电容Cst的极板是用金属制成的，金属是不透光的，因此现有增大存储电容的方式会降低液晶显示装置的开口率，从而影响了显示装置的显示品质。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，能够提升显示装置的显不品质。所述技术方案如下:本专利技术提供了一种阵列基板，其包括:衬底，位于所述衬底上的栅极和公共电极，设置于所述栅极和所述公共电极上的栅极绝缘层，设置于所述栅极绝缘层上的有源层，设置于所述有源层上的源极和漏极，设置于所述源极、漏极、有源层和栅极绝缘层上的绝缘层，设置于所述绝缘层和所述漏极上的像素电极，其中，所述公共电极、位于所述公共电极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的所述绝缘层和位于所述绝缘层上的所述像素电极构成存储电容，且位于第二区域的绝缘层的厚度小于位于第一区域的绝缘层的厚度，其中，所述第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层，所述第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层。在本专利技术的一个实施例中，所述有源层包括位于所述栅极绝缘层上的半导体层和掺杂半导体层，所述掺杂半导体层包括两部分，一部分位于所述源极和所述栅极绝缘层之间，另一部分位于所述漏极和所述栅极绝缘层之间。在本专利技术的一个实施例中，所述绝缘层上靠近所述漏极位置处还开设过孔，所述过孔的底部为所述漏极，部分像素电极沉积入所述过孔的内部，并通过所述过孔与位于所述过孔底部的漏极相连。在本专利技术的一个实施例中，所述栅极绝缘层和所述绝缘层的材料为氮化硅或氧化娃材料。本专利技术提供了一种阵列基板的制作方法，其包括:在衬底上形成栅极和公共电极，在所述栅极和所述公共电极上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成有源层，在所述有源层上形成源极和漏极；在所述源极、所述漏极、所述有源层和所述栅极绝缘层上形成绝缘层，其中，所述公共电极、位于所述公共电极上的所述栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的所述绝缘层和位于所述绝缘层上的所述像素电极构成存储电容，且位于第二区域的绝缘层的厚度小于位于第一区域的绝缘层的厚度，其中，所述第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层，所述第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层；在所述第二区域的绝缘层和所述漏极上形成像素电极。在本专利技术的一个实施例中，还包括:在所述源极、漏极、有源层和栅极绝缘层的表面形成相应的绝缘层薄膜层，再在所述绝缘层薄膜层上涂布光刻胶以将所述绝缘层薄膜层覆盖住；利用半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光，以将覆盖在所述绝缘层薄膜层上第二区域的对应的部分光刻胶被光照射，将覆盖在绝缘层薄膜层上第一区域的对应的光刻胶不被光照射到，第二区域的对应的光刻胶包括位于存储电容区域的绝缘层薄膜层上的部分光刻胶，第一区域的对应的光刻胶包括除了存储电容区域之外的绝缘层薄膜层上的光刻胶。对所述光刻胶进行显影，将覆盖在绝缘层薄膜层上第二区域的对应的部分光刻胶去除，保留覆盖在绝缘层薄膜层上第一区域的对应的光刻胶；对过孔区域的绝缘层薄膜层的材料进行蚀刻，形成过孔；采用灰化工艺，将覆盖在绝缘层薄膜层上第二区域的对应的光刻胶全部去除，并使存储电容区域的绝缘层薄膜层变薄，以形成两种不同厚度的第一区域绝缘层和第二区域绝缘层，第二区域的绝缘层的厚度大于第一区域的绝缘层的厚度。在本专利技术的一个实施例中，所述过孔位于所述绝缘层上靠近漏极位置处，所述过孔的底部为所述漏极，部分像素电极沉积入所述过孔的内部，并通过所述过孔与位于所述过孔底部的漏极相连。在本专利技术的一个实施例中，在所述源极、漏极、有源层和栅极绝缘层的表面形成相应的绝缘层薄膜层时采用涂覆、溅射或沉积方法。在本专利技术的一个实施例中，所述有源层包括位于所述栅极绝缘层上的半导体层和掺杂半导体层，所述掺杂半导体层包括两部分，一部分位于所述源极和所述栅极绝缘层之间，另一部分位于所述漏极和所述栅极绝缘层之间。本专利技术提供了一种液晶显示装置，其包括所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:通过减小第二区域的绝缘层的厚度，并且第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层，第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层，从而使存储电容区域中的绝缘层的厚度变薄，减小了存储电容两极板之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高了显示装置的显示品质。上述说当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，其包括：衬底，位于所述衬底上的栅极和公共电极，设置于所述栅极和所述公共电极上的栅极绝缘层，设置于所述栅极绝缘层上的有源层，设置于所述有源层上的源极和漏极，设置于所述源极、漏极、有源层和栅极绝缘层上的绝缘层，设置于所述绝缘层和所述漏极上的像素电极，其中，所述公共电极、位于所述公共电极上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的所述绝缘层和位于所述绝缘层上的所述像素电极构成存储电容，且位于第二区域的绝缘层的厚度小于位于第一区域的绝缘层的厚度，其中，所述第二区域的绝缘层包括位于存储电容区域的绝缘层，所述第一区域的绝缘层包括除了存储电容区域之外的绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘厚锋，刘飒，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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