本发明专利技术提供一种阵列基板及液晶显示装置。阵列基板包括：基板及设置在基板同侧的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅区、第二绝缘层、源区、漏区、平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层及第二透明导电层，第一绝缘层覆盖低温多晶硅层且开设第一、第二贯孔，栅区覆盖在第一绝缘层，第二绝缘层覆盖栅区且开设第三、第四贯孔，源区及漏区间隔设置在第二绝缘层上且分别通过第一、第三贯孔以及第二、第四贯孔连接低温多晶硅层相对的两端，平坦层覆盖源区及漏区且平坦层设有第五贯孔，第一透明导电层设置在平坦层，第三绝缘层覆盖第一透明导电层且设有第六贯孔，第二透明导电层通过第五、第六贯孔连接漏区，其中，第二透明导电层包括多个间隔设置的导电区。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
显示设备，比如液晶显示装置(Liquid Crystal Display，IXD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。随着平面显示技术的发展，具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求被提出。非晶硅的电子迀移率较低，而低温多晶娃(Low Temperature Ploy-si I icon)可以在低温下制作，且拥有比非晶娃更高的电子迀移率。其次，低温多晶硅制作的CMOS器件可应用于使液晶显示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低温多晶硅得到了广泛地应用和研究。现有技术中，液晶显示装置的阵列基板中通常包括呈阵列分别的多个低温多晶硅薄膜晶体管。所述阵列基板包括整块设置的顶层透明导电层，所述顶层透明导电层通常为子像素电极。当阵列基板在制备过程中的种种原因导致子像素电极与漏区不能正常连接时，会导致所述子像素电极对应的子像素不能正常显示。此时，会将不能与漏区正常连接的整块子像素电极进行暗点化处理，如此一来，所述子像素所在的像素中缺少了一个颜色的子像素进行混光，会导致所述像素呈现出来的颜色发生色差偏移(色偏)。进一步地，导致所述阵列基板所应用的液晶显示装置显示图像的质量较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括:基板及设置在所述基板同侧的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅区、第二绝缘层、源区、漏区、平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层及第二透明导电层，所述低温多晶硅层相较于所述第一绝缘层、所述栅区、所述第二绝缘层、所述源区、所述漏区、所述平坦层、所述第一透明导电层、所述第三绝缘层及所述第二透明导电层邻近所述基板的表面设置，所述第一绝缘层覆盖所述低温多晶硅层，所述第一绝缘层对应所述低温多晶硅层的两端开设有第一贯孔及第二贯孔，所述栅区设置在所述第一绝缘层远离所述低温多晶硅层的表面，且所述栅区对应所述低温多晶硅层设置，所述第二绝缘层覆盖所述栅区，且所述第二绝缘层开设有第三贯孔及第四贯孔，所述第三贯孔对应所述第一贯孔设置，所述第四贯孔对应所述第二贯孔设置，所述源区的一端与所述第二绝缘层远离所述栅区的表面接触，且所述源区通过所述第一贯孔及所述第三贯孔连接所述低温多晶硅层的一端，所述漏区的一端与所述第二绝缘层远离所述栅区的表面接触，且所述漏区通过所述第二贯孔及所述第四贯孔连接所述低温多晶硅层的另一端，所述平坦层覆盖所述源区及所述漏区，所述平坦层开设有用于显露所述漏区的第五贯孔，所述第一透明导电层设置在所述平坦层上，所述第三绝缘层覆盖所述第一透明导电层，所述第三绝缘层开设有对应所述第五贯孔的第六贯孔，所述第二透明导电层通过所述第五贯孔及所述第六贯孔连接所述漏区，其中，所述第二透明导电层包括多个间隔设置的导电区。其中，所述第二透明导电层包括4n个间隔设置的导电区，其中，η为正整数。其中，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明导电层为像素电极。其中，所述阵列基板还包括遮光层，所述遮光层设置于所述基板的表面，所述低温多晶硅层、所述第一绝缘层、所述栅区、所述第二绝缘层、所述源区、所述漏区、所述平坦层、所述第一透明导电层、所述第三绝缘层及所述第二透明导电层通过所述遮光层设置在所述基板的同侧，且所述遮光层对应所述低温多晶硅层设置。其中，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层设置于所述基板的表面，所述缓冲层覆盖所述遮光层，所述低温多晶硅层、所述第一绝缘层、所述栅区、所述第二绝缘层、所述源区、所述漏区、所述平坦层、所述第一透明导电层、所述第三绝缘层及所述第二透明导电层通过所述遮光层及所述缓冲层设置在所述基板的同侧，且所述遮光层对应所述低温多晶硅层设置。其中，所述阵列基板还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层连接所述源区与所述低温多晶硅层之间，所述第一欧姆接触层用于降低所述源区与所述低温多晶硅层之间的接触电阻。其中，所述第一欧姆接触层包括第一轻掺杂区及第一重掺杂区，所述第一轻掺杂区与所述低温多晶硅层接触，所述第一重掺杂区域设置在所述第一轻掺杂区与所述源区之间，且所述第一重掺杂区连接所述第一轻掺杂区与所述源区，其中，所述第一轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第一重掺杂区的掺杂浓度。其中，所述阵列基板还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层连接所述漏区与所述低温多晶硅层，所述第二欧姆接触层用于降低所述漏区与所述低温多晶硅层之间的接触电阻。其中，所述第二欧姆接触层包括第二轻掺杂区及第二重掺杂区，所述第二轻掺杂区与所述低温多晶硅层接触，所述第二重掺杂区设置在所述第二轻掺杂区与所述漏区之间，且所述第二重掺杂区连接所述第二轻掺杂区与所述漏区，其中，所述第二轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第二重掺杂区的掺杂浓度。本专利技术还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括前述任意一实施方式所述的阵列基板。相较于现有技术，本专利技术阵列基板中的第二透明导电层与所述漏区相连，且所述第二透明导电层包括多个间隔设置的导电区。当所述阵列基板在制备过程中由于种种原因导致所述第二透明导电层中的部分导电区与所述漏区不能正常连接时，不需要对整个第二透明导电层进行暗点化处理，仅仅需要将不能与所述漏区正常连接的第二透明导电层中的导电区进行暗点化处理即可。当一个像素中的各个子像素进行混光时像素呈现出来的颜色发生色差偏移的程度相较于现有技术中的色差偏移的程度较小，从而提升了所述阵列基板所应用的液晶显示装置显示图像的质量。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式的阵列基板的剖面结构示意图。图2为本专利技术一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请一并参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施方式的阵列基板的剖面结构示意图。所述阵列基板100包括基板110及设置在所述基板110同侧的低温多晶硅层140、第一绝缘层150、栅区160、第二绝缘层170、源区180、漏区190、平坦层210、第一透明导电层220、第三绝缘层230及第二透明导电层240。所述低温多晶硅层140相较于所述第一绝缘层150、所述栅区160、所述第二绝缘层170、所述源区180、所述漏区190、所述平坦层210、所述第一透明导电层220、所述第三绝缘层230及所述第二透明导电层240邻近所述基板110的表面设置。所述第一绝缘层150覆盖所述低温多晶硅层140，所述第一绝缘层150对应所述低温多晶硅层140的两端开设有第一贯孔151及第二贯孔152。所述栅区160设置在所述第一绝缘层150远离所述低温多晶硅层140的表面，且所述栅区160对应所述低温多晶硅层140设置。所述第二绝缘层本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板及设置在所述基板同侧的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅区、第二绝缘层、源区、漏区、平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层及第二透明导电层，所述低温多晶硅层相较于所述第一绝缘层、所述栅区、所述第二绝缘层、所述源区、所述漏区、所述平坦层、所述第一透明导电层、所述第三绝缘层及所述第二透明导电层邻近所述基板的表面设置，所述第一绝缘层覆盖所述低温多晶硅层，所述第一绝缘层对应所述低温多晶硅层的两端开设有第一贯孔及第二贯孔，所述栅区设置在所述第一绝缘层远离所述低温多晶硅层的表面，且所述栅区对应所述低温多晶硅层设置，所述第二绝缘层覆盖所述栅区，且所述第二绝缘层开设有第三贯孔及第四贯孔，所述第三贯孔对应所述第一贯孔设置，所述第四贯孔对应所述第二贯孔设置，所述源区的一端与所述第二绝缘层远离所述栅区的表面接触，且所述源区通过所述第一贯孔及所述第三贯孔连接所述低温多晶硅层的一端，所述漏区的一端与所述第二绝缘层远离所述栅区的表面接触，且所述漏区通过所述第二贯孔及所述第四贯孔连接所述低温多晶硅层的另一端，所述平坦层覆盖所述源区及所述漏区，所述平坦层开设有用于显露所述漏区的第五贯孔，所述第一透明导电层设置在所述平坦层上，所述第三绝缘层覆盖所述第一透明导电层，所述第三绝缘层开设有对应所述第五贯孔的第六贯孔，所述第二透明导电层通过所述第五贯孔及所述第六贯孔连接所述漏区，其中，所述第二透明导电层包括多个间隔设置的导电区。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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