相变存储器及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种相变存储器及其形成方法，相变存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成包含碳化钛的底部电极；在所述底部电极上形成与所述底部电极相接触的相变层；在所述相变层上形成顶部电极。相变存储器包括：衬底；位于所述衬底上的底部电极，所述底部电极采用包含碳化钛的材料形成；位于所述底部电极上，并与所述底部电极相接触的相变层；位于所述相变层上的顶部电极。本发明专利技术的有益效果在于，碳化钛的底部电极可以降低相变存储器的功耗，提升了相变存储器的热效率，这样也有利于相变存储器降低功耗；碳化钛的化学性质稳定，保证了底部电极的形成质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种。
技术介绍
随着信息技术的发展，市场对存储器件的需求越来越大，这种需要促进了存储器件朝着高性能、低压、低功耗、高速及高密度方向发展。相变存储器(phasechange Random Access Memory, PCRAM)是在 CMOS 集成电路基础上发展起来的一种非易失性存储器，其使用周期表中V族或VI族的一种或一种以上元素的合金作为相变电阻，用相变电阻作为存储单元，构成相变层的相变材料会由于所施加电流的加热效果而进入结晶状态或非晶状态，进而相变材料能够从有序的晶态(电阻较低)快速转变为无序的非晶态(电阻较高)；当相变层处于结晶状态时，相变存储器的电阻较低，此时存储器赋值为“O”。当相变层处于非晶状态时，相变存储器电阻较高，此时存储器赋值为“ I”。因此，相变存储器是利用当相变层处于结晶状态或非晶状态时的电阻差异来写入/读取数据的非易失性存储器。然而现有技术中的相变存储器的性能仍然不够理想，如何进一步提升相变存储器的性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种相变存储器的形成方法，以提升本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成包含碳化钛的底部电极；在所述底部电极上形成与所述底部电极相接触的相变层；在所述相变层上形成顶部电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：伏广才，李志超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31