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本发明提供一种相变存储器及其形成方法，相变存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成包含碳化钛的底部电极；在所述底部电极上形成与所述底部电极相接触的相变层；在所述相变层上形成顶部电极。相变存储器包括：衬底；位于所述衬底上的底部电极，所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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