微波炉腔体及半导体微波炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微波炉腔体及一种半导体微波炉。其中，所述微波炉腔体开设有加热腔室，所述微波炉腔体包括围成所述加热腔室的侧面及食物承载面，所述侧面包括上半面及下半面。所述下半面连接所述食物承载面及所述上半面。所述上半面开设有至少一个微波馈入口。上述微波炉腔体中，由于微波馈入口开设在加热腔室的侧面的上半面，因此，从微波馈入口馈入的一部分微波能够在加热腔室内反射后被食物吸收，使食物加热更加均匀。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及家用电器领域，尤其涉及一种微波炉腔体及一种半导体微波炉。
技术介绍
目前，在半导体微波炉中，微波源产生的微波从微波馈入口馈入半导体微波炉的加热腔室内。然而，微波从微波馈入口导入半导体微波炉时，微波容易直接被食物吸收，造成食物加热不均匀。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提供一种微波炉腔体及一种半导体微波炉。本技术实施方式的微波炉腔体开设有加热腔室，所述微波炉腔体包括围成所述加热腔室的侧面及食物承载面，所述侧面包括上半面及下半面。所述下半面连接所述食物承载面及所述上半面。所述上半面开设有至少一个微波馈入口。上述微波炉腔体中，由于微波馈入口开设在在加热腔室的侧面的上半面，因此，从微波馈入口馈入的一部分微波能够在加热腔室内反射后被食物吸收，使食物加热更加均匀。在某些实施方式中，所述侧面包括相对的第一子侧面、与所述第一子侧面相对的第二子侧面及连接所述第一子侧面、所述第二子侧面及所述食物承载面的第三子侧面。所述微波炉腔体包括多个所述微波馈入口，多个所述微波馈入口开设在所述第一子侧面的所述上半面及/或所述第三子侧面的所述上半面上;或多个所述微波馈入口开设在所述第二子侧面的所述上半面及/或所述第三子侧面的所述上半面上。在某些实施方式中，所述第二子侧面上开设有两个所述微波馈入口。在某些实施方式中，所述第三子侧面上开设有两个所述微波馈入口。在某些实施方式中，所述微波馈入口的形状相同。在某些实施方式中，所述微波馈入口呈矩形状，所述微波馈入口的长度为70?90mm及宽度为30?50mm。在某些实施方式中，所述加热腔室呈长方体状，所述加热腔室的长度为378?438mm、宽度为330?390mm及高度为227?287mm。在某些实施方式中，所述微波馈入口处的微波驻波值小于3，两两所述微波馈入口之间的隔离度的绝对值大于或等于10dB。在某些实施方式中，所述微波炉腔体包括与所述食物承载面相对的顶面，所述顶面及所述食物承载面均连接所述侧面以共同形成所述加热腔室。所述第二子侧面上开设有两个所述微波馈入口，所述第三子侧面开设有两个所述微波馈入口；位于所述第二子侧面上的两个所述微波馈入口沿所述加热腔室的宽度方向并列设置。位于所述第三子侧面上的两个所述微波馈入口沿所述加热腔室的长度方向并列设置。在某些实施方式中，位于所述第二子侧面上的所述微波馈入口与所述顶面的距离为60?70mm，位于所述第三子侧面上的所述微波馈入口与所述顶面的距离为60?70mm。在某些实施方式中，位于所述第二子侧面上的两个所述微波馈入口中，靠近所述加热腔室的开口的所述微波馈入口与所述开口的距离为70?90mm。在某些实施方式中，位于所述第二子侧面上的两个所述微波馈入口之间的距离为103?123mm0在某些实施方式中，位于所述第三子侧面上的两个所述微波馈入口中，靠近所述第二子侧面的所述微波馈入口与所述第一子侧面的距离为64?84mm。在某些实施方式中，位于所述第三子侧面上的两个所述微波馈入口之间的距离为55?75mm0本技术实施方式的半导体微波炉包括上述的微波炉腔体。本技术实施方式的半导体微波炉由于应用上述的微波炉腔体，食物加热更加均匀，微波的传输效率更高。在某些实施方式中，所述半导体微波炉包括天线，所述天线用于发射微波发生器产生的微波，所述微波经过多个所述微波馈入口馈入所述加热腔室内。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。【附图说明】本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中:图1是本技术实施方式的微波炉腔体的结构示意图。图2是图1中微波炉腔体的I1-1I向的剖面示意图。图3是图1中微波炉腔体的II1-1II向的剖面示意图。图4是本技术实施方式的微波炉腔体的第一子微波馈入口处的微波驻波值示意图。图5是本技术实施方式的微波炉腔体的第二子微波馈入口处的微波驻波值示意图。图6是本技术实施方式的微波炉腔体的第三子微波馈入口处的微波驻波值示意图。图7是本技术实施方式的微波炉腔体的第四子微波馈入口处的微波驻波值示意图。图8是本技术实施方式的微波炉腔体的第一子微波馈入口与第二子微波馈入口之间的隔离度示意图。图9是本技术实施方式的微波炉腔体的第一子微波馈入口与第三子微波馈入口之间的隔离度示意图。图10是本技术实施方式的微波炉腔体的第一子微波馈入口与第四子微波馈入口之间的隔离度示意图。图11是本技术实施方式的微波炉腔体的第二子微波馈入口与第三子微波馈入口之间的隔离度示意图。图12是本技术实施方式的微波炉腔体的第二子微波馈入口与第四子微波馈入口之间的隔离度示意图。图13是本技术实施方式的微波炉腔体的第三子微波馈入口与第四子微波馈入口之间的隔离度示意图。【具体实施方式】下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接;可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波炉腔体，其特征在于，所述微波炉腔体开设有加热腔室，所述微波炉腔体包括围成所述加热腔室的侧面及食物承载面，所述侧面包括上半面及下半面，所述下半面连接所述食物承载面及所述上半面，所述上半面开设有至少一个微波馈入口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张斐娜，孙宁，刘民勇，王轩，栾春，
申请(专利权)人：广东美的厨房电器制造有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44