一种wafer表面脏污清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种wafer表面脏污清洗方法，包括以下步骤：将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；断开真空腔的电压源，使真空腔恢复零点电场，将wafer圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。该方法能够彻底清洗wafer，避免二次污染和划伤，无污染，环保，有效降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及wafer的清洗方法，尤其涉及。
技术介绍
现有的wafer清洗方式，通常采用液体化学方法清洗，虽然能达到一定的清洗效果，但是存在二次污染和划伤圆片的风险，而且清洗成本比较高，清洗不彻底。有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设，使其更具有产业上的利用价值。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种能够彻底清洗wafer，避免二次污染和划伤，成本较低的waf er表面脏污清洗方法。本专利技术提出，其特征在于:包括以下步骤:(I)将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；(2)停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；(3)断开真空腔的电场电压，使真空腔恢复零点电场，将waf er圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(I)中所述吹入带电离子风的设备为SIDEKE离子风扇设备。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(I)中所述离子风吹入的时间为30秒。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(2)中所述给真空腔施加的电场电压为+5V。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(2)中所述施加电场电压的时间为30秒。作为本专利技术方法的进一步改进，步骤(3)中所述wafer圆片静置在腔体内的时间为I分钟。借由上述方案，本专利技术至少具有以下优点:1.方便操作，有效防止颗粒在脏污清洗过程中划伤圆片；2.不存在二次污染圆片的概率；3.无污染，环保，有效降低成本。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。 实施例:，包括以下步骤:(1)将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；(2)停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；(3)断开真空腔的电压源，使真空腔恢复零点电场，将wafer圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。步骤(1)中所述吹入带电离子风的设备为SIDEKE离子风扇设备。步骤(1)中所述离子风吹入的时间为30秒。步骤(2)中所述给真空腔施加的电场电压为+5V。步骤(2)中所述施加电场电压的时间为30秒。步骤(3)中所述wafer圆片静置在腔体内的时间为1分钟。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，并不用于限制本专利技术，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种waf er表面脏污清洗方法，其特征在于:包括以下步骤: (1)将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电； (2)停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间； (3)断开真空腔的电压源，使真空腔恢复零点电场，将wafer圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。2.根据权利要求1所述的，其特征在于:步骤(1)中所述吹入带电呙子风的设备为SIDEKEi^i子风扇设备。3.根据权利要求2所述的，其特征在于:步骤(1)中所述离子风吹入的时间为3 0秒。4.根据权利要求3所述的，其特征在于:步骤(2)中所述给真空腔施加的电场电压为+5V。5.根据权利要求4所述的，其特征在于:步骤(2)中所述施加电场电压的时间为30秒。6.根据权利要求5所述的，其特征在于:步骤(3)中所述wafer圆片静置在腔体内的时间为1分钟。【专利摘要】本专利技术公开了，包括以下步骤：将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；断开真空腔的电压源，使真空腔恢复零点电场，将wafer圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。该方法能够彻底清洗wafer，避免二次污染和划伤，无污染，环保，有效降低了成本。【IPC分类】H01L21/02, B08B1/02【公开号】CN105448667【申请号】CN201510977032【专利技术人】张磊 【申请人】苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司【公开日】2016年3月30日【申请日】2015年12月23日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种wafer表面脏污清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；(2)停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；(3)断开真空腔的电压源，使真空腔恢复零点电场，将wafer圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32