温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种wafer表面脏污清洗方法，包括以下步骤：将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；断开真空腔的电压源...
该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。