空腔薄膜及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
空腔薄膜及其制造方法
本专利技术涉及微电子机械系统
，特别涉及一种空腔薄膜及其制造方法。
技术介绍
MEMS(MicroElectromechanicalSystem，微电子机械系统)是指集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统。它是在融合多种细微加工技术，并应用现代信息技术的最新成果的基础上发展起来的高科技前言学科。MEMS技术的发展开辟了一个全新的
和产业，采用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事以及几乎人们所接触到的所有领域中都有着十分广阔的应用前景。MEMS技术正发展成为一个巨大的产业，就像近20年来微电子产业和计算机产业给人类带来的巨大变化一样，MEMS也正在孕育一场深刻的技术变革并对人类社会产生新一轮的影响。目前MEMS市场的主导产品为压力传感器、加速度计、微陀螺仪和硬盘驱动头等。大多数工业观察家预测，未来5年MEMS器件的销售额将呈迅速增长之势，年平均增加率约为18％，因此对机械电子工程、精密机...
【技术保护点】
一种空腔薄膜的制造方法，其特征在于，包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜；在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔；通过外延生长工艺形成单晶硅层，密闭所述多个通孔。
【技术特征摘要】
1.一种空腔薄膜的制造方法，其特征在于，包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜；在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜表面形成第二掺杂浓度的第二N型层；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第二N型层变成第二多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第二N型空腔隔膜；在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔；通过外延生长工艺形成单晶硅层，密闭所述多个通孔。2.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，同时在所述第二N型空腔隔膜和第一N型空腔隔膜中形成多个通孔所述多个通孔露出部分第一多孔硅层和部分第二多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔，同时使得所述第二多孔硅层变成第二空腔。3.如权利要求2所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，重复执行如下步骤：在通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜之后，在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层之前，还包括：在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜表面形成第二掺杂浓度的第二N型层；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第二N型层变成第二多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第二N型空腔隔膜；及同时在所述第二N型空腔隔膜和第一N型空腔隔膜中形成多个通孔所述多个通孔露出部分第一多孔硅层和部分第二多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔，同时使得所述第二多孔硅层变成第二空腔。4.如权利要求1所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层之后，通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜之前，还包括：通过氧化方式固化所述第一多孔硅层。5.如权利要求4所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，通过氧化方式固化所述第一多孔硅层中的工艺温度为300℃～500℃。6.如权利要求4所述的空腔薄膜的制造方法，其特征在于，通过氧化方式固化所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：季锋，闻永祥，刘琛，孙伟，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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