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本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，所述方法包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；通...该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。