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一种新型硅胶导热片制造技术

技术编号:12940443 阅读:71 留言:0更新日期:2016-03-01 04:36
本实用新型专利技术公开一种新型硅胶导热片,包括基底层及设置在所述基底层上的石墨烯导热膜,所述基底层为硅脂层,所述石墨烯导热膜与所述硅脂层覆盖粘合或所述石墨烯导热膜直接与所述硅质层混合覆盖,组成材料密度均匀,分布合理,在硅树脂里添加石墨稀,使其的导热性能比普通的导热硅脂高几十倍;有效利用石墨烯的强导热性,并将其应用在电子领域的导热材料制备中,结构设计合理,应用范围广泛,具有极佳的市场化前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种新型硅胶导热片,包括基底层及设置在所述基底层上的石墨烯导热膜,所述基底层为硅脂层,所述石墨烯导热膜与所述硅脂层覆盖粘合或所述石墨烯导热膜直接与所述桂质层混合覆盖,组成材料密度均匀,分布合理,在硅树脂里添加石墨稀,使其的导热性能比普通的导热硅脂高几十倍;有效利用石墨烯的强导热性,并将其应用在电子领域的导热材料制备中,结构设计合理,应用范围广泛,具有极佳的市场化前景。【专利说明】一种新型硅胶导热片
本技术涉及导热材料,尤其涉及一种新型硅胶导热片。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。是一种由 碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维 材料。石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料,它几乎是完全透明的,只吸收 2. 3%的光;导热系数高达5300W/m · K,高于碳纳米管和金刚石,常温下其电子迁移率超过 15000cm&sup2 ;/V *s,又比纳米碳管或娃晶体高,而电阻率只约10-6Ω ^cm,比铜或银更低, 为世上电阻率最小的材料。 随着电子器件微型化的飞速发展,尤其突显的是电子线路板上的元器件日益密 集,使得电子产品表面温度也在升高,电子产品的热量管理成为产品设计的重要课题。现阶 段,所有集成元件设计的电子设备都需要考虑的就是元件表面温度控制问题,如何有效控 制电子元件散热必然与电子产品的正常使用起到直接的决定性作用。
技术实现思路
本技术的目的在于,针对现有技术的不足,提供一种新型硅胶导热片,通过石 墨烯导热膜与硅脂层的结合使用,组成新的硅胶导热片,有效增强导热性。 为有效解决上述问题,本技术采取的技术方案如下: -种新型硅胶导热片,包括基底层及设置在所述基底层上的石墨烯导热膜,所述 基底层为硅脂层,所述石墨烯导热膜与所述硅脂层覆盖粘合或所述石墨烯导热膜直接与所 述硅质层混合覆盖。 特别的,所述石墨烯导热膜与所述硅脂层之间设有粘合剂层。 特别的,所述石墨烯导热膜单面覆盖所述硅脂层。 特别的,所述石墨烯导热膜双面覆盖所述硅脂层。 特别的,所述石墨烯导热膜全面混合覆盖所述硅脂层。 特别的,所述石墨烯导热膜为石墨烯复合材料层。 特别的,所述石墨烯导热膜为单分子结构层。 本技术的有益效果:本技术提供的新型硅胶导热片组成材料密度均匀, 在硅树脂里添加石墨稀,使其的导热性能比普通的导热硅脂高几十倍;有效利用石墨烯的 强导热性,并将其应用在电子领域的导热材料制备中,结构设计合理,应用范围广泛,具有 极佳的市场化前景。 下面结合附图对本技术进行详细说明。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术公开的新型硅胶导热片整体结构示意图; 图2是本技术公开的新型硅胶导热片又一整体结构示意图; 图3是本技术公开的新型硅胶导热片又一整体结构示意图。 其中: 001硅脂层,002石墨烯导热膜,003粘合剂层。 【具体实施方式】 实施例: 如图1、图2及图3所示,本实施例提供的新型硅胶导热片包括基底层及设置在所 述基底层上的石墨烯导热膜002,所述基底层为硅脂层001,所述石墨烯导热膜002与所述 硅脂层001覆盖粘合或所述石墨烯导热膜002直接与所述硅质层混合覆盖。 如1及图2所示,所述石墨烯导热膜002与所述硅脂层001之间设有粘合剂层003。 所述石墨烯导热膜002单面覆盖所述硅脂层001。 如图3所示,所述石墨烯导热膜002双面覆盖所述硅脂层001。所述石墨烯导热膜 002全面混合覆盖所述硅脂层001。所述石墨烯导热膜002为石墨烯复合材料层。所述石 墨烯导热膜002为单分子结构层。 申请人:声明,所属
的技术人员在上述实施例的基础上,将上述实施例某 步骤,与
技术实现思路
部分的技术方案相组合,从而产生的新的方法或结构,也是本实用新 型的记载范围之一,本申请为使说明书简明,不再罗列这些步骤的其它实施方式。 该实施例的主要技术应用: 本技术提供的新型硅胶导热片组成材料密度均匀,在硅树脂里添加石墨稀, 使其的导热性能比普通的导热硅脂高几十倍;有效利用石墨烯的强导热性,并将其应用在 电子领域的导热材料制备中,结构设计合理,应用范围广泛,具有极佳的市场化前景。本实 用新型通过上述实施例来说明本技术的实现方法及装置结构,但本技术并不局限 于上述实施方式,即不意味着本技术必须依赖上述方法及结构才能实施。所属技术领 域的技术人员应该明了,对本技术的任何改进,对本技术所选用实现方法等效替 换及及步骤的添加、具体方式的选择等,均落在本技术的保护范围和公开范围之内。 本技术并不限于上述实施方式,凡采用和本技术相似结构及其方法来实 现本技术目的的所有方式,均在本技术的保护范围之内。【权利要求】1. 一种新型硅胶导热片,其特征在于,包括基底层及设置在所述基底层上的石墨烯导 热膜,所述基底层为硅脂层,所述石墨烯导热膜与所述硅脂层覆盖粘合或所述石墨烯导热 膜直接与所述硅质层混合覆盖。2. 根据权利要求1所述的新型硅胶导热片,其特征在于,所述石墨烯导热膜与所述硅 脂层之间设有粘合剂层。3. 根据权利要求1所述的新型硅胶导热片,其特征在于,所述石墨烯导热膜单面覆盖 所述硅脂层。4. 根据权利要求1所述的新型硅胶导热片,其特征在于,所述石墨烯导热膜双面覆盖 所述硅脂层。5. 根据权利要求1所述的新型硅胶导热片,其特征在于,所述石墨烯导热膜全面混合 覆盖所述硅脂层。6. 根据权利要求1所述的新型硅胶导热片,其特征在于,所述石墨烯导热膜为石墨烯 复合材料层。7. 根据权利要求1所述的新型硅胶导热片,其特征在于,所述石墨烯导热膜为单分子 结构层。【文档编号】B32B7/12GK204022746SQ201420299786【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2014年6月6日 【专利技术者】吴付东 申请人:吴付东本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种新型硅胶导热片,其特征在于,包括基底层及设置在所述基底层上的石墨烯导热膜,所述基底层为硅脂层,所述石墨烯导热膜与所述硅脂层覆盖粘合或所述石墨烯导热膜直接与所述硅质层混合覆盖。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴付东
申请(专利权)人:吴付东
类型:新型
国别省市:广西;45

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