具有光学穿孔结构的半导体器件制造技术

具有光学穿孔结构的半导体器件。提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括基板和穿透所述基板的穿孔结构。穿孔结构可提供可包括电路径和光学路径的双重路径。还提供了相关的电子系统和存储卡。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】具有光学穿孔结构的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求2014年7月30日在韩国知识产权局提交的韩国申请N0.10-2014-0097658的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文。
本公开的实施方式总体上涉及半导体器件，更特别地，涉及具有光学穿孔结构(through via structure)的半导体器件、包括半导体器件的存储卡和包括存储卡的电子系统。
技术介绍
半导体器件可采用穿孔结构作为电信号路径。穿孔结构可包括基本上穿透半导体芯片或半导体基板的硅穿孔(TSV)电极。
技术实现思路
根据实施方式，一种半导体器件可包括基板和被构造成基本上垂直穿透所述基板的穿孔结构。穿孔结构可提供可包括电路径和光学路径的双重路径。根据实施方式，一种半导体器件可包括基板和垂直穿透所述基板的穿孔结构。穿孔结构可包括电路径层和光学路径层。根据实施方式，一种半导体器件可包括基板和垂直穿透所述基板的穿孔结构。穿孔结构可包括可同时提供电路径和光学路径的导电光穿透层。根据实施方式，一种半导体器件可包括:第一基板；第一穿孔结构，其垂直穿透所述第一基板并且包括第一电路径和第一光学路径；第一光学通信单元，其设置在所述第一基板中，被构造成通过所述第一光学路径发送或接收光学信号；第二基板，其上堆叠有所述第一基板；第二光学通信单元，其设置在所述第二基板中，被构造成通过所述第一光学路径发送或接收所述光学信号。根据实施方式，一种半导体器件可包括:第一基板；第一穿孔结构，其垂直穿透所述第一基板并且包括第一电路径和第一光学路径；第二基板，其上堆叠有所述第一基板；第二穿孔结构，其垂直穿透所述第二基板并且包括第二电路径和第二光学路径。电信号可通过第一电路径和第二电路径传播，光学信号可通过第一光学路径和第二光学路径传播。根据实施方式，存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括基板和被构造成垂直穿透所述基板的穿孔结构。所述穿孔结构可提供包括电路径和光学路径的双重路径。根据实施方式，存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括基板和垂直穿透所述基板的穿孔结构。所述穿孔结构可包括电路径层和光学路径层。根据实施方式，存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括基板和垂直穿透所述基板的穿孔结构。所述穿孔结构可包括导电光穿透层，所述导电光穿透层被构造用于同时提供电路径和光学路径。根据实施方式，存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括:第一基板；第一穿孔结构，其垂直穿透所述第一基板并且包括第一电路径和第一光学路径；第一光学通信单元，其设置在所述第一基板中，被构造成通过所述第一光学路径发送或接收光学信号；第二基板，其上堆叠有所述第一基板；第二光学通信单元，其设置在所述第二基板中，被构造成通过所述第一光学路径发送或接收所述光学信号。根据实施方式，存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括:第一基板；第一穿孔结构，其垂直穿透所述第一基板并且包括第一电路径和第一光学路径；第二基板，其上堆叠有所述第一基板；第二穿孔结构，其垂直穿透所述第二基板并且包括第二电路径和第二光学路径。电信号可通过第一电路径和第二电路径传播，光学信号可通过第一光学路径和第二光学路径传播。根据实施方式，电子系统可包括半导体器件。所述半导体器件可包括基板和被构造成垂直穿透所述基板的穿孔结构。所述穿孔结构可提供可包括电路径和光学路径的双重路径。根据实施方式，电子系统可包括半导体器件。所述半导体器件可包括基板和垂直穿透所述基板的穿孔结构。所述穿孔结构可包括电路径层和光学路径层。根据实施方式，存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括基板和垂直穿透所述基板的穿孔结构。所述穿孔结构可包括导电光穿透层，所述导电光穿透层可同时提供电路径和光学路径。根据实施方式，电子系统可包括半导体器件。所述半导体器件可包括:第一基板；第一穿孔结构，其垂直穿透所述第一基板并且包括第一电路径和第一光学路径；第一光学通信单元，其设置在所述第一基板中，被构造成通过所述第一光学路径发送或接收光学信号；第二基板，其上堆叠有所述第一基板；第二光学通信单元，其设置在所述第二基板中，被构造成通过所述第一光学路径发送或接收所述光学信号。根据实施方式，电子系统可包括半导体器件。所述半导体器件可包括:第一基板；第一穿孔结构，其垂直穿透所述第一基板并且包括第一电路径和第一光学路径；第二基板，其上堆叠有所述第一基板；第二穿孔结构，其垂直穿透所述第二基板并且包括第二电路径和第二光学路径。电信号可通过第一电路径和第二电路径传播，光学信号可通过第一光学路径和第二光学路径传播。根据实施方式，一种半导体器件可包括:基板；单个通孔，其穿透所述基板并且可在所述单个通孔内包括电路径和光学路径。在实施方式中，一种基板可包括单个通孔，所述单个通孔穿透所述基板并且在所述单个通孔内包括电路径和光学路径，所述单个通孔可包括电路径和光学路径。根据实施方式，一种存储卡可包括半导体器件。所述半导体器件可包括:基板；单个通孔，其穿透所述基板并且可在所述单个通孔内包括电路径和光学路径。根据实施方式，一种电子系统可包括半导体器件。所述半导体器件可包括:基板；单个通孔，其穿透所述基板并且可在所述单个通孔内包括电路径和光学路径。【附图说明】图1是示出根据实施方式的半导体器件中采用的光学穿孔结构的表现的立体图。图2是示出根据实施方式的半导体器件的构造的表现的示意图。图3是示出根据实施方式的半导体器件的结构的表现的剖视图。图4和图5是示出根据实施方式的半导体器件的表现的剖视图。图6是示出图4和图5中示出的半导体器件的构造的表现的示意图。图7是示出根据实施方式的半导体器件的构造的表现的示意图。图8是示出根据实施方式的半导体器件的表现的立体图。图9是示出根据实施方式的半导体器件的构造的表现的示意图。图10是示出根据实施方式的包括至少一个半导体器件的电子系统的表现的框图。图11是示出根据实施方式的包括至少一个半导体器件的电子系统的表现的框图。【具体实施方式】将理解，尽管在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但这些元件应该不受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，一些实施方式中的第一元件可在其它实施方式中被命名为第二元件。还将理解，当元件被称为在另一个元件“上”、“之上”、“之下”或“下”时，它可直接在分别在其它元件“上”、“之上”、“之下”或“下”，或者也可存在中间元件。因此，本文中使用的诸如“上”、“之上”、“之下”或“下”的术语只是出于描述特定实施方式的目的，不旨在限制本专利技术的构思。还将理解，当元件被称为“连接”或“结合”到另一个元件时，它可直接连接或结合到另一个元件或者可存在中间元件。相比之下，当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一个元件时，不存在中间元件。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应该以类似方式解释。可通过使用晶粒切割工艺将诸如晶圆的半导体基板分成多片来得到半导体芯片。半导体芯片可对应于存储器芯片或逻辑芯片。存储器芯片可包括集成在半导体衬底的上面和/或里面的动态随机存取存储器(DRAM)电路、静态随机存取存储器(SRAM)电路、闪速存储器电路、磁性随机存取存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；单个通孔，其穿透所述基板并且在所述单个通孔内包括电路径和光学路径。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李承烨，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR