本发明专利技术公开了一种氧化镁除杂工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）过磁，将粗制的氧化镁通过磁性筛网筛掉氧化镁中的重金属杂质；2）大颗粒粉碎，将经过过磁工序的氧化镁输送到气流粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为：研磨气量为6~10m3/min，空气压力为1Mpa；3）除含镁杂质，经上述工序后，大颗粒氧化镁留置在气流粉碎机中继续粉碎，小颗粒氧化镁随空气流进入加热反应装置，小颗粒氧化镁中的含镁杂质、在加热反应装置中发生氧化反应形成氧化镁，加热温度为750~800℃；4）降温，将经过上述工序的氧化镁通过降温管道降温至室温；5）进一步分离，将降温后的氧化镁输送到旋风分离器中分离，获得粒径小于50nm的氧化镁，再通过除尘装置除尘，最后用收集袋收集成品氧化镁。本发明专利技术一种氧化镁除杂工艺，提高了氧化镁除杂效率，提高了氧化镁纯度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化镁制造领域，尤其涉及一种氧化镁除杂工艺。
技术介绍
在氧化镁生产过程中，为提高氧化镁纯度通常需要经过除杂工序。影响氧化镁品质的杂质主要有各种重金属杂质以及未被氧化的原料杂质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氧化镁除杂工艺，提高了氧化镁除杂效率，提高了氧化镁纯度。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种氧化镁除杂工艺，包括如下步骤: 1)过磁，将粗制的氧化镁通过磁性筛网筛掉氧化镁中的重金属杂质； 2)大颗粒粉碎，将经过过磁工序的氧化镁输送到气流粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为:研磨气量为6~10m3/min，空气压力为IMpa ； 3)除含镁杂质，经上述工序后，大颗粒氧化镁留置在气流粉碎机中继续粉碎，小颗粒氧化镁随空气流(高压引风机制造出从低处向高处流动的空气流)进入加热反应装置，小颗粒氧化镁中的含镁杂质、在加热反应装置中发生氧化反应形成氧化镁，加热温度为750-800 °C ； 4)降温，将经过上述工序的氧化镁通过降温管道降温至室温(采用冷却液降温，将输送管道设置在充满冷却液的环境中，通过热交换降低输送管道内的氧化镁的温度，此处的“降温管道”是指处在冷却液环境中的输送管道)； 5)进一步分离，将降温后的氧化镁输送到旋风分离器中分离，获得粒径小于50nm的氧化镁，再通过除尘装置除尘，最后用收集袋收集成品氧化镁。本专利技术的优点和有益效果在于:提供一种氧化镁除杂工艺，提高了氧化镁除杂效率，提高了氧化镁纯度。【附图说明】图1为本专利技术流程图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。实施例: 一种氧化镁除杂工艺，包括如下步骤: 1)过磁，将粗制的氧化镁通过磁性筛网筛掉氧化镁中的重金属杂质； 2)大颗粒粉碎，将经过过磁工序的氧化镁输送到气流粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为:研磨气量为6 3/min，空气压力为IMpa ； 3)除含镁杂质，经上述工序后，大颗粒氧化镁留置在气流粉碎机中继续粉碎，小颗粒氧化镁随空气流进入加热反应装置，小颗粒氧化镁中的含镁杂质、在加热反应装置中发生氧化反应形成氧化镁，加热温度为750°C ； 4)降温，将经过上述工序的氧化镁通过降温管道降温至室温； 5)进一步分离，将降温后的氧化镁输送到旋风分离器中分离，获得粒径小于50nm的氧化镁，再通过除尘装置除尘，最后用收集袋收集成品氧化镁。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种氧化镁除杂工艺，其特征在于，包括如下步骤: 1)过磁，将粗制的氧化镁通过磁性筛网筛掉氧化镁中的重金属杂质； 2)大颗粒粉碎，将经过过磁工序的氧化镁输送到气流粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为:研磨气量为6~10m3/min，空气压力为IMpa ； 3)除含镁杂质，经上述工序后，大颗粒氧化镁留置在气流粉碎机中继续粉碎，小颗粒氧化镁随空气流进入加热反应装置，小颗粒氧化镁中的含镁杂质、在加热反应装置中发生氧化反应形成氧化镁，加热温度为750~800°C ； 4)降温，将经过上述工序的氧化镁通过降温管道降温至室温； 5)进一步分离，将降温后的氧化镁输送到旋风分离器中分离，获得粒径小于50nm的氧化镁，再通过除尘装置除尘，最后用收集袋收集成品氧化镁。【专利摘要】本专利技术公开了一种氧化镁除杂工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）过磁，将粗制的氧化镁通过磁性筛网筛掉氧化镁中的重金属杂质；2）大颗粒粉碎，将经过过磁工序的氧化镁输送到气流粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为：研磨气量为6~10m3/min，空气压力为1Mpa；3）除含镁杂质，经上述工序后，大颗粒氧化镁留置在气流粉碎机中继续粉碎，小颗粒氧化镁随空气流进入加热反应装置，小颗粒氧化镁中的含镁杂质、在加热反应装置中发生氧化反应形成氧化镁，加热温度为750~800℃；4）降温，将经过上述工序的氧化镁通过降温管道降温至室温；5）进一步分离，将降温后的氧化镁输送到旋风分离器中分离，获得粒径小于50nm的氧化镁，再通过除尘装置除尘，最后用收集袋收集成品氧化镁。本专利技术一种氧化镁除杂工艺，提高了氧化镁除杂效率，提高了氧化镁纯度。【IPC分类】B03C1/30, C01F5/02, B02C23/08, B02C19/06【公开号】CN105312151【申请号】CN201510919379【专利技术人】莫云泽 【申请人】苏州市泽镁新材料科技有限公司【公开日】2016年2月10日【申请日】2015年12月14日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氧化镁除杂工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）过磁，将粗制的氧化镁通过磁性筛网筛掉氧化镁中的重金属杂质；2）大颗粒粉碎，将经过过磁工序的氧化镁输送到气流粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为：研磨气量为6~10m3/min，空气压力为1Mpa；3）除含镁杂质，经上述工序后，大颗粒氧化镁留置在气流粉碎机中继续粉碎，小颗粒氧化镁随空气流进入加热反应装置，小颗粒氧化镁中的含镁杂质、在加热反应装置中发生氧化反应形成氧化镁，加热温度为750~800℃；4）降温，将经过上述工序的氧化镁通过降温管道降温至室温；5）进一步分离，将降温后的氧化镁输送到旋风分离器中分离，获得粒径小于50nm的氧化镁，再通过除尘装置除尘，最后用收集袋收集成品氧化镁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：莫云泽，
申请(专利权)人：苏州市泽镁新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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