【技术实现步骤摘要】
一种高致密度纳米氧化镁基陶瓷的制备方法
本专利技术属于功能材料的制备
,具体地说是涉及一种高致密度纳米氧化镁基陶瓷的制备方法。
技术介绍
氧化镁基陶瓷以氧化镁为主成分的陶瓷,属立方晶系,其抗拉强度、抗压强度及抗弯强度都比烧结氧化铝低得多,它的高温强度也较低。氧化镁是良好的绝缘体,室温下电阻率随温度升高,电阻率急剧降低。氧化镁陶瓷也是典型的碱性耐火材料,在氧化气氛或氮气保护下可稳定工作到2400℃。氧化镁陶瓷还可用作冶炼金属的坩埚,在原子能工业中也适于冶炼高纯度的铀和钍;还可用作热电偶保护套管。利用它能使电磁波通过的性质,作雷达罩及红外辐射的透射窗口材料等。高纯度氧化镁陶瓷具有耐高温、耐腐蚀等优点,但高纯度氧化镁陶瓷较难致密烧结,使用高纯度纳米氧化镁为原料,由于其堆积密度低、反应活性强,使得制粉、成型有一定困难,特别是制备高致密度大尺寸氧化镁管、坩埚容易产生变形、开裂等现象。本专利采用高纯度纳米氧化镁为原料,高纯度的氧化锆、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛混合为添加剂制备而成。通过液相研磨混料、喷雾干燥造粒一体化、高压成型和高温烧结的工艺制备得到所述的纳米氧化镁基陶 ...
【技术保护点】
1.一种高致密度纳米氧化镁基陶瓷的制备方法,其特征在于,采用高纯度纳米氧化镁为原料,高纯度的氧化锆、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛混合为添加剂制备而成,其中氧化镁含量≥85wt%、相对致密度≥95%,添加剂含量为15wt%。
【技术特征摘要】
1.一种高致密度纳米氧化镁基陶瓷的制备方法,其特征在于,采用高纯度纳米氧化镁为原料,高纯度的氧化锆、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛混合为添加剂制备而成,其中氧化镁含量≥85wt%、相对致密度≥95%,添加剂含量为15wt%。2.该工艺包括如下步骤:a.将纳米氧化镁、氧化锆、氧化钇、氧化铝以及二氧化钛原料粉体按照一定的比例组成称量,混合均匀;b.将步骤a混合均匀的粉体与水放入球磨罐或砂磨机中进行低温液相球磨,球磨介质为高纯度氧化钇稳定的氧化锆陶瓷球,湿磨混料2-40小时,得到均匀混合的陶瓷浆料;c.将步骤b制得的陶瓷浆料进行喷雾干燥,控制干燥后的粉体粒径,获得流动性好、颗粒尺寸为2-100μm,堆积密度0.5-3.0g/cm3的陶瓷粉体,即完成造粒过程;d.将步骤c制得的造粒后的陶瓷粉体进行高压成型获得陶瓷坯体,通常采用的压力在10-300MPa压力下保压2-30分钟成型,即完成预加工处理;e.将步骤d制得的陶瓷坯体在高温烧结炉中按照预设烧结制度高温烧结获得基于纳米氧化镁基的氧化镁陶瓷。3.根据权利要求1所述的一种高致密度纳米氧化镁基陶瓷的制备方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:莫云泽,
申请(专利权)人:苏州市泽镁新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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