一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法技术

本发明专利技术公开的一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法，具体为：1)将称取的硅粉、炭黑粉、无定形硼粉、氮化硅粉及聚四氟乙烯粉球磨混合制备出混合粉体A；2)将混合粉体A过200目筛得到平均粒径为74μm以下的混合粉体B；3)将混合粉体B置于真空-气氛热压烧结炉中，先进行抽真空处理后充入N2气，反应得到B、N共掺杂的3C-SiC主晶相纳米粉体；4)将B、N共掺杂的3C-SiC主晶相纳米粉体放置于箱式电阻炉中，在空气气氛中热处理制备出B、N共掺杂的高纯度3C-SiC纳米粉体吸波材料。本发明专利技术的B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法，制备出晶型和介电损耗性能良好的SiC纳米粉体吸波材料，且其介电常数大小可控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于吸波材料制备方法
，具体涉及一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法。
技术介绍
吸波材料是指通过介电弛豫、涡流或磁滞损耗等材料特性将入射电磁波的电磁能转化成热能耗散掉，以达到吸收电磁波目的的材料。根据微波损耗机理，吸波材料主要分为介电型和磁性吸波材料两大类。在这两大类材料中，磁性吸波材料，如:铁氧体、羰基铁粉等受到居里温度的限制，在较高温度下其磁性会迅速衰减，丧失吸波性能，而且较大的密度也制约着它们的应用。因此，可应用于高温领域的介电型吸波材料，如:SiC、h-BN和LaMn03等倍受关注。在介电型吸波材料中，SiC是制作多波段吸波材料的主要候选材料，若设计合理，就能够实现轻质、薄层、宽频带和多频段吸收。美国、德国、日本等国对SiC研究应用的重要方向之一正是吸波材料。但是，常规制备的SiC不具备吸波性能，必须对其作进一步的处理，使其具有吸波性能。目前，有效的途径主要有以下两种方法:(1)提高SiC的纯度；(2)对SiC进行有控制地掺杂。其中，制备高纯度SiC存在高纯原料难以获得及制备成本高的问题；相比之下，通过掺杂途径也可使SiC具备良好的吸波性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、分别称取硅粉Si、炭黑粉C、无定形硼粉B、氮化硅粉Si3N4及聚四氟乙烯粉PTFE，并将称取的取硅粉Si、炭黑粉C、无定形硼粉B、氮化硅粉Si3N4及聚四氟乙烯粉PTFE球磨混合，制备出混合粉体A；步骤2、将步骤1得到的混合粉体A过200目筛，以破除团聚物，得到平均粒径为74μm以下的混合粉体B；步骤3、将经步骤2得到的混合粉体B放置于真空‑气氛热压烧结炉中，先进行抽真空处理，然后充入N2气，对混合粉体B进行高温自蔓延反应，制备得到B、N共掺杂的3C‑SiC主晶相纳米粉体；步骤4、将经步骤3得到的B、N共掺...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李智敏，张茂林，闫养希，黄云霞，孙鹏，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61