包括降低热膨胀系数(CTE)并减小翘曲的无机材料的基板制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景优先权要求/权益要求本申请要求于2013年5月31日提交的题为“SubstrateComprisingInorganicMaterialThatLowersTheCoefficientofThermalExpansion(CTE)andReducesWarpage(包括降低热膨胀系数(CTE)并减小翘曲的无机材料的基板)”的美国临时申请No.61/829,928的优先权，其通过引用明确纳入于此。领域各种特征涉及包括降低热膨胀系数(CTE)并减小翘曲的无机材料的基板。背景基板通常由中央核心层以及在该中央核心层任一侧上的多个介电层制成。在核心层和介电层的表面上使用铜或其他导电材料来将信号从集成电路(IC)/管芯的有源组件路由到设备中的母板和其他组件。核心层包括固化介电层，其中金属(例如，铜)箔被粘接至该固化介电层(例如，树脂)的两侧上。堆积介电层往往被称为半固化(预浸渍)层或堆积环氧树脂，并且可在制造期间被层压或挤压在核心的顶上。图1解说了被耦合(...
【技术保护点】
一种基板，包括：第一核心层，所述第一核心层包括第一杨式模量；第二核心层，所述第二核心层在所述基板中与所述第一核心层横向定位；第一无机核心层，所述第一无机核心层横向位于所述第一核心层与所述第二核心层之间，所述第一无机核心层包括比所述第一杨式模量大的第二杨式模量；以及介电层，所述介电层覆盖所述第一核心层、所述第二核心层和所述第一无机核心层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.05.31 US 61/829,928;2013.08.14 US 13/967,1861.一种基板，包括：
第一核心层，所述第一核心层包括第一杨式模量；
第二核心层，所述第二核心层在所述基板中与所述第一核心层横向定位；
第一无机核心层，所述第一无机核心层横向位于所述第一核心层与所述第二
核心层之间，所述第一无机核心层包括比所述第一杨式模量大的第二杨式模量；以
及
介电层，所述介电层覆盖所述第一核心层、所述第二核心层和所述第一无机
核心层。
2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一无机核心层被配置成与
配置为耦合至所述基板的管芯垂直对齐。
3.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一无机核心层具有第一热
膨胀系数(CTE)，所述管芯具有第二热膨胀系数，并且所述第一核心层具有第三
热膨胀系数(CTE)，其中所述管芯的所述第二CTE与接近所述第一核心层的所
述第三CTE相比更加接近所述第一无机核心层的所述第一CTE。
4.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第二杨式模量为所述第一杨
式模量的至少1.35倍。
5.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一无机核心层是至少玻璃、
硅和/或陶瓷中的一者。
6.如权利要求1所述的基板，其特征在于，进一步包括横向位于所述第一核
心层与所述第二核心层之间的第二无机核心层，所述第一和第二无机核心层被配置
成与配置为耦合至所述基板的管芯垂直对齐。
7.如权利要求1所述的基板，其特征在于，进一步包括穿过所述第一无机核
心层的至少一个通孔。
8.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述管芯被配置成耦合到至少模
塑或较硬附加装置中的一者。
9.如权利要求1所述的基板，其特征在于，进一步包括堆积层。
10.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一
者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移
动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计
算机。
11.一种装置，包括：
第一核心层，所述第一核心层包括第一杨式模量；
第二核心层，所述第二核心层在所述装置中与所述第一核心层横向定位；
用于在管芯耦合至所述装置时减小翘曲的构件，所述构件横向位于所述第一
核心层与所述第二核心层之间，所述用于减小翘曲的构件包括比所述第一杨式模量
大的第二杨式模量；以及
介电层，所述介电层覆盖所述第一核心层、所述第二核心层和所述用于减小
翘曲的构件。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述用于减小翘曲的构件被
配置成与配置为耦合至所述装置的所述管芯垂直对齐。
13.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述用于减小翘曲的构件具
有第一热膨胀系数(CTE)，所述管芯具有第二热膨胀系数，并且所述第一核心层
具有第三热膨胀系数(CTE)，其中所述管芯的所述第二CTE与接近所述第一核
心层的所述第三CTE相比更加接近所述用于减小翘曲的构件的所述第一CTE。<...
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