本发明专利技术提供一种双模晶体振荡器，包括：AT切割晶体振动片、封装体以及集成电路。集成电路收容在封装体中，且集成电路具有：振荡电路，以MHz频带的频率使AT切割晶体振动片振荡；分频电路，将MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率；及选择电路，在输出32.768kHz的频率的状态下，对不输出MHz频带的频率的休止状态或输出MHz频带的频率的活动状态进行选择。并且，封装体形成有安装面，在安装面上，在长边延伸的方向上并排形成3个电极，且在短边延伸的方向上并排形成2个电极。输出32.768kHz频率的电极与输出MHz频带频率的电极以彼此不相邻的方式配置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有AT切割的晶体振动片的双I旲晶体振荡器。
技术介绍
目前，时钟用晶体振子使用的是音叉型晶体振子，输出32.768kHz的信号。然而，音叉型晶体振子存在其尺寸变大，且振动频率容易因温度变化而变化的问题。而且，存在有输出32.768kHz的信号的同时也想输出其他频率的情况。在所述情况下，需要再准备另一晶体振子并对各晶体振子分别配置2个电容器而形成电路，因此，需要2个晶体振子及4个电容器总计6个零件。为了消除如上所述的音叉型晶体振子的问题以及必须使用多个零件的问题，专利文献I中揭示一种仅使用I个晶体振子来振荡出2个频率的双模的晶体振荡器。专利文献I中揭示以下内容:在双模晶体振荡器中，由2个频率进一步形成时钟用信号的频率即32.768kHz ο现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2012-100150号公报专利技术所要解决的问题然而，如果输出包含时钟信号用频率在内的总计3个频率，则电气配线变得复杂，而且耗电变高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种双模晶体振荡器，输出包含时钟用信号(32.768kHz)在内的2个频率。第I观点的双模晶体振荡器包括:仅I个AT切割晶体振动片，在MHz频带内振动且经AT切割；封装体，收容AT切割晶体振动片，且形成有供安装的安装面，所述安装面为含有长边及短边的矩形形状；以及集成电路(Integrated Circuit, IC)，收容在封装体中，所述集成电路具有:振荡电路，以MHz频带的频率使AT切割晶体振动片振荡；分频电路(dividing circuit),将MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率；以及选择电路，在输出32.768kHz的频率的状态下，对不输出MHz频带的频率的休止状态或输出MHz频带的频率的活动状态进行选择；其中，在安装面上，在长边延伸的方向上并排形成3个电极，且在短边延伸的方向上并排形成2个电极，输出32.768kHz的频率的电极与输出MHz频带的频率的电极以在长边方向及短边方向彼此不相邻的方式配置。第2观点的双模晶体振荡器是在第I观点中，封装体在外侧面的四角部具有凹向封装体的内侧的齿形结构(castelIat1n),封装体在其内部的其中一短边上具有载置AT切割晶体振动片的一对载置部，输出MHz频带的频率的电极配置在另一短边侧，输出32.768kHz的频率的电极配置于在长边延伸的方向并排的3个电极中间。第3观点的双模晶体振荡器是在第2观点中，在分别与一对载置部距离最近的齿形结构中形成有一对频率检查电极，所述频率检查电极用于确认AT切割晶体振动片的频率。第4观点的双模晶体振荡器是在第2观点及第3观点中，接地的电极形成在输出MHz频带频率的电极的在短边延伸方向上的旁边，连接于电源的电极形成在其中一短边侧的角部，对休止状态及活动状态进行切换的电极形成在连接于电源的电极的在短边延伸方向上的旁边。专利技术的效果根据本专利技术的双模晶体振荡器，可输出包含时钟用信号(32.768kHz)在内的2个频率。【附图说明】图1是双模晶体振荡器100的分解立体图。图2是图1的A-A剖面图。图3(a)是IC 120的平面图。图3 (b)是封装体130的平面图。图3 (C)封装体130的第3层130c的平面图。图4是双模晶体振荡器100的电路图。图5是双模晶体振荡器200的剖面图。图6 (a)是IC 220的平面图。图6 (b)是从-Y’轴侧观察双模晶体振荡器200的图。符号的说明:100、200:双模晶体振荡器110:晶体振动片111:激振电极112:引出电极120、220:IC (Integrated Circuit)121:晶体端子122:电源端子123:切换端子124 =MHz频带输出端子125:接地端子126:32.768kHz 输出端子130、230:封装体130a、230a:第 I 层130b、230b:第 2 层130c,230c:第 3 层131、231a、231b:凹部132、232a:接合面133:载置部134、234:连接电极135、135a ?135f、235、235a ?235f:外部电极136、236:频率检查电极137,237:齿形结构138a ?138h、238a ?238h:电极l39a、239a:配线电极139b、239b、239c:贯通电极140:盖板151:密封材152:导电性粘接剂153:凸块171:振荡电路172:分频电路173:选择电路174a、174b:缓冲器232b:安装面261a:底面261b:顶面X、Y，、Z，:轴【具体实施方式】以下，根据附图对本专利技术的实施形态进行详细说明。此外，在以下的说明中，只要未特别记载对本专利技术进行限定的内容，则本专利技术的范围并不限定于这些形态。(第I实施形态)<双模晶体振荡器100的构成>图1是双模晶体振荡器100的分解立体图。双模晶体振荡器100是表面安装型的晶体振荡器，安装于印刷基板等来使用。双模晶体振荡器100主要由晶体振动片110、集成电路(Integrated Circuit, IC) 120、封装体(package) 130、以及盖板140形成。晶体振动片HO使用AT切割的晶体振动片。AT切割的晶体振动片的主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心，自Z轴朝Y轴方向倾斜35度15分。在以下的说明中，以AT切割的晶体振动片的轴方向为基准，使用倾斜的新轴作为Y’轴及V轴。S卩，在双模晶体振荡器100中，以双模晶体振荡器100的长度方向为X轴方向，以双模晶体振荡器100的高度方向为Y’轴方向，以与X轴方向及Y’轴方向垂直的方向为Z’轴方向进行说明。晶体振动片110中，在+Y’轴侧的面及-Y’轴侧的面上形成有激振电极111，自各激振电极111将引出电极112引出至晶体振动片110的-X轴侧的边。将自形成于+Y’轴侧的面的激振电极111引出的引出电极112向-X轴侧的+Z ’轴侧引出，经由+Z ’轴侧的侧面而引出至-Y’轴侧的面。将自形成于-Y’轴侧的面的激振电极111引出的引出电极112向-X轴侧的-V轴侧引出，经由-V轴侧的侧面而引出至+Y’轴侧的面。IC 120与晶体振动片110电性连接而形成电气回路。IC 120的-Y’轴侧的面上形成有多个端子，这些端子与晶体振动片110的引出电极112或形成于封装体130的外部电极135电性连接。封装体130中，长边形成在X轴方向，短边形成在Z’轴方向。而且，供双模晶体振荡器100安装的安装面，即，封装体130的-Y’轴侧的面上形成有外部电极135，+Y’轴侧的面上形成有接合于盖板140的接合面132、及自接合面132向-Y’轴方向凹下的凹部131。进而，凹部131中形成有载置晶体振动片110的载置部133，载置部133的+Y’轴侧的面上形成有连接电极134，所述连接电极134经由导电性粘接剂152(参照图2)与晶体振动片110的引出电极112电性连接。封装体130例如以陶瓷作为基材，通过将第I层130a、第2层130b、第3层130c这3个层重叠而形成。第I层130a配置于封装体130的+Y’轴侧，第I层130a的+Y’轴侧的面上形成有接合面132。第2层130b接合于第I层130本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双模晶体振荡器，其特征在于包括：仅1个AT切割晶体振动片，在MHz频带振动且经AT切割；封装体，收容所述AT切割晶体振动片，且形成有供安装的安装面，所述安装面为含有长边及短边的矩形形状；以及集成电路，收容在所述封装体中，所述集成电路具有：振荡电路，以所述MHz频带的频率使所述AT切割晶体振动片振荡；分频电路，将所述MHz频带的频率分频而生成32.768kHz的频率；以及选择电路，在输出所述32.768kHz的频率的状态下，对不输出所述MHz频带的频率的休止状态或输出所述MHz频带的频率的活动状态进行选择，其中，在所述安装面上，在所述长边延伸的方向上并排形成有3个电极，且在所述短边延伸的方向上并排形成有2个电极，输出所述32.768kHz的频率的电极与输出所述MHz频带的频率的电极以在所述长边方向及所述短边方向彼此不相邻的方式配置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈玟任，石丸千里，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。