一种复用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的某个方面涉及复用器(multiplexer)。
技术介绍
例如，在移动通信终端中，具有不同的频带的多个信号被输入到公共端子(terminal)中和/或从所述公共端子输出。在这种情况下，使用诸如双工器这样的复用器。日本专利申请公开N0.2013-62556公开了在将具有不同的通频带(pass band)的滤波器连接到公共端子时使用匹配(matching)电路。所述匹配电路控制反射系数，使得其频率与所述匹配电路的通频带不同的信号被输入到滤波器中。然而，所述匹配电路具有诸如电感器和/或电容器这样的组件。因此，复用器变得更大。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种复用器，该复用器包括:第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器(resonator)，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。【附图说明】图1例示了根据第一实施方式的复用器的框图；图2例示了梯形滤波器的示例的电路图；图3A例不了表面声波谐振器的平面图；图3B例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的示例；图3C例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的另一示例；图4A例示了压电薄膜谐振器的平面图；图4B例示了沿图4A的线A-A截取的横截面图；图5例示了多模式型(mult1-mode type)滤波器的示意平面图；图6例示了第一实施方式的第一修改实施方式的复用器的框图；图7例示了第一实施方式的第二修改实施方式的复用器的框图；图8例示了关于滤波器和谐振器的频率的衰减量的示意图；图9例示了根据第二实施方式的复用器的框图；图10例示了根据第二实施方式的第一修改实施方式的复用器的框图；图11例示了根据第二实施方式的第二修改实施方式的复用器的框图；图12例示了根据第三实施方式的复用器的框图；图13A至图13C例示了基板41的每个层的平面图；图14A至图14C例示了基板42的每个层的平面图；图15例示了基板44的平面图；图16例示了谐振器的通过特性(pass characteristics)；图17例示了频带(band) 4的发送滤波器和接收滤波器的通过特性；图18例示了频带4的发送滤波器和接收滤波器的通频带附近的通过特性；图19例示了频带2的发送滤波器和接收滤波器的通过特性；图20例示了频带2的发送滤波器和接收滤波器的通频带周围的通过特性；以及图21A和图21B分别例示了从第一比较例和第三实施方式的公共端子TO观看的指示谐振器30的反射特性Sll的史密斯图(smith chart)。【具体实施方式】将参照附图给出实施方式的描述。第一实施方式图1例示了根据第一实施方式的复用器的框图。复用器10具有芯片12和芯片14。芯片12和14安装在基板40上。基板40是封装基板或印刷基板，并且包括诸如树脂层这样的绝缘层或者具有单层或多层的陶瓷层。芯片12具有滤波器22和谐振器30。芯片14具有滤波器24。滤波器22连接在公共端子TO与第一端子Tl之间。滤波器24连接在公共端子TO与第二端子T2之间。此外，谐振器30连接在连接到滤波器22和24的公共节点NO与所述滤波器24之间。谐振器30经由在基板40上形成的互连线48连接到第二滤波器24。图2例示了梯形滤波器的示例的电路图。如图2中所例示，梯形滤波器Fl具有一个或更多个串联谐振器SI至S5和一个或更多个并联谐振器Pl至P4。串联谐振器SI至S5和并联谐振器Pl至P4是声波谐振器(诸如表面声波谐振器、界面(interface)声波谐振器、洛夫(love)波谐振器)或者压电薄膜谐振器。串联谐振器SI至S5串联连接在端子TOl与端子T02之间。并联谐振器Pl至P4并联连接在端子TOl与端子T02之间。可以根据期望的特性来任意改变串联谐振器和并联谐振器的数目以及串联谐振器与并联谐振器的连接关系中的至少一个。梯形滤波器Fl可以被用作滤波器22和滤波器24。图3A例示了表面声波谐振器的平面图。图3B例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的示例。图3C例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的另一示例。如图3A和图3B中所例示，在谐振器Rl中，金属膜62在压电基板60上形成。压电基板60是例如钽酸锂基板或铌酸锂基板。金属膜62是铝膜或铜膜。IDT (叉指(interdigital)换能器)64和反射器65由金属膜62制成。IDT 64激发声波。反射器65设置在IDT64的所述声波的传播方向的两侧并反射所述声波。可以根据期望的特性来任意改变IDT 64的电极指的对数N、所述电极指的节距(pitch) ρ、以及所述电极指的开口长度W、宽度。如图3A和图3B中所例示，在谐振器R2中，压电基板60粘附到支承基板61。支承基板61是例如蓝宝石基板。其它结构与谐振器Rl相同。因此，省略了这些结构的说明。谐振器Rl或R2可以被用作滤波器Fl的串联谐振器和并联谐振器。谐振器Rl和R2可以被用作谐振器30。给出了其中表面声波谐振器被用作谐振器Rl和R2的情况的描述。然而，谐振器Rl和R2可以是界面声波谐振器或洛夫波谐振器。图4A例示了压电薄膜谐振器的平面图。图4B例示了沿图4A的线A-A截取的横截面图。在谐振器R3中，下电极71、压电薄膜72和上电极73在基板70上形成。其中下电极71和上电极73夹持(sandwich)压电薄膜72并且彼此面对的区域是谐振区域75。在谐振区域75中在下电极71下方形成空隙74。可以使用声学反射镜(acoustic mirror)代替空隙74。基板70是半导体基板(诸如硅基板)或者玻璃基板或者绝缘基板。压电薄膜72是氮化铝膜或氧化锌膜。下电极71和上电极73是金属膜。谐振器R3可以被用作梯形滤波器Fl的串联谐振器和并联谐振器。谐振器R3可以被用作谐振器30。图5例示了多模式型滤波器的示意平面图。如图5中所例示，多模式型滤波器F2具有三个IDT 66和两个反射器68，所述三个IDT 66和所述两个反射器68在压电基板60上形成。IDT 66和反射器68在声波的传播方向上排列。中心的IDT 66连接在端子T03与地之间。左侧的IDT 66连接在端子T04与地之间。右侧的IDT 66连接在端子T05与地之间。IDT 66和反射器68的结构与谐振器Rl或R2的IDT 64和反射器65的结构相同。因此，省略了所述结构的说明。例如，端子T03是非平衡输入端子。端子T04和T05是平衡输出端子。可以根据期望当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种复用器，所述复用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：川内治，高桥直树，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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