【技术实现步骤摘要】
本技术涉及正弦信号产生电路，特别涉及一种晶体振荡器。
技术介绍
正弦信号是电子电路中应用最为广泛的信号，目前常用利用晶体振子来构成晶体振荡器。一般的晶体振荡器使用逻辑们和一个晶振组成，其具有很大的噪声，并对晶体有过激励的趋势，这将影响电路长期工作的稳定性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于一种晶体振荡器，以便降低噪声。为解决上述技术问题，本技术提供一种晶体振荡器，包括N沟道场效应管Tl和晶体振子XI，其中:N沟道场效应管Tl的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管Tl的栅极经电阻Rl接至地，N沟道场效应管Tl的源极经电阻R2接地；晶体振子Xl接于N沟道场效应管Tl的栅极与地之间；电容Cl与电容C2串联后接于N沟道场效应管Tl的栅极与地之间；电容Cl与电容C2的连接点与N沟道场效应管Tl的源极之间短接，并引出输出端子OUT。较优地，电容C3和电容C4并联后接入电源正端V+与地之间。与现有技术相比，本技术晶体振荡器器中，谐振电流通过电容Cl、C2作电容性反馈，就不会出现晶体过激励的问题。由于本晶体振荡器为输出正弦波，因此相位噪声较低。【附图说明】图1为本技术晶体振荡器的电路图。【具体实施方式】为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。参见图1，为本技术晶体振荡器的电路图。该晶体振荡器包括N沟道场效应管Tl和晶体振子Xl:电容C3和电容C4并联后接入电源正端V+与地之间；N沟道场效应管Tl的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管Tl的栅极经电阻Rl接至地，N沟道场效应管Tl的源极经电阻R2接地；晶...
【技术保护点】
一种晶体振荡器，其特征在于，包括N沟道场效应管T1和晶体振子X1，其中：N沟道场效应管T1的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管T1的栅极经电阻R1接至地，N沟道场效应管T1的源极经电阻R2接地；晶体振子X1接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2串联后接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2的连接点与N沟道场效应管T1的源极之间短接，并引出输出端子OUT。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周磊，
申请(专利权)人：衢州市沃思电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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