一种基于非隔离输出降压的低失真度振荡器系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于非隔离输出降压的低失真度振荡器系统，由线性驱动电路，选频电路，与线性驱动电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成，其特征在于：在正反馈电路与选频电路之间还设置有非隔离输出降压电路；所述非隔离输出降压电路由降压芯片U1，三极管VT5，三极管VT6，P极顺次经电阻R22、电阻R26后与降压芯片U1的VCC管脚相连接、N极与正反馈电路相连接的二极管D4等组成。本发明专利技术与现有技术相比增加了非隔离输出降压电路，降低了系统功耗，提升了效率，该电路具有高效的输出性能，有效的提升了振荡器系统的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子元件，具体是指一种基于非隔离输出降压的低失真度振荡器系统。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，振荡器作为产生重复电子讯号(通常是正弦波或方波)的电子元件应用越来越广泛。其种类很多，按振荡激励方式可分为自激振荡器、他激振荡器；按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器、音叉振荡器等；按输出波形可分为正弦波、方波、锯齿波等振荡器。目前广泛用于电子工业、医疗、科学研宄等方面。然而目前的振荡器在驱动时其信号容易失真，严重影响人们对信号的判定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决目前的振荡器在驱动时其信号容易失真，严重影响人们对信号判定的缺陷，提供一种基于非隔离输出降压的低失真度振荡器系统。本专利技术的目的通过下述技术方案现实:一种基于非隔离输出降压的低失真度振荡器系统，由线性驱动电路，选频电路，与线性驱动电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与选频电路相连接的缓冲电路，以及串接在正反馈电路与选频电路之间的非隔离输出降压电路组成。所述非隔离输出降压电路由降压芯片U1，三极管VT5，三极管VT6，P极顺次经电阻R22、电阻R26后与降压芯片Ul的VCC管脚相连接、N极与正反馈电路相连接的二极管D4，正极经电阻R20后与二极管D4的N极相连接、负极顺次经电阻R21、电阻R24、极性电容C9、电阻R23后与降压芯片Ul的CS管脚相连接的极性电容C7，P极顺次经极性电容C8、电阻R25后与电阻R22与电阻R26的连接点相连接、N极经极性电容C9与三极管VT5的集电极相连接的二极管D5，P极与三极管VT6的发射极相连接、N极与选频电路相连接的稳压二极管D8，N极顺次经电阻R28、电阻R27后与电阻R25与极性电容C8的连接点相连接、P极顺次经三极管VT5的集电极与极性电容C9的连接点、电阻R32后与稳压二极管D8的N极相连接的二极管D6，正极经电阻R31后与降压芯片Ul的FB管脚相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C11，P极与三极管VT5的发射极相连接、N极经电阻R29后与降压芯片Ul的GND管脚相连接后接地的二极管D7，以及一端与降压芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的可调电阻R30组成；所述三极管VT6的集电极接地、基极还与电阻R21与电阻R24的连接点相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极作为信号输入端、负极经电阻R13后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C4，一端与三极管VTl的集电极相连接、另一端经电阻R15后与三极管VT3的基极相连接的电阻R14，正极与三极管VTl的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C6，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C5，一端与三极管VTl的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R17，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R16，N极与三极管VTl的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D3，正相端与三极管VTl的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R18后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R19，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R18和电阻R19的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚同时与三极管VTl的基极以及外部电源相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接，三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D2的N极与信号放大电路相连接。所述的信号放大电路由放大器P1，一端与正反馈电路相连接、另一端经电阻Rl后与放大器Pl的反相输入端相连接的电阻R2，一端与放大器Pl的正相输入端相连接、另一端接地的电阻R3，以及串接在放大器Pl的反相输入端和输出端之间的电阻R4组成；所述放大器Pl的输出端与正反馈电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与二极管D2的N极相连接。所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R5，电阻R6，二极管Dl组成；场效应管Ql的漏极经电阻R5后与放大器Pl的输出端相连接、其源极则同时与电阻R2和选频电路相连接、栅极经电阻R6后接地，二极管Dl的P极与场效应管Ql的栅极相连接、其N极则与二极管D4的N极相连接。所述的选频电路包括放大器P2，电容Cl，电阻R7 ;放大器P2的输出端经电阻R7后同时与二极管Dl的N极和缓冲电路相连接、其正相输入端接地、反相输入端与场效应管Ql的源极相连接，电容Cl则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。所述的缓冲电路由变压器T，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C3，与电容C3相并联的电阻R10，一端与电容C3的正极相连接、另一端经电阻R12后与变压器T原边的同名端相连接的电阻R11，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C2后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R8，一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R8和电容C2的连接点相连接的电阻R9组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还与稳压二极管D8的N极相连接、其漏极与变压器T原边非同名端相连接，变压器T副边同名端接地，电阻R8和电容C2的连接点接地。为确保使用效果，所述的驱动芯片U为LM387集成芯片，所述降压芯片Ul为AP3766集成芯片。本专利技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果:1、本专利技术设置了非隔离输出降压电路，降低了系统功耗，提升了效率，该电路具有高效的输出性能，有效的提升了振荡器系统的稳定性。2、本专利技术与现有技术相比增加了线性驱动电路，其可以平滑的驱动振荡器，避免处理后的信号失真。3、本专利技术的缓冲电路，其可以有效的防止系统中的负载效应以及因负载变化而产生的频率漂移现像，从而实现振荡电路的低失真度。4、本专利技术采用LM387芯片作为驱动芯片，其灵敏度高、价格便宜。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术线性驱动电路的结构示意图。图3为本专利技术非隔离输出降压电路的结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术由线性驱动电路，选频电路，与线性驱动电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与选频电路相连接的缓冲电路，以及串接在正反馈电路与选频电路之间的非隔离输出降压电路组成。所述非隔离输出降压电路如图3所示，由降压芯片U1，三极管VT5，三极管VT6，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，电阻R28，电阻R29，电阻R30，电阻R31，电阻R32，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，极性电容C10，极性电容Cl I，二极管D4，二极管D5，二极管D6，二极管D7，以及二极管D8组成。连接时，二极管D4的P极顺次经电阻R22、电阻R26后与降压芯片Ul的VCC管脚相连接、N极与正反馈电路相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于非隔离输出降压的低失真度振荡器系统，由线性驱动电路，选频电路，与线性驱动电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路组成，其特征在于：在正反馈电路与选频电路之间还设置有非隔离输出降压电路；所述非隔离输出降压电路由降压芯片U1，三极管VT5，三极管VT6，P极顺次经电阻R22、电阻R26后与降压芯片U1的VCC管脚相连接、N极与正反馈电路相连接的二极管D4，正极经电阻R20后与二极管D4的N极相连接、负极顺次经电阻R21、电阻R24、极性电容C9、电阻R23后与降压芯片U1的CS管脚相连接的极性电容C7，P极顺次经极性电容C8、电阻R25后与电阻R22与电阻R26的连接点相连接、N极经极性电容C9与三极管VT5的集电极相连接的二极管D5，P极与三极管VT6的发射极相连接、N极与选频电路相连接的稳压二极管D8，N极顺次经电阻R28、电阻R27后与电阻R25与极性电容C8的连接点相连接、P极顺次经三极管VT5的集电极与极性电容C9的连接点、电阻R32后与稳压二极管D8的N极相连接的二极管D6，正极经电阻R31后与降压芯片U1的FB管脚相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C11，P极与三极管VT5的发射极相连接、N极经电阻R29后与降压芯片U1的GND管脚相连接后接地的二极管D7，以及一端与降压芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的可调电阻R30组成；所述三极管VT6的集电极接地、基极还与电阻R21与电阻R24的连接点相连接；所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极作为信号输入端、负极经电阻R13后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C4，一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端经电阻R15后与三极管VT3的基极相连接的电阻R14，正极与三极管VT1的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C6，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C5，一端与三极管VT1的发射极相连接、另一端与三极管VT2的基极相连接的电阻R17，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R16，N极与三极管VT1的集电极相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D3，正相端与三极管VT1的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R18后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R19，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R18和电阻R19的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚同时与三极管VT1的基极以及外部电源相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT2的集电极相连接，三极管VT2的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管家VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极接地，二极管D2的N极与信号放大电路相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51