本实用新型专利技术公开了一种毫米波下变频模块，包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。本实用新型专利技术采用高选择性高通滤波器，且有两种工作模式可选，再加上采用分段一次变频的方式，解决了传统的毫米波变频模块体积大、功耗大的问题。本实用新型专利技术具有体积小、功耗小、镜频抑制高、中频抑制高等优点。解决了传统的毫米波下变频模块体积大、功耗大，从而影响在小体积的接收机的应用方面的难题。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种毫米波下变频模块。
技术介绍
考虑到杂散等因素，毫米波下变频模块一般采用是固定输出中频的方式，这样带来的弊端就是频率源部分实现非常复杂，前置预选滤波器和混频后的选频滤波器很复杂，这样在体积和功耗方面就大打折扣，往往都是很大的体积和非常大的功耗，这在小体积的接收机的应用方面很受限制。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种毫米波下变频模块，解决了传统毫米波下变频模块中，在频率源部分实现非常复杂，前置预选滤波器和混频后的选频滤波器复杂，且体积大、功耗高等技术问题。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:毫米波下变频模块，它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。所述低噪声放大单元包括依次连接的低噪声放大器B和低噪声放大器C。所述低频信道包括依次连接的低通滤波器A、混频器A、低通滤波器E、低噪声放大器E和低通滤波器D。所述高频信道包括依次连接的高通滤波器B、混频器B、低通滤波器B、低噪声放大器D和低通滤波器C。所述高通滤波器A包括JDWHF180400H2200芯片，低噪声放大器A包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器B包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器C包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器F包括HMC462芯片，射频开关A、射频开关B、射频开关C和射频开关D包括AMMC-2008芯片，低通滤波器F包括LPF-1900芯片。所述低通滤波器A包括LPF-2600芯片，混频器A包括HMC773芯片，低通滤波器E包括LPF-1900芯片，低噪声放大器E包括HMC462芯片，低通滤波器D包括LPF-1900芯片。所述高通滤波器B包括JDWHF250400H1500芯片，混频器B包括HMC560芯片，低通滤波器B包括LPF-1100芯片，低噪声放大器D包括HMC462芯片，低通滤波器C包括LPF-1100 芯片。本技术的有益效果是:本技术采用高选择性高通滤波器，且有两种工作模式可选，再加上采用分段一次变频的方式，频率源为两个可切换的点频源，解决了传统的毫米波变频模块体积大、功耗大的问题。本技术具有体积小、功耗小、镜频抑制高、中频抑制高等优点。解决了传统的毫米波下变频模块体积大、功耗大，从而影响在小体积的接收机的应用方面的难题。【附图说明】图1为本技术毫米波下变频模块的结构框图。【具体实施方式】下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，毫米波下变频模块，它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。所述低噪声放大单元包括依次连接的低噪声放大器B和低噪声放大器C。所述低频信道包括依次连接的低通滤波器A、混频器A、低通滤波器E、低噪声放大器E和低通滤波器D。所述高频信道包括依次连接的高通滤波器B、混频器B、低通滤波器B、低噪声放大器D和低通滤波器C。所述高通滤波器A包括JDWHF180400H2200芯片，低噪声放大器A包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器B包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器C包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器F包括HMC462芯片，射频开关A、射频开关B、射频开关C和射频开关D包括AMMC-2008芯片，低通滤波器F包括LPF-1900芯片。所述低通滤波器A包括LPF-2600芯片，混频器A包括HMC773芯片，低通滤波器E包括LPF-1900芯片，低噪声放大器E包括HMC462芯片，低通滤波器D包括LPF-1900芯片。所述高通滤波器B包括JDWHF250400H1500芯片，混频器B包括HMC560芯片，低通滤波器B包括LPF-1100芯片，低噪声放大器D包括HMC462芯片，低通滤波器C包括LPF-1100 芯片。本技术的毫米波下变频模块，输入18?40GHz的信号经高通滤波器A(JDWHF180400H2200)的输出端连接低噪声放大器A (HMC-ALH445)的输入端，射频开关A (AMMC-2008)的第一输出端顺次串接低噪声放大器B (HMC-ALH445)、低噪声放大器C(HMC-ALH445 )、射频开关 B (AMMC-2008 )、射频开关 C (AMMC-2008 )。其中，18?25GHz的低频信号经射频开关C(AMMC_2008)的第一输出端顺次串接低通滤波器A(LPF-2600)、混频器A(HMC773)，混频器A(HMC773)的IF端口产生的3?1GHz信号经低通滤波器E (LPF-1900)、低噪声放大器E (HMC462)、低通滤波器D (LPF-1900)、射频开关D (AMMC-2008)、低噪声放大器F (HMC462)，最后信号经低通滤波器F (LPF-1900)的输出端口输出。其中，25?40GHz的高频信号经射频开关C的第二输出端顺次串接低通滤波器B(LPF-1100)、混频器B (HMC560)，混频器B (HMC560)的IF端口产生的3?18GHz信号经低通滤波器B (LPF-1100)、低噪声放大器D (HMC462)、低通滤波器C (LPF-1100)、射频开关D(AMMC-2008)、低噪声放大器F (HMC462)，最后信号经低通滤波器F (LPF-1900)的输出端口输出3?18GHz的信号。混频器A的频率源可为15GHz、+13dBm，混频器B的频率源可为22GHz、+13dBm。本技术采用高选择性高通滤波器，且有两种工作模式可选，再加上采用分段一次变频的方式，频率源为两个可切换的点频源，解决了传统的毫米波变频模块体积大、功耗大的问题。本技术具有体积小、功耗小、镜频抑制高、中频抑制高等优点。解决了传统的毫米波下变频模块体积大、功耗大，从而影响在小体积的接收机的应用方面的难题。【主权项】1.毫米波下变频模块，其特征在于:它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。2.根据权利要求1所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述低噪声放大单元包括依次连接的低噪声放大器B和低噪声放大器C。3.根据权利要求1所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述低频信道包括依次连接的低通滤波器A、混频器A、低通滤波器E、低噪声放大器E和低通滤波器D。4.根据权利要求3所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述高频信道包括依次连接的高通滤波器B、混频器B、低通滤波器B、低噪声放大器D和低通滤波器C。5.根据权利要求1所述的毫米波下变频模块，其本文档来自技高网...
【技术保护点】
毫米波下变频模块，其特征在于：它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋德龙，赵天新，王文军，
申请(专利权)人：成都九洲迪飞科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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