含有被芳族间隔基隔开的DBT和DBF片段的基于3,9-联接的低聚咔唑的新型主体制造技术

技术编号:12614024 阅读:94 留言:0更新日期:2015-12-30 12:21
本申请涉及含有被芳族间隔基隔开的DBT和DBF片段的基于3,9-联接的低聚咔唑的新型主体。提供了包含3,9-联接的低聚咔唑部分和二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃或氮杂-二苯并硒吩的化合物。所述3,9-联接的低聚咔唑和二苯并或氮杂-二苯并部分被芳族间隔基隔开。所述化合物可以用作磷光OLED的非发光材料以提供具有改进性能的设计。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】含有被芳族间隔基隔开的DBT和DBF片段的基于3, 9-联接 的低聚巧畦的新型主体 本专利申请是优先权日为2010年10月8日、专利技术名称为"含有被芳族间隔基隔 开的DBT和DBF片段的基于3, 9-联接的低聚巧挫的新型主体"的中国专利技术专利申请第 201180048583.X号(国际专利申请号为PCT/US2011/055438)的分案申请。 相关申请的交叉引用 本申请要求于2010年10月8日提交的美国申请12/900,925的优先权,通过引用 将该申请的公开内容整体直接并入本文。 要求保护的专利技术由联合的大学-公司研究协议的一个或多个下列参与方做出,代 表其做出,和/或与其相关地做出:密歇根大学董事会、普林斯顿大学、南加利福尼亚大学 和通用显示公司。该协议在要求保护的专利技术的做出之日或其之前有效,并且要求保护的发 明作为在该协议范围内进行的活动的结果而做出。
本专利技术设及有机发光器件(0LED)。更具体地,本专利技术设及含有3, 9-联接的低聚巧 挫和二苯并嚷吩或二苯并巧喃的憐光材料。运些材料可W提供具有改进性能的器件。
技术介绍
由于很多原因,利用有机材料的光电器件变得越来越受欢迎。用于制备运样的器 件的很多材料比较廉价,因此有机光电器件在相对于无机器件的成本优势方面具有潜力。 此外,有机材料的固有特性,例如它们的柔性,可W使得它们良好地适用于特定应用,例如 在柔性基材上制造。有机光电器件的实例包括有机发光器件(0LED)、有机光电晶体管、有机 光伏电池和有机光电探测器。对于0L邸,有机材料可W具有优于常规材料的性能。例如,有 机发光层发射光的波长通常可W容易地用合适的渗杂剂进行调节。 0L邸利用当跨器件施加电压时发光的有机薄膜。0L邸正在成为用于诸如平板 显示、照明和背光应用中的越来越有利的技术。多种0L邸材料和构造记载于美国专利 No. 5, 844, 363、6, 303, 238和5, 707, 745中,它们全部通过引用纳入本文。 发憐光分子的一种应用是全色显示器。运样的显示器的工业标准要求适于发射称 为"饱和"色彩的特定色彩的像素。特别地,运些标准要求饱和的红、绿和蓝色像素。色彩 可W使用CIE坐标来度量,该CIE坐标是现有技术中公知的。 绿色发光分子的一个实例为=(2-苯基化晚)银,表示为Ir(ppy) 3,其具有W下结 构: 在此处W及后面的图中,我们将从氮到金属(此处为Ir)的配位键表示为直线。 本文中使用的术语"有机"包括可W用于制备有机光电器件的聚合物材料和小分 子有机材料。"小分子"指的是非聚合物的任何有机材料,并且"小分子"实际上可W相当大。 在某些情况下小分子可W包含重复单元。例如,使用长链烷基作为取代基并不会将该分子 排除在"小分子"类别之外。小分子也可W纳入聚合物中,例如作为聚合物主链的侧基或者 作为主链的一部分。小分子也可W充当树枝状化合物的核屯、结构部分,该化合物包括一系 列构建在核屯、结构部分上的化学壳。树枝状化合物的核屯、结构部分可W是巧光或憐光小分 子发光体。树枝状化合物可W是"小分子",并且据认为目前在0L邸领域使用的所有树枝状 化合物都是小分子。 本文中使用的"顶部"指的是离基材最远,而"底部"指的是离基材最近。在将第 一层描述为"位于第二层上方"的情况下,第一层距离基材更远。在第一层和第二层之间可 W存在其它层,除非明确指出第一层与第二层"接触"。例如,可W将阴极描述为"位于阳极 上方",即使其间存在多种有机层。 本文中使用的"可溶液处理"指的是能够W溶液或悬浮液形式在液体介质中溶解、 分散或输送和/或从液体介质中沉积。 当认为配体直接有助于发光材料的光活性性质时,可W将该配体称为"光活性" 的。当认为配体不有助于发光材料的光活性性质时,可W将该配体称为"辅助"的,尽管辅 助配体可W改变光活性配体的性质。 如本文中所使用,并且如本领域技术人员通常所理解,第一"最高已占分子轨 道"(HOMO)或"最低未占分子轨道"(LUM0)能级"大于"或"高于"第二HOMO或LUM0能级, 如果该第一能级更接近于真空能级。由于电离势(I巧作为相对于真空能级的负能量进行 测量,因此更高的HOMO能级对应于具有更小的绝对值的IP(负性较低的IP)。类似地,更高 的LUM0能级对应于具有更小的绝对值的电子亲和性(EA)(负性较低的EA)。在常规的能级 图上,真空能级位于顶部,材料的LUM0能级高于相同材料的HOMO能级。与"较低"的HOMO 或LUM0能级相比,"较高"的HOMO或LUM0能级显得更接近该图的顶部。 如本文中所使用,并且如本领域技术人员通常所理解,第一功函数"大于"或"高 于"第二功函数,如果该第一功函数具有更高的绝对值。因为功函数通常作为相对于真空能 级的负数进行测量,运意味着"更高"的功函数更负。在常规的能级图上,真空能级位于顶 部,"较高"的功函数表示为沿向下的方向更远离真空能级。因而,HOMO和LUM0能级的定义 采用与功函数不同的惯例。 关于0LEDW及上述定义的更多细节,可W参见美国专利No. 7, 279, 704,其全部公 开内容通过引用纳入本文。
技术实现思路
提供了包含3, 9-联接的低聚巧挫和二苯并或氮杂-二苯并部分(moiety)的化合 物。所述化合物具有下式: n为1-20。优选地,n为1、2或3。最优选地,n为1。R'i、R'2、R'3和R' 4中的每一 个独立地代表单、双、=或四取代。R'i、R'2、R'3和R'4独立地选自于由氨、気、烷基、烷氧基、 氨基、締基、烘基、芳烷基(曰巧化71)、芳基和杂芳基构成的组。R。和Rb独立地代表单、双、S 或四取代。R。和Rb独立地选自于由氨、気、烷基、烷氧基、氨基、締基、烘基、芳烷基、芳基和 杂芳基构成的组。X为进一步由R。取代的芳基或杂芳基联接基。Y为进一步由Rb取代的二 苯并嚷吩、二苯并巧喃、二苯并砸吩、氮杂-二苯并嚷吩、氮杂-二苯并巧喃、或氮杂-二苯 并砸吩。优选地,Y为2-二苯并嚷吩基、4-二苯并嚷吩基、2-二苯并巧喃基、或4-二苯并 巧喃基。 在一个方面,X为A、B、C和D独立地选自于由W下构成 的组: A、B、C和D任选地进一步由Ra取代。P、q、r和S中的每一个为0、1、2、3或4。 p+q甘+S至少为1。 提供了化合物的具体实例。在一个方面,所述化合物选自于由化合物1-化合物83 构成的组。 还提供了有机发光器件。所述器件包括阳极、阴极、和设置在所述阳极与阴极之间 的第一有机层。所述有机层包含具有下式的化合物:[002引 n为1-20。优选地,n为1、2或3。最优选地,n为1。R'i、R'2、R'3和R' 4中的每一 个独立地代表单、双、=或四取代。R'i、R'2、R'3和R'4独立地选自于由氨、気、烷基、烷氧基、 氨基、締基、烘基、芳烷基(ary化yl)、芳基和杂芳基构成的组。R。和Rb独立地代表单、双、S 或四取代。R。和Rb独立地选自于由氨、気、烷基、烷氧基、氨基、締基、烘基、芳烷基、芳基和 杂芳基构成的组。X为进一步由R。取代的芳基或杂芳基联接基。Y为进一步由Rb取代的二 苯并嚷吩、二苯并巧喃、二苯并砸吩、氮杂-二苯并嚷吩、氮杂-二苯并巧本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种化合物,具有下式:其中,n为1‑20;其中,R'1、R'2、R'3和R'4为氢;其中,Ra是氢或芳基;其中,Rb是氢;其中,X为其中,A、B、C和D独立地选自于由以下构成的组:其中,A、B、C和D任选地进一步由Ra取代;其中,p、q、r和s中的每一个为0、1、2、3或4;以及其中,p+q+r+s至少为1;以及其中,Y为进一步由Rb取代的二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、氮杂‑二苯并噻吩、氮杂‑二苯并呋喃、或氮杂‑二苯并硒吩。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:A·大金
申请(专利权)人:通用显示公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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