本实用新型专利技术涉及一种封装的三相全桥式整流模块，包括铜基板、DCB板、二极管芯片、电极和塑料壳体组成，铜基板位于模块底部，DCB板焊接与铜基板上方，DCB板具有覆铜区域，二极管芯片焊接在DCB板的覆铜区域，并通过纯铜连接片连接组成完整的三相桥电路，塑料壳体套在上述完整的三相桥电路上，电极为引出端，其焊接在DCB板上，电极具有并排设置的两列电极片组，一列电极片组由三片结构相同的电极片组成，另一列电极片组由相互配合的电极片组件Ⅰ和电极片组件Ⅱ构成，电极片组件Ⅰ包括底座和位于底座一端的一片电极片，电极片组件Ⅱ包括与上述底座相配合的底座块以及位于底座块上的两片电极片。本实用新型专利技术合理布局电极位置，方便在一些终端设备上使用。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种封装的三相全桥式整流模块，主要适用于三相电源的初级全桥整流。
技术介绍
三相全桥式整流模块主要用于三相电源的初级全桥整流，在中小型功率的直流电源和变频设备中使用相当广泛。但是，目前，市场上封装的三相全桥式整流模块体积普遍较大，使用时所占用的空间较大，而且通常模块的功能端都是直接由电极通过紧固件引出，电极的设置不合理，这样在一些终端设备上使用不方便。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:基于上述问题，提供一种封装的三相全桥式整流模块。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种封装的三相全桥式整流模块，包括铜基板、DCB板、二极管芯片、电极和塑料壳体组成，所述铜基板位于模块底部，所述DCB板焊接与铜基板上方，DCB板具有覆铜区域，所述二极管芯片焊接在DCB板的覆铜区域，并通过纯铜连接片连接组成完整的三相桥电路，所述塑料壳体套在上述完整的三相桥电路上，所述电极为引出端，其焊接在DCB板上，所述电极具有并排设置的两列电极片组，一列电极片组由三片结构相同的电极片组成，另一列电极片组由相互配合的电极片组件I和电极片组件II构成，电极片组件I包括底座和位于底座一端的一片电极片，电极片组件II包括与上述底座相配合的底座块以及位于底座块上的两片电极片。进一步地，所述铜基板为T2纯铜所制。铜基板为T2纯铜所制，确保模块高效的散热。更进一步地，所述铜基板上设有椭圆形安装孔。铜基板上设有椭圆形安装孔，便于安装。进一步地，所述DCB板为覆铜陶瓷板。DCB板为覆铜陶瓷板，上面电路图案布局合理。进一步地，所述电极为T2纯铜连接器。电极为T2纯铜连接器，确保模块高效的导电性。进一步地，所述塑料壳体采用阻燃高强度的PBT材质。塑料壳体采用阻燃高强度的PBT材质，与铜基板和电极装配关系精准。本技术的有益效果是:本技术合理布局电极位置，方便在一些终端设备上使用，本模块广泛适用于中小功率直流电源和变频等设备。【附图说明】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的结构示意图。图中:1.铜基板，2.DCB板，3.二极管芯片，4.电极，5.塑料壳体，6.纯铜连接片，7.椭圆形安装孔，41.电极片，42.电极片组件I，43.电极片组件II，421.底座，431.底座块。【具体实施方式】现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1所示，一种封装的三相全桥式整流模块，包括铜基板1、DCB板2、二极管芯片3、电极4和塑料壳体5组成，铜基板I位于模块底部，DCB板2焊接与铜基板I上方，DCB板2具有覆铜区域，二极管芯片3焊接在DCB板2的覆铜区域，并通过纯铜连接片6连接组成完整的三相桥电路，塑料壳体5套在上述完整的三相桥电路上，电极4为引出端，其焊接在DCB板2上，电极4具有并排设置的两列电极片组，一列电极片组由三片结构相同的电极片41组成，另一列电极片组相互配合的电极片组件I 42和电极片组件II 43构成，电极片组件I 42包括底座421和位于底座421 —端的一片电极片，电极片组件II 43包括与上述底座421相配合的底座块431以及位于底座块431上的两片电极片。其中，铜基板I为T2纯铜所制，铜基板I上设有椭圆形安装孔7，DCB板2为覆铜陶瓷板，电极4为T2纯铜连接器，塑料壳体5采用阻燃高强度的PBT材质。以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。【主权项】1.一种封装的三相全桥式整流模块，包括铜基板⑴、DCB板(2)、二极管芯片(3)、电极(4)和塑料壳体(5)组成，所述铜基板(I)位于模块底部，所述DCB板(2)焊接与铜基板(I)上方，DCB板⑵具有覆铜区域，其特征在于:所述二极管芯片(3)焊接在DCB板⑵的覆铜区域，并通过纯铜连接片(6)连接组成完整的三相桥电路，所述塑料壳体(5)套在上述完整的三相桥电路上，所述电极⑷为引出端，其焊接在DCB板⑵上，所述电极⑷具有并排设置的两列电极片组，一列电极片组由三片结构相同的电极片(41)组成，另一列电极片组由相互配合的电极片组件I (42)和电极片组件II (43)构成，电极片组件I (42)包括底座(421)和位于底座(421) —端的一片电极片，电极片组件II (43)包括与上述底座(421)相配合的底座块(431)以及位于底座块(431)上的两片电极片。2.根据权利要求1所述的封装的三相全桥式整流模块，其特征在于:所述铜基板(I)为T2纯铜所制。3.根据权利要求1或2所述的封装的三相全桥式整流模块，其特征在于:所述铜基板(I)上设有椭圆形安装孔(7)。4.根据权利要求1所述的封装的三相全桥式整流模块，其特征在于:所述DCB板(2)为覆铜陶瓷板。5.根据权利要求1所述的封装的三相全桥式整流模块，其特征在于:所述电极(4)为T2纯铜连接器。6.根据权利要求1所述的封装的三相全桥式整流模块，其特征在于:所述塑料壳体(5)采用阻燃高强度的PBT材质。【专利摘要】本技术涉及一种封装的三相全桥式整流模块，包括铜基板、DCB板、二极管芯片、电极和塑料壳体组成，铜基板位于模块底部，DCB板焊接与铜基板上方，DCB板具有覆铜区域，二极管芯片焊接在DCB板的覆铜区域，并通过纯铜连接片连接组成完整的三相桥电路，塑料壳体套在上述完整的三相桥电路上，电极为引出端，其焊接在DCB板上，电极具有并排设置的两列电极片组，一列电极片组由三片结构相同的电极片组成，另一列电极片组由相互配合的电极片组件Ⅰ和电极片组件Ⅱ构成，电极片组件Ⅰ包括底座和位于底座一端的一片电极片，电极片组件Ⅱ包括与上述底座相配合的底座块以及位于底座块上的两片电极片。本技术合理布局电极位置，方便在一些终端设备上使用。【IPC分类】H02M7/00【公开号】CN204886720【申请号】CN201520651763【专利技术人】沈富德 【申请人】江苏矽莱克电子科技有限公司【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年8月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种封装的三相全桥式整流模块，包括铜基板(1)、DCB板(2)、二极管芯片(3)、电极(4)和塑料壳体(5)组成，所述铜基板(1)位于模块底部，所述DCB板(2)焊接与铜基板(1)上方，DCB板(2)具有覆铜区域，其特征在于：所述二极管芯片(3)焊接在DCB板(2)的覆铜区域，并通过纯铜连接片(6)连接组成完整的三相桥电路，所述塑料壳体(5)套在上述完整的三相桥电路上，所述电极(4)为引出端，其焊接在DCB板(2)上，所述电极(4)具有并排设置的两列电极片组，一列电极片组由三片结构相同的电极片(41)组成，另一列电极片组由相互配合的电极片组件Ⅰ(42)和电极片组件Ⅱ(43)构成，电极片组件Ⅰ(42)包括底座(421)和位于底座(421)一端的一片电极片，电极片组件Ⅱ(43)包括与上述底座(421)相配合的底座块(431)以及位于底座块(431)上的两片电极片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈富德，
申请(专利权)人：江苏矽莱克电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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