阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有技术中阵列基板的挡光层和有源层分别图形化产生工艺复杂、成本较高的问题。本发明专利技术的阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，由于采用同一掩膜板将阵列基板的挡光层和有源层进行图形化，节省了掩膜板的数量、节省了一步构图工艺、降低了成本；同时无需考虑构图工艺过程中的对齐问题，降低对设备的要求和控制精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置。
技术介绍
显示装置中的阵列基板一般包括多晶硅作为有源层形成的薄膜晶体管，背光源或者环境光中的高能光的照射到多晶硅有源层的沟道区，会引起电子跃迀等现象，从而影响薄膜晶体管的稳定性。—般在背光源或环境光与有源层之间设置挡光层，为了使挡光层最大限度的保护有源层的沟道区，一般将挡光层的尺寸设计的大于或等于有源层的尺寸，并在光的入射方向上挡光层和有源层进行对齐设置。—般制备挡光层时，使用挡光层掩膜板进行曝光、然后进行显影、刻蚀等图形化处理；在制备有源层时采用有源层掩膜板进行曝光、然后进行显影、刻蚀等图形化处理；也就是说挡光层和有源层分别采用各自的掩膜板，分别图形化，这样制备过程中必须使用两个掩膜板，两次构图工艺，制备工艺复杂、制备成本较高；同时，挡光层和有源层分别制备还涉及制备过程中的图案对齐的问题，对对齐的精度要求比较高，相应的对设备和控制要求比较高，导致成本较高、控制复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术中阵列基板的挡光层和有源层分别图形化产生工艺复杂、成本较高的问题。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤:采用同一掩膜板形成间隔布置的非晶硅层和多晶硅层的图形的步骤。优选的，所述采用同一掩膜板形成间隔布置的非晶硅层和多晶硅层的图形的步骤包括:在所述多晶硅层上形成光刻胶，并采用掩膜板进行曝光、显影；对所述多晶硅层和非晶硅层进行第一次刻蚀形成非晶硅的图形；对光刻胶进行灰化处理的步骤，使光刻胶形成与多晶硅图形对应的图形；对多晶硅层进行第二次刻蚀形成多晶硅的图形。优选的，所述采用同一掩膜板形成间隔布置的非晶硅层和多晶硅层的图形的步骤包括:在所述多晶硅层上形成光刻胶，并采用半透掩膜板进行曝光、显影，使所述光刻胶形成中心区域厚度大于边缘区域的图形，其中，所述光刻胶的图形与所述非晶硅层的图形相对应，所述中心区域的图形与所述多晶硅层的图形相对应；对所述多晶硅层和非晶硅层进行刻蚀形成非晶硅层和多晶硅层的图形。优选的，在采用同一掩膜板形成间隔布置的非晶硅层和多晶硅层的图形的步骤之前还包括:在衬底上依次沉积第一缓冲层、第一非晶硅层、第二缓冲层、第二非晶硅层的步骤；将第二非晶硅层转化为多晶硅层的步骤；所述将第二非晶硅层转化为多晶硅层的步骤包括:对第二非晶硅层进行脱氢处理的步骤和准分子激光处理的步骤。本专利技术的另一个目的还包括提供一种阵列基板，所述阵列基板是采用上述的阵列基板的制备方法制备的。本专利技术的另一个目的还包括提供一种显示面板，所述显示面+包括上述的阵列基板。本专利技术的另一个目的还包括提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。本专利技术的阵列基板的制备方法，阵列基板、显示面板、显示装置，由于采用同一掩膜板将阵列基板的挡光层和有源层进行图形化，节省了掩膜板的数量、节省了一步构图工艺、降低了成本；同时无需考虑构图工艺过程中的对齐问题，降低对设备的要求和控制精度。【附图说明】图1为本专利技术实施例1或实施例2中沉积了第一缓冲层、第一非晶硅层、第二缓冲层、第二非晶硅层的阵列基板的结构示意图。图2为本专利技术实施例1或实施例2中对第二非晶硅层进行脱氢处理和准分子激光处理后的阵列基板的结构示意图。图3为本专利技术实施例1中采用掩膜板曝光、显影后的阵列基板的结构示意图。图4为本专利技术实施例1中进行第一次刻蚀后阵列基板的结构示意图。图5为本专利技术实施例1中对光刻胶进行灰化处理后阵列基板的结构示意图。图6为本专利技术实施例1中进行第二次刻蚀后阵列基板的结构示意图。图7为本专利技术实施例1中进行第二次刻蚀剥离光刻胶后阵列基板的结构示意图。图8为本专利技术实施例2中采用半透掩膜板进行曝光、显影后阵列基板的结构示意图。图9为本专利技术实施例2中进行刻蚀后阵列基板的结构示意图。图10为本专利技术实施例2中剥离光刻胶后阵列基板的结构示意图。其中:1.衬底；2.第一缓冲层；3.第一非晶硅层；4.第二缓冲层；5.第二非晶硅层；51.多晶硅层；6.光刻胶。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1如图1所示，本实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤:采用同一掩膜板形成间隔布置的非晶硅层和多晶硅层的图形的步骤。本实施例中的阵列基板的制备方法，由于采用同一掩膜板将阵列基板的挡光层和有源层进行图形化，节省了掩膜板的数量、节省了一步构图工艺、降低了成本；同时无需考虑构图工艺过程中的对齐问题，降低对设备的要求和控制精度。具体地，可以采用如下步骤进行阵列基板的制备:S1:在衬底上依次沉积第一缓冲层、第一非晶硅层、第二缓冲层、第二非晶硅层的步骤；如图1所示，在衬底I上依次沉积第一缓冲层2、第一非晶硅层3、第二缓冲层4、第二非晶硅层5，应当理解的是，可以采用等离子体增强化学气相沉积法制备上述功能层，具体的沉积方法为现有技术范畴，在此不再一一赘述。S2:将第二非晶硅层转化为多晶硅层的步骤；如图2所示，对第二非晶硅层5进行脱氢处理和准分子激光处理，使得第二非晶硅层5转化为多晶硅层51，上述的脱氢处理和准分子激光当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用同一掩膜板形成间隔布置的非晶硅层和多晶硅层的图形的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵生伟，刘华锋，张凯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11