有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。本发明专利技术之制造方法系先在基板上连续沉积形成一金属层薄膜，接着沉积一层铟锡氧化物(ITO)，并涂布一层光阻，使得经过第一道光罩制程后即可同时形成源漏极图案、数据线以及像素电极的阳极。接着分别依序制作一有机半导体层、一有机绝缘层、一栅电极和一扫描线以及一钝化层。最后在像素电极(即OLED阳极)处对覆盖的钝化层进行挖洞，使底层电极裸露于外，再镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上以形成OLED器件。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。【
技术介绍
】有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, 0TFT)是由有机物作为半导体材料之薄膜晶体管，OTFT可在低温或常温下制作，因此OTFT的基板在选择上可采用较轻、薄且便宜之塑料取代玻璃。OTFT在制作上相对传统无机薄膜晶体管更为简单，其对成膜环境的条件及纯度的要求比较低，因此其制作成本比较低，其简易的制程特性及优异的柔韧性更大提升其在诸多领域的应用机会，其可适用于柔性显示、电子皮肤、柔性传感器等领域。在习知的有机薄膜晶体管制作方案中，一般需要多次光罩(mask)、微影(lithography)、蚀刻制程来完成阵列基板的制作。若能缩减OTFT阵列基板的制程所需光罩、微影、蚀刻制程的次数，即可缩短OTFT阵列基板的制作时间及降低制程成本。另外，目前OTFT的电极材料一般选择功函数较低的金属材料银(Ag)以降低接触电阻，但Ag在没有保护层覆盖的情况下容易被氧化而降低传导能力。针对上述问题，本专利技术提出一种新的OTFT阵列基板的制作方法，不仅缩减整体制程中所需通过光罩、微影、蚀刻制程的次数，同时可保护金属层之电极例如银电极，避免其在后续制程中发生氧化作用，进而影响OTFT阵列基板所制成的器件之质量。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种OTFT阵列基板及其制作方法，改善现有技术OTFT阵列基板的制作流程以提高制作生产效率。本专利技术的目的在于提供一种适用于顶发光式的OLED器件之OTFT阵列基板结构，能够保护保护金属层之电极，避免其在后续制程中发生氧化作用，进而影响OLED器件之质量。为达本专利技术上述目的，本专利技术之一实施例提供一种OTFT阵列基板包括:一基板；形成于所述基板上的一金属层与形成于所述金属层上的一 ITO层，被加以图案化后，使部分金属层曝露于ITO层外，以利用所述金属层形成一源电极及一漏电极，并利用所述金属层与所述ITO层形成一数据线以及一像素电极；一有机半导体层，覆盖所述源电极与所述漏电极上构成有源层；一有机绝缘层，是配置于所述有机半导体层之上方，并曝露所述像素电极；一栅电极，是配置于所述有机绝缘层之上；以及一钝化层，是配置于所述栅电极之上方，并覆盖所述有机绝缘层。在本专利技术OTFT阵列基板之一实施例中，所述钝化层经过，经过曝光、显影、图形化作业后，运用干刻的方式去除阵列基板上属于所述像素电极区域表面上的有机绝缘层及钝化层，使得ITO像素电极区域裸露于外。在本专利技术OTFT阵列基板之一实施例中，所述曝露出的像素电极为OLED器件的阳极，在所述曝露出的像素电极上镀上一层OLED材料以形成一 OLED器件。所述镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上的制备的方式，包括但不限于，例如蒸镀、溅射等。在本专利技术OTFT阵列基板之一实施例中，所述OTFT阵列基板结构适用于顶发光式的OLED器件。本专利技术之一实施例还提供一种OTFT阵列基板制作方法，包括步骤为:提供一基板；在基板上沉积一金属层及一 ITO层，然后覆盖上光阻，通过第一道光罩制程在基板上形成数据线、源电极、漏电极以及像素电极；在目前具有数据线、源电极、漏电极以及像素电极的阵列基板上涂布一有机半导体层，通过第二道光罩制程以形成一有源层，然后在有机半导体层上涂布一有机绝缘层，使其覆盖于整个目前的阵列基板表面上；在有机绝缘层上沉积一金属层，通过第三道光罩制程以形成栅电极和扫描线，然后在目前的阵列基板上再涂布一整面的有机绝缘层以形成一钝化层，使钝化层覆盖于整个目前的阵列基板表面上；钝化层通过第四道光罩制程以使得ITO像素电极裸露于外；以及镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上以形成一 OLED器件。在本专利技术OTFT阵列基板制作方法之一实施例中，所述制作方法之第一道光罩制程包括采用第一张光罩对光阻层进行曝光、显影、图形化作业。。在本专利技术OTFT阵列基板制作方法之一实施例中，所述制作方法之第一道光罩制程还包括在光阻层图形化后，使用蚀刻液对ITO层、底层金属层进行湿刻，然后运用电浆对光阻层进行灰化处理，以及进行光阻残渣去除作业。在本专利技术OTFT阵列基板制作方法之一实施例中，所述在第一道光罩制程后，除了源电极和漏电极所在之处，所述金属层表面皆被ITO层覆盖。在本专利技术OTFT阵列基板制作方法之一实施例中，所述制作方法之第二道光罩制程包括采用第二张光罩对有机半导体层进行曝光、显影、图形化作业。在本专利技术OTFT阵列基板制作方法之一实施例中，所述制作方法之第三道光罩制程包括采用第三张光罩对金属层进行曝光、显影、图形化作业。在本专利技术OTFT阵列基板制作方法之一实施例中，所述制作方法之第四道光罩制程包括采用第四张光罩对所述钝化层进行曝光、显影、图形化作业。本专利技术之另一实施例提供一种OTFT阵列基板，其系运用所述的制作方法所制造的。有益效果:本专利技术能够以一道光罩在ITO基板进行阳极电极的图案化作业，同时形成数据线、源电极、漏电极以及像素电极，其中除了源电极和漏电极所在之处，金属层表面都被ITO层覆盖。因此，除了可缩减光罩制程次数，提高制作生产效率外，还可保护阵列基板中金属层之电极在后续制程中免于发生氧化作用。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。【【附图说明】】图1(a)-图1(d)为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第一步骤的截面示意图。图1(e)为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第一步骤后的俯视图。图2(a)为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第二步骤的截面示意图。图2(b)为为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第二步骤后的俯视图。图3(a)为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第三步骤的截面示意图。图3(b)为为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第三步骤后的俯视图。图4(a)为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第四步骤的截面示意图。图4(b)为为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第四步骤后的俯视图。图5(a)为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第五步骤的截面示意图。图5(b)为为依据本专利技术的一实施例，其显示所述OTFT阵列基板经制作方法之第五步骤后的俯视图。当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，包括步骤为:提供一基板；在基板上沉积一金属层及一ITO层,然后覆盖上光阻,通过第一道光罩制程在基板上形成数据线、源电极、漏电极以及像素电极；在目前具有数据线、源电极、漏电极以及像素电极的阵列基板上涂布一有机半导体层,通过第二道光罩制程以形成一有源层，然后在有机半导体层上涂布一有机绝缘层,使其覆盖于整个目前的阵列基板表面上；在有机绝缘层上沉积一金属层，通过第三道光罩制程以形成栅电极和扫描线,然后在目前的阵列基板上再涂布一整面的有机绝缘层以形成一钝化层,使钝化层覆盖于整个目前的阵列基板表面上；钝化层通过第四道光罩制程以使得ITO像素电极裸露于外；以及镀上一层OLED材料于裸露的ITO像素电极上以形成一OLED器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44