本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及多晶硅材料的制作方法。该薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤：A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层；B、利用紫外光照射非晶硅层，以使非晶硅层中的硅-氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过紫外光照射后的非晶硅层进行加热，以使非晶硅层中的氢从非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；F、在多晶硅层上和/或缓冲层上设置显示器件。本发明专利技术能有效降低薄膜晶体管阵列基板的制造成本和制造时间，提高薄膜晶体管阵列基板的制造效率。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种。【
技术介绍
】准分子激光退火(ELA，ExcimerLaser Annealing)是传统的 LTPS-TFT-LCD(LowTemperature Poly Silicon Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)中将非晶硅制作成多晶硅的一项重要工序。—般来讲，非晶硅中的氢含量大约为10%。要制造出品质较好的多晶硅，需要对非晶硅进行热处理，以去除非晶硅中的氢。而ELA工序中要求氢的含量达到1%以下，否则非晶硅薄膜中会出现氢爆的现象，这会导致多晶硅的表面存在严重的缺陷。要对非晶硅进行热处理，一般需要将非晶硅加热到较高的温度(例如，490摄氏度至520摄氏度)，加热的时间为20分钟以上。这大大增加了制造成本和制造时间。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种，其能有效降低薄膜晶体管阵列基板的制造成本和制造时间，提高薄膜晶体管阵列基板的制造效率。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下:—种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤:A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层，其中，所述缓冲层位于所述基板上，所述非晶硅层位于所述缓冲层上，所述非晶硅层是由非晶硅材料形成的材料层、利用紫外光照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层中的硅-氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过所述紫外光照射后的所述非晶硅层进行加热，以使所述非晶硅层中的氢从所述非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的所述非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的所述非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；以及F、在所述多晶硅层上和/或所述缓冲层上设置显示器件，以形成薄膜晶体管阵列基板，其中，所述显示器件至少包括信号线、像素电极。在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述第一预定时间处于20秒至300秒的范围内。在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述第二预定时间处于I分钟至20分钟的??围内。在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，经过所述红外光照射后的所述非晶硅层的温度处于预定温度范围内，所述预定温度范围为300摄氏度至400摄氏度。在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，经过加热后的所述非晶硅层中的氢含量小于或等于1.0%。—种多晶硅材料的制作方法，所述方法包括以下步骤:A、利用紫外光照射非晶硅材料，以使所述非晶硅材料中的硅-氢键断裂，照射时间为第一预定时间；B、利用红外线光对经过所述紫外光照射后的所述非晶硅材料进行加热，以使所述非晶硅材料中的氢从所述非晶硅材料中脱离，加热时间为第二预定时间；C、对经过加热后的所述非晶硅材料进行清洗；以及D、利用激光将清洗后的所述非晶硅材料进行退火结晶处理，以形成多晶硅材料。在上述多晶硅材料的制作方法中，所述第一预定时间处于20秒至300秒的范围内。在上述多晶硅材料的制作方法中，所述第二预定时间处于I分钟至20分钟的范围内。在上述多晶硅材料的制作方法中，经过所述红外光照射后的所述非晶硅层的温度处于预定温度范围内，所述预定温度范围为300摄氏度至400摄氏度。在上述多晶硅材料的制作方法中，经过加热后的所述非晶硅层中的氢含量小于或等于1.0%。相对现有技术，本专利技术有效降低薄膜晶体管阵列基板或多晶硅材料的制造成本和制造时间，提尚所述薄I旲晶体管阵列基板或所述多晶娃材料的制造效率。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。【【附图说明】】图1至图5为本专利技术的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的示意图；图6为本专利技术的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图；图7为本专利技术的多晶硅材料的制作方法的流程图。【【具体实施方式】】本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。参考图1至图6，图1至图5为本专利技术的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的示意图，图6为本专利技术的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图。本实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤:步骤601、在基板101上设置缓冲层102和非晶硅层103，其中，所述缓冲层102位于所述基板101上，所述非晶硅层103位于所述缓冲层102上，所述非晶硅层103是由非晶娃材料形成的材料层。步骤602、利用紫外光201照射所述非晶硅层103，以使所述非晶硅层103中的硅-氢(S1-H)键断裂，照射时间为第一预定时间。步骤603、利用红外线光301对经过所述紫外光201照射后的所述非晶硅层103进行加热，以使所述非晶硅层103中的非晶硅分子1031的氢(元素)从所述非晶硅层103中脱离(例如，所述非晶硅层103中的氢以氢气的形式从所述非晶硅层103中逸出)，加热时间为第二预定时间。步骤604、对经过加热后的所述非晶硅层103进行清洗。步骤605、利用激光将清洗后的所述非晶硅层103进行退火结晶处理，以形成多晶娃层401。此步骤所对应的技术即为ELAGixcimer Laser Annealing，准分子激光退火)技术。步骤606、在所述多晶硅层401上和/或所述缓冲层102上设置显示器件501，以形成薄膜晶体管阵列基板，其中，所述显示器件501至少包括信号线、像素电极，所述信号线包括扫描线、数据线。在本实施例中，所述第一预定时间处于20秒至300秒(5分钟)的范围内，例如，所述第一预定时间为20秒、25秒、30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒、60秒、65秒、70秒、75秒、80 秒、85 秒、90 秒、95 秒、100 秒、105 秒、110 秒、115 秒、120 秒、125 秒、130 秒、135 秒、140 秒、145 秒、150 秒、155 秒、160 秒、165 秒、170 秒、175 秒、180 秒、185 秒、190 秒、195 秒、200 秒、205 秒、210 秒、215 秒、220 秒、225 秒、230 秒、235 秒、240 秒、245 秒、250 秒、255 秒、260 秒、265 秒、270 秒、275 秒、280 秒、285 秒、290 秒、295 秒、300 秒。优选地，所述第一预定时间处于I分钟至2分钟的范围内。在本实施例中，所述第二预定时间处于I分钟至20分钟的范围内，例如，所述第二预定时间为60秒、75秒、90秒、105秒、120秒、135秒、150秒、165秒、180秒、195秒、210秒、225 秒、240 秒、255 秒、270 秒、285 秒、300 秒、315 秒、330 秒、345 秒、360 秒、375 秒、390秒、405 秒、420 秒、435 秒、450 秒、465 秒、480 秒、495 秒、510 秒、525 秒、540 秒、555 秒、570秒、585 秒、600 秒、615 秒、630 秒、645 秒、660 秒、675 秒、690 秒、705 秒、720 秒、735 秒、750秒、765 秒、780 秒、795 秒、810 秒、825 秒、8本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A、在基板上设置缓冲层和非晶硅层，其中，所述缓冲层位于所述基板上，所述非晶硅层位于所述缓冲层上，所述非晶硅层是由非晶硅材料形成的材料层；B、利用紫外光照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层中的硅‑氢键断裂，照射时间为第一预定时间；C、利用红外线光对经过所述紫外光照射后的所述非晶硅层进行加热，以使所述非晶硅层中的氢从所述非晶硅层中脱离，加热时间为第二预定时间；D、对经过加热后的所述非晶硅层进行清洗；E、利用激光将清洗后的所述非晶硅层进行退火结晶处理，以形成多晶硅层；以及F、在所述多晶硅层上和/或所述缓冲层上设置显示器件，以形成薄膜晶体管阵列基板，其中，所述显示器件至少包括信号线、像素电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐丽娟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。