薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。一种薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述漏电极由N-1个第二弯曲结构连接形成，所述源电极与所述漏电极对合设置，所述漏电极引线连接在所述漏电极上，所述漏电极引线的数量为(1～N-1)条。该薄膜晶体管采用N个弯曲结构连接成一整体作为漏电极，因此可以只采用(1～N-1)条漏电极引线与漏电极相连，减少了漏电极引线和引线凹槽的数量、减小了引线凹槽总宽度，既保证了较大的充电电流，又达到了减少TFT的光漏电的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
现有的一种广视角显示装置为高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimens1nSwitch，简称:ADSDS)显示装置，其结构为，在阵列基板上依次沉积公共电极、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极、第二绝缘层、像素电极，并通过在控制像素电极与公共电极之间形成电势差，实现水平电场驱动，从而实现显示。在现有的阵列基板结构中，源漏电极与栅极之间设置有有源层，当像素尺寸要求比较大时，为了满足充电电流的需求，需要对薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称:TFT)的结构进行改进，于是，一种新的TFT应运而生，如图1所示，薄膜晶体管中的源电极3设计为由两个类似“U”型的弯曲结构连接组合而成，漏电极4由两条相互平行的直线段组成，每一直线段位于一个“U”型弯曲结构的开口区域。漏电极4的每一直线段连接一条漏电极引线5，漏电极引线5为一条与漏电极4的直线段同轴设置、且宽度大于漏电极4的直线段的另一直线段。所以两条漏电极引线5的一端分别连接在漏电极4的一条直线段上，其另一端从栅电极2的区域引出。上述TFT结构在实际应用中不可避免地存在以下问题:漏电极4的结构为两条直线段，每一直线段都必须各自连接一条漏电极引线5从而连接为一体，漏电极引线5的数量与直线段的数量相等；相应的，为了引出全部漏电极引线5，在栅电极2上也就需要开设相应数量的引线凹槽。然而，引线凹槽在某种程度上会造成光漏电，由于产生光漏电的大小与栅电极2上开设的引线凹槽的总宽度呈正相关，因此，随着引线凹槽数量的增加，不可避免地会加剧光漏电现象，影响显示效果。可见，设计一种漏电极引线和引线凹槽数量少，从而引线凹槽的总宽度较小，光漏电较少的薄膜晶体管成为目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，有效地减少了 TFT的光漏电。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是该薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，其中，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述第一弯曲结构包括第一曲线段以及分别连接于所述第一曲线段两端的第一直线段和第二直线段，所述第一弯曲结构的所述第一直线段/所述第二直线段与相邻所述第一弯曲结构的所述第二直线段/所述第一直线段以重合的方式连接，形成所述源电极，所述漏电极由N-1个第二弯曲结构连接形成，所述第二弯曲结构包括第二曲线段以及分别连接于所述第二曲线段两端的第三直线段和第四直线段，所述漏电极引线与所述第二曲线段连接，所述第二直线段与所述第一直线段以重合的方式连接的部分对应着所述第二曲线段，所述第三直线段和所述第四直线段对应着所述第一曲线段。优选的是，第一个所述第一弯曲结构的所述第一直线段的长度大于所述第二直线段的长度，第N个所述第一弯曲结构的所述第二直线段的长度大于所述第一直线段的长度，其它所述第一直线段与所述第二直线段的长度相等。优选的是，所述第三直线段的长度等于所述第四直线段的长度。优选的是，所述漏电极引线的数量为M，其中:1彡M彡N-1。优选的是，当M = N-1时，所述漏电极引线与所述第二曲线段一一对应连接；当I< M < N-1时，所述漏电极引线与所述第二曲线段间隔连接；当M = I时，所述漏电极引线连接在一个所述第二曲线段上。优选的是，N彡2，当N>2时，所述第二弯曲结构的所述第三直线段/所述第四直线段与相邻所述第二弯曲结构的所述第四直线段/所述第三直线段以重合的方式连接，形成所述漏电极。优选的是，还包括基板，所述栅电极位于所述基板上，所述源电极和所述漏电极相对于所述栅电极远离所述基板设置，且所述源电极与所述漏电极同层设置。优选的是还包括基板，所述源电极和所述漏电极位于所述基板上，所述源电极与所述漏电极同层设置，所述栅电极相对于所述源电极和所述漏电极远离所述基板设置。—种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。一种显示装置，包括上述阵列基板。—种薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述第一弯曲结构包括第一曲线段以及分别连接于所述第一曲线段两端的第一直线段和第二直线段，所述第一弯曲结构的所述第一直线段/所述第二直线段与相邻所述第一弯曲结构的所述第二直线段/所述第一直线段以重合的方式连接，形成所述源电极，所述漏电极由N-1个第二弯曲结构连接形成，所述第二弯曲结构包括第二曲线段以及分别连接于所述第二曲线段两端的第三直线段和第四直线段，所述漏电极引线与所述第二曲线段连接，所述第二直线段与所述第一直线段以重合的方式连接的部分对应着所述第二曲线段，所述第三直线段和所述第四直线段对应着所述第一曲线段；所述源电极和所述漏电极采用同一张半色调掩膜板或灰色调掩膜板形成。本专利技术的技术效果为:该薄膜晶体管采用N个弯曲结构连接成一整体作为漏电极，因此可以只采用(I?N-1)条漏电极引线与漏电极相连，减少了漏电极引线和引线凹槽的数量、减小了引线凹槽总宽度，既保证了较大的充电电流，又达到了减少TFT的光漏电的效果。【附图说明】图1为现有的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例1中薄膜晶体管中漏电极引线数量为3时的结构示意图；图3为图2中包含第一弯曲结构和第二弯曲结构的局部放大图；图4为本专利技术实施例1中薄膜晶体管中漏电极引线数量为2时的结构示意图；图5为本专利技术实施例2中薄膜晶体管的结构示意图；其中，附图标记为:1-有源层；2_栅电极；3-源电极；31_第一弯曲结构；311_第一直线段；312_第一曲线段；313_第二直线段;4-漏电极；41_第二弯曲结构；411_第三直线段；412_第二曲线段；413_第四直线段；5-漏电极引线。【具体实施方式】为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:本实施例提供一种薄膜晶体管，其采用N(N>2)个弯曲结构连接成一整体作为漏电极，再采用(I?N-1)条漏电极引线与漏电极相连，能够有效减少漏电极引线和引线凹槽的数量、减小引线凹槽总宽度，从而减少TFT的光漏电的影响。该薄膜晶体管的具体结构如图2、图3所示，包括栅电极2、源电极3、漏电极4以及漏电极引线5，其中源电极3由N个第一弯曲结构31连接形成，第一弯曲结构31包括第一曲线段312以及分别连接于第一曲线段312两端的第一直线段311和第二直线段313。位于最左侧的第一个第一弯曲结构31的第二直线段313与相邻的第二个第一弯曲结构31的第一直线段311以重合的方式连接，第二个第一弯曲结构31的第二直线段313与相邻的第三个第一弯曲结构31的第一直线段311以重合的方式连接，如此循环连接，直到第N-1(N>2)个第一弯曲结构31的第二直线段313与位于最右侧的第N个第一弯曲结构31的第一直线段311以重合的方式连接，从而形成源电极3。与源电极3的结构相似，漏电极4由N-1个第二弯曲结构41连接形成，第二弯曲结构41包括第二曲线段412以及分别连接于第二曲线段412两端的第三直线段411和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅电极、源电极、漏电极以及漏电极引线，其特征在于，所述源电极由N个第一弯曲结构连接形成，所述第一弯曲结构包括第一曲线段以及分别连接于所述第一曲线段两端的第一直线段和第二直线段，所述第一弯曲结构的所述第一直线段/所述第二直线段与相邻所述第一弯曲结构的所述第二直线段/所述第一直线段以重合的方式连接，形成所述源电极，所述漏电极由N‑1个第二弯曲结构连接形成，所述第二弯曲结构包括第二曲线段以及分别连接于所述第二曲线段两端的第三直线段和第四直线段，所述漏电极引线与所述第二曲线段连接，所述第二直线段与所述第一直线段以重合的方式连接的部分对应着所述第二曲线段，所述第三直线段和所述第四直线段对应着所述第一曲线段。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟，刘信，杨妮，
申请(专利权)人：重庆京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85