一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板。本发明专利技术的薄膜晶体管，包括：栅极、在所述栅极上方形成的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上方形成的有源层、以及在所述有源层两侧形成的源极和漏极；所述有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成。本发明专利技术通过在掺氮薄膜晶体管的有源层中设置无氮氧化物半导体层保持薄膜晶体管的迁移率不变,提升了薄膜晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及液晶显示器
，特别是涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板。【
技术介绍
】非晶氧化物半导体(AOS)薄膜晶体管(TFT)具有良好的电学性能、高透光率及低温制作工艺等优点而引起了人们的广泛关注，是驱动新一代平板显示的有源电子器件最有力的竞争者之一，比较常见的AOS TFT包括a-1GZO TFT (氧化铟镓锌薄膜晶体管)、IZOTFT、ZTO TFT 等。为了改善TFT器件的某些电性指标和稳定性，现有一般通过氮气调节AOS-TFT的有源层中氧空位的水平，即向AOS-TFT的有源层中掺氮，此类AOS-TFT称为掺氮非晶氧化物薄膜晶体管。然而，掺氮一般会引起器件迀移率的下降，这不利于制备具有较高迀移率的AOS-TFT器件来满足平板显示领域的工程应用需求。因此，如何使掺氮AOS-TFT器件的场效应迀移率(mobility)保持不变在生产中具有重要的意义。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板，以解决如何使掺氮AOS-TFT器件的场效应迀移率保持不变的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种薄膜晶体管，其包括:栅极、在所述栅极上方形成的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上方形成的有源层、以及在所述有源层两侧形成的源极和漏极；所述有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成。在本专利技术的薄膜晶体管中，所述有源层包括:至少两个掺氮氧化物半导体层和至少一个无氮氧化物半导体层；所述无氮氧化物半导体层形成在两个相邻的所述掺氮氧化物半导体层之间。在本专利技术的薄膜晶体管中，所述掺氮氧化物半导体层与所述无氮氧化物半导体层的厚度相同或者不同；任意两个所述掺氮氧化物半导体层的厚度相同或者不同。在本专利技术的薄膜晶体管中，所述有源层包括:两个掺氮氧化物半导体层、和一个无氮氧化物半导体层。在本专利技术的薄膜晶体管中，所述掺氮氧化物半导体层的厚度在Snm至12nm之间，所述无氮氧化物半导体层的厚度在8nm至12nm之间。同样为了解决上述的技术问题，本专利技术还提供了一种阵列基板，其包括:基板衬底；在所述基板衬底上的多个数据线、多个扫描线、多个像素电极和薄膜晶体管；所述数据线，用于传输数据信号给对应的所述薄膜晶体管的源极；所述扫描线，用于传输扫描信号给对应的所述薄膜晶体管的栅极；所述薄膜晶体管，用于根据扫描信号控制是否将数据信号通过该薄膜晶体管的漏极传输给对应的所述像素电极；其中，所述薄膜晶体管具体包括:在所述基底衬板上形成的栅极、在所述栅极上方形成的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上方形成的有源层、以及在所述有源层两侧形成的源极和漏极；所述有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成。在本专利技术的阵列基板中，所述有源层包括:至少两个掺氮氧化物半导体层和至少一个无氮氧化物半导体层；所述无氮氧化物半导体层形成在两个相邻的所述掺氮氧化物半导体层之间。在本专利技术的阵列基板中，所述有源层包括:两个掺氮氧化物半导体层、和位于两个掺氮氧化物半导体层之间的一个无氮氧化物半导体层。同样为了解决上述的技术问题，本专利技术还提供了一种液晶显示面板，其包括:彩膜基板、阵列基板以及设置在所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层；所述阵列基板包括:基板衬底；在所述基板衬底上的多个数据线、多个扫描线、多个像素电极和多个薄膜晶体管；所述数据线，用于传输数据信号给对应的所述薄膜晶体管的源极；所述扫描线，用于传输扫描信号给对应的所述薄膜晶体管的栅极；所述薄膜晶体管，用于根据扫描信号控制是否将数据信号通过该薄膜晶体管的漏极传输给对应的所述像素电极；其中，所述薄膜晶体管具体包括:在所述基底衬板上形成的栅极、在所述栅极上方形成的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上方形成的有源层、以及在所述有源层两侧形成的源极和漏极；所述有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成。在本专利技术的液晶显示面板中，所述有源层包括:至少两个掺氮氧化物半导体层和至少一个无氮氧化物半导体层；所述无氮氧化物半导体层形成在两个相邻的所述掺氮氧化物半导体层之间。本专利技术提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板；本专利技术的薄膜晶体管中有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成；通过无氮氧化物半导体层来保持有源层体内具有足够的氧空位来提供所需的载流子数量，进而可以保持薄膜晶体管(例如AOS TFT)的迀移率不变，有利于提升薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。【【附图说明】】图1为本专利技术实施例一提供的第一种薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例一提供的第二种薄膜晶体管的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的第三种薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例二提供的一种薄膜晶体管有源层的结构示意图；图6为本专利技术实施例二提供的一种液晶显不面板的结构不意图。【【具体实施方式】】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。实施例一:如图1所示，本实施例提供了一种薄膜晶体管(以AOS TFT为例)，包括:栅极101、栅极绝缘层102、有源层103、薄膜晶体管的源极104和漏极105 ;本实施例中，栅极绝缘层102位于所述栅极101上方，可通过化学沉积的方式形成；有源层103位于所述栅极绝缘层102上方，可通过化学沉积的方式形成，其中形成有源层103的材料可以为掺氮非晶氧化物半导体，例如掺氮a-1GZO等；本实施例中有源层103由掺氮氧化物半导体层1031和无氮氧化物半导体层1032构成，在图1中，有源层103包括:至少两个掺氮氧化物半导体层1031和至少一个无氮氧化物半导体层1032 ；本实施例中有源层103中掺氮氧化物半导体层1031和无氮氧化物半导体层1032的数量可以根据实际需求设定，例如有源层可以包括:三个掺氮氧化物半导体层1031和两个无氮氧化物半导体层1032等等。本实施例的掺氮薄膜晶体管是在现有掺氮薄膜晶体管的有源层中增加了无氮氧化物半导体层1032，通过无氮氧化物半导体层1032来保持有源层103体内具有足够的氧空位来提供所需的载流子数量，进而可以保持薄膜晶体管(例如AOS TFT)的迀移率不变，有利于提升薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。优选地，本实施例中有源层103中各掺氮氧化物半导体层1031的厚度可以相同或者不同；如果厚度相同，则可以方便制作薄膜晶体管，提升制作效率，节约生产成本；如果厚度不相同，可以满足不同应用场景中对迀移率的不同需求，扩大了薄膜晶体管的应用范围。优选地，本实施例中有源层103中掺氮氧化物半导体层1031与无氮氧化物半导体层1032的厚度可以相同或者不同；如果厚度相同，则在制作薄膜晶体管时可以按照同一厚度尺寸制作掺氮氧化物半导体层1031与无氮氧化物半导体层1032，提升了制作效率，节约了生产成本；如果厚度不同，则可以满足不同应用场景中对迀移率的不同需求以及对薄膜晶体管尺寸的要求。为了更好地保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、在所述栅极上方形成的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上方形成的有源层、以及在所述有源层两侧形成的源极和漏极；所述有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李珊，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44