一种制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法技术

本发明专利技术提供了一种制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法。所述的掩膜方法借助由基底、掩膜板、支撑架组成的掩膜机构，制备由两种或以上材料分区域组成的单层薄膜产品。本发明专利技术中，掩膜板须根据薄膜产品做特殊定制：每块掩膜板与薄膜产品中的每种材料一一对应，掩膜板上设置有与其对应材料在薄膜产品中的边界轮廓位置、形状、大小完全相同的开孔区域。制备多材料分区组成的薄膜层时，轮流更换沉积源材料的同时，轮流使用与之对应的掩膜板，直到所有掩膜板均轮流使用过一次后，多材料分区组成的薄膜层即制备完成。本发明专利技术采用的是机械掩膜方法，方法本身及其所借助的掩膜机构简单、易用、可靠，能大幅降低生产成本、提高薄膜产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备领域，具体涉及。
技术介绍
在薄膜的生产制备过程中，通常需要使同一层薄膜由多种不同材料分区域组成。目前主要利用光刻掩膜技术解决此问题，其基本思路是先在基底上镀一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过掩膜板照射到光刻胶上，将光刻胶未被掩膜板遮盖的区域腐蚀，再用清洗液将腐蚀的光刻胶除去，露出下面的基片，然后沉积粒子，就形成了由光刻胶和某种材料组成的混合膜层。这种光刻的方法存在诸多缺点:首先，当混合层中要求的材料种类繁多，且不允许包含光刻胶时，使用这种方法就得考虑怎么将那些未发生光-化学反应的光刻胶除去，且不影响已沉积的材料，而且材料种数的增加会使整个工艺过程变得格外复杂；其次要求承载光刻胶的基底也具有耐腐蚀性，这就限制了基底材料的选择，更不允许以易腐蚀的薄膜层作为多材料混合膜的下层；再次，这种光刻方法涉及到光-化学反应、腐蚀清洗液等，易在薄膜中引入其他杂质。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供。本专利技术的制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法，依次包括以下步骤: (a)将单晶硅基底固定于支撑架上，置于镀膜装置的粒子照射区； (b)取二氧化硅薄片，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备多材料分区组成的薄膜层的掩膜方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（a）.将单晶硅基底固定于支撑架上，置于镀膜装置的粒子照射区；（b）.取二氧化硅薄片，根据要制备的多材料分区组成的薄膜层中第一种材料的边界轮廓，在二氧化硅薄片上加工与之位置、形状、大小完全相同的开孔区域，作为第一块掩膜板；（c）.将第一块掩膜板覆盖在单晶硅基底上，覆盖时使掩膜板侧边定位销沿支撑架定位槽由上往下嵌入，覆盖后将掩膜板和单晶硅基底夹紧；（d）.沉积多材料分区组成的薄膜层中第一种薄膜材料；（e）.取下第一块掩膜板；（f）.参照步骤（b）~（e）,沉积多材料分区组成的薄膜层中第二种薄膜材料；（g）.参照步骤（b）~...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁光辉，蒋柏斌，杨洪，魏胜，谢军，杜凯，任玮，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：四川;51