以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法技术

一种以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法；特征是包括下列步骤：１、将电子芯片元件制作于晶圆片（ｗａｆｅｒ）上，使电子芯片元件呈间隔排列；２、将上述晶圆片中未形成电子芯片元件的部分，蚀刻出长形孔槽；３、藉由真空压膜的设施，于已蚀刻出长形孔槽的晶圆片上被覆光阻薄膜（ＰｈｏｔｏＲｅｓｉｓｔＦｉｌｍ），或将整片晶圆片浸渍于液态光阻剂的容槽中，使晶圆片完整被覆一层光阻剂；４、将晶圆片加热，使光阻薄膜或光阻剂干燥而紧密贴合于晶圆片上：５、最后将电子芯片元件从晶圆片分割出来，即为包装完成的电子芯片元件单元；是种以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法，可快速地制造电子芯片元件，而达到节省制造成本与时间的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包装方法，特别是一种。上述电子芯片包装制造方法，是有一定功效，但是实施时仍有不足1、利用涂覆法将散热聚合物层被覆于切割过后的电子芯片元件单元上，或溅镀法(Sputtering)藉由喷溅设备于电子芯片单元上喷上一层薄膜的方式，由于是对单一的电子芯片元件单元为之，故费时费工，而电子芯片单元的喷溅包装薄膜以后，包装薄膜乃将整个电子芯片元件单元被覆，在使用时必须将接线面的包装薄膜去除，其制作程序多而不便。由于上述的包装方法有其缺点，故有另外一种包装方法，于电子芯片元件形成于基板上以后，先将基板上的电子芯片元件被覆包装膜，然后再切割成为电子芯片元件单元，但是此种包装方法，无法将电子芯片元件的周面被覆包装膜，经常要在使用时作第二次封装，亦有不便之处。有鉴于习见的电子芯片元件的制造方法，存在上述的缺点，专利技术人针对该缺点研究改进之道，经长时研究改良，终于有本专利技术的产生。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的上述不足，而提供一一种。根据本专利技术的此种电子芯片元件的包装方法，其可迅速地达成包装电子芯片元件的目的，而可节省制造成本与过程此为本专利技术的第一目的。根据本专利技术的此种电子芯片元件的包装方法，其不但可迅速地达成包装电子芯片元件的目的，并维持了电子芯片元件较佳的品质；此为本专利技术的再一目的。根据本专利技术的此种电子芯片元件的包装方法，其包装完成的电子芯片元件的包装，即为完整的包装，使用时无需要再作第二次包装等不便的情形。本专利技术的上述技术问题是由如下技术方案来实现的。一种；其特征是包括下列步骤将电子芯片元件制作于晶圆片的基板上，电子芯片元件呈间隔排列；将上述晶圆片的电子芯片元件之间的间隔蚀刻成为长形孔槽；藉由真空压膜的设施，于已蚀刻长形孔槽的电子芯片元件的晶圆片上，被覆上一层光阻薄膜；将晶圆片加热，使光阻薄膜紧密贴合于晶圆片的电子芯片元件及长形孔槽的槽壁上；以及将晶圆片分割成个别的电子芯片元件。除上述必要技术特征外，在具体实施过程中，还可补充如下
技术实现思路
其中已蚀刻出长形孔槽的电子芯片元件是整片晶圆片浸渍于装有光阻剂的容槽中，使晶圆片完整被覆一层光阻剂。本专利技术的优点在于节省制造成本与过程可维持电子芯片元件较佳的品质；使用时无需再作第二次包装。至于本专利技术的详细构造、应用原理、作用与功效、则可参照下列实施例及附图所做的说明即可得到完全的了解附图说明图1是习见电子芯片元件的制造方法的实施例示意图。图2是本专利技术的此种的程序图。图3是本专利技术的，其中的晶圆片的示意图。图3A图是图3中晶圆片的结构示意图。图4A是本专利技术的，其中真空压膜制程中，光阻薄膜紧密附着于晶圆片上的示意图。图4B是本专利技术的，其中真空压膜所制的电子芯片元件的结构示意图。图5A是本专利技术的，其中整片晶圆片浸渍于装有光阻剂槽中，使晶圆片完整被覆一层光阻剂的示意图。图5B是本专利技术的，其中浸渍光阻剂的电子芯片元件的结构示意图。图3是本专利技术的，其中晶圆的示意图；本专利技术是先制造表面具有电子芯片元件构造的晶圆片的形状(程序A)；晶圆片10的构造图如图2A中所示；其中晶圆片10上具有多个电子芯片的构造101，102，...，电子芯片元件的构造101，102呈间隔排列，而使两排相邻的电子芯片元件构造101，102之间具有一间隔；对晶圆片10蚀刻后，于上述电子芯片元件构造101，102之间的间隔形成穿透晶圆片10板体的长形孔槽11，故长形孔槽11之间的距离即为两列电子芯片元件14之间的预设宽度，以利电子芯片元件的切割以及包装。图4A是本专利技术的，其中真空压膜藉由孔槽而紧密附着于电子芯片元件上的示意图；由图可看出，已蚀刻出长形孔槽110的晶圆片10可置于真空环境中，藉由真空热压技术，将一层光阻(感光)薄膜(Photo Resist Film)12被覆于晶圆片10上(程序C1)，并加热(程序C2)，使得以紧密贴合于晶圆片10上，而将电子芯片元件构造的晶圆片10包覆。此外，当晶圆片10于非真空环境中制造时，可藉由将已蚀刻出长形孔槽110的晶圆片10浸渍于光阻剂槽中的方式制造；如图5A中所示，将整片已蚀刻出长形孔槽110的晶圆片浸渍于装有光阻剂12的容槽中，使晶圆片10(包括电子芯片元件构造与长形孔槽110)的表面完全地被覆一层光阻剂13(程序D1)，并使其干燥而让光阻剂附着于晶圆片上(程序D2)，如图5A所示。最后将晶圆片藉由长形孔槽分割成一粒粒的电子芯片元件(程序E)，如图4B与图5B中所示；其中，图4B中所示，是晶圆片于真空环境中藉由压膜所制的电子芯片元件，而图5B是晶圆片浸渍于光阻剂中后干燥所制的电子芯片元件。藉由上述工序结构，本专利技术的此种，可有效藉由蚀刻形成晶圆片上陈列电子元件所预设的间隔，成为长形孔槽，再以与光阻剂与真空压膜并加热，或利用浸渍光阻剂的方式，快速地包装电子芯片元件，而达到节省制造成本与时间的效果，而并未见诸公开使用，合于专利法的规定，特提出申请。需陈明者，以上所述是本专利技术较佳具体的实施例，若依本专利技术的构想所作的改变，其所产生的功能作用仍未超出说明书及图式所涵盖的精神时，均应在本专利技术的范围内。权利要求1.一种；其特征是包括下列步骤将电子芯片元件制作于晶圆片的基板上，电子芯片元件呈间隔排列；将上述晶圆片的电子芯片元件之间的间隔蚀刻成为长形孔槽；藉由真空压膜的设施，于已蚀刻长形孔槽的电子芯片元件的晶圆片上，被覆上一层光阻薄膜；将晶圆片加热，使光阻薄膜紧密贴合于晶圆片的电子芯片元件及长形孔槽的槽壁上以及将晶圆片分割成个别的电子芯片元件。2.根据权利要求1所述的，其特征是其中已蚀刻出长形孔槽的电子芯片元件是整片晶圆片浸渍于装有光阻剂的容槽中，使晶圆片完整被覆一层光阻剂。全文摘要一种；特征是包括下列步骤1、将电子芯片元件制作于晶圆片(wafer)上，使电子芯片元件呈间隔排列；2、将上述晶圆片中未形成电子芯片元件的部分，蚀刻出长形孔槽；3、藉由真空压膜的设施，于已蚀刻出长形孔槽的晶圆片上被覆光阻薄膜(PhotoResist Film)，或将整片晶圆片浸渍于液态光阻剂的容槽中，使晶圆片完整被覆一层光阻剂；4、将晶圆片加热，使光阻薄膜或光阻剂干燥而紧密贴合于晶圆片上5、最后将电子芯片元件从晶圆片分割出来，即为包装完成的电子芯片元件单元；是种，可快速地制造电子芯片元件，而达到节省制造成本与时间的目的。文档编号B65D85/86GK1433931SQ02102588公开日2003年8月6日 申请日期2002年1月25日 优先权日2002年1月25日专利技术者庄弘毅, 曾国书, 吴颖昌, 范成二, 曾有正 申请人:乾坤科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法；其特征是包括下列步骤：将电子芯片元件制作于晶圆片的基板上，电子芯片元件呈间隔排列；将上述晶圆片的电子芯片元件之间的间隔蚀刻成为长形孔槽；藉由真空压膜的设施，于已蚀刻长形孔槽的电子芯片元件的晶圆片上，被覆上一层光阻薄膜；将晶圆片加热，使光阻薄膜紧密贴合于晶圆片的电子芯片元件及长形孔槽的槽壁上；以及将晶圆片分割成个别的电子芯片元件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庄弘毅，曾国书，吴颖昌，范成二，曾有正，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]