电阻器结构及其电阻测量系统技术方案

一种电阻器结构，包括一电阻器本体；以及一第一电极结构与一第二电极结构。该第一电极结构与一第二电极结构分别位于该电阻器本体上相对的第一端与第二端处，并与之电性接触，且该第一电极结构与该第二电极结构各具有至少一导电凸起。其中，该第一电极结构上的该至少一导电凸起与该第二电极结构上的该至少一导电凸起是电连接至一外部电压测量装置作为电压测量点，或该第一电极结构上的该至少一导电凸起与该第二电极结构上的该至少一导电凸起是电连接至一外部电流测量装置作为电流测量点。本公开还涉及一种电阻测量系统。本公开还涉及一种电阻测量系统。本公开还涉及一种电阻测量系统。

【技术实现步骤摘要】
电阻器结构及其电阻测量系统


[0001]本专利技术关于一种电阻器结构以及其阻值测量系统，尤指一种适用于低电阻应用的电阻器结构以及其阻值测量系统。

技术介绍

[0002]一般而言，对于电阻器的阻值测量是通过测量电阻器两端的电压值与流经电阻器的电流值，并根据欧姆定律运算而得。例如在如图1所示的二线式测量系统中，是利用一外加电源P，串联一个安培计A测量电流，同时并联一个伏特计V测量电压，计算出一待测电阻器R的电阻值。待测电阻器R两端的电压值是由伏特计V于B点测；流经待测电阻器R的电流值亦由安培计A于B点测得。将测得的电压值和电流值运算得到该待测电阻器R的电阻值。在实务上，由于该待测电阻器R并联了伏特计V，且导线C也具有一定程度的阻抗，因此以此系统测量出的电压与电流实际上并不完全等同于该待测电阻器R两端的真实电压值与流经电阻器R的真实电流值。而导线C的阻抗，以1m长度的铜制导线为例，大约在0.1Ω左右，因此当待测电阻器R的阻值远大于导线C的阻抗时，导线C的阻抗也可以忽略不计。但当待测电阻器R为低阻值电阻时，待测电阻器R的阻值愈小，导线C的阻抗所造成的影响愈明显，因此所测得的待测电阻器的阻值愈不准确。换言之，以传统二线式测量系统来测量低电阻电阻器的电阻值是不够精准的。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本专利技术提供一种电阻器的阻值测量系统，可精确测量一电阻器的阻值。
[0004]本专利技术另提供一种电阻器结构，适用于以该系统进行其阻值测量。
[0005]在本专利技术的一方面，一电阻器结构包括：一电阻器本体；以及一第一电极结构与一第二电极结构，分别位于该电阻器本体上相对的第一端与第二端处，并与之电性接触，该第一电极结构与该第二电极结构各具有至少一导电凸起。其中，该第一电极结构上的该至少一导电凸起与该第二电极结构上的该至少一导电凸起是电连接至一外部电压测量装置作为电压测量点，或该第一电极结构的该至少一导电凸起与该第二电极结构的该至少一导电凸起是电连接至一外部电流测量装置作为电流测量点。
[0006]在一实施例中，该第一电极结构的该至少一导电凸起包括一第一导电凸起以及一第二导电凸起，该第一导电凸起电连接至该外部电压测量装置作为该电压测量点之一，而该第二导电凸起电连接至该外部电流测量装置作为该电流测量点之一，又该第二电极结构的该至少一导电凸起包括一第三导电凸起以及一第四导电凸起，该第三导电凸起电连接至该外部电压测量装置作为另一该电压测量点，而该第四导电凸起电连接至该外部电流测量装置作为另一该电流测量点。
[0007]在一实施例中，该第一、第二、第三、第四导电凸起的顶点共平面。
[0008]在一实施例中，该第一电极结构的该第一导电凸起与该第二电极结构的该第三导
电凸起间的距离范围在450到570微米之间，且该第一电极结构的该第二导电凸起与该第二电极结构的该第四导电凸起间的距离范围在450到570微米之间。
[0009]在一实施例中，该第一电极结构的该第一导电凸起与该第二导电凸起间的距离小于100微米，且该第二电极结构的该第三导电凸起与该第四导电凸起间的距离小于100微米。
[0010]在一实施例中，该第一、第二、第三、第四导电凸起中至少有一个凸点直径范围在10到40微米之间。
[0011]在一实施例中，该第一、第二、第三、第四导电凸起中至少有一个凸点厚度范围在10到50微米之间。
[0012]在一实施例中，该第一、第二、第三、第四导电凸起均具有平坦顶面。
[0013]在本专利技术的另一方面，一电阻器结构包括：一基板；一电阻层，设置在该基板上；一保护层，覆盖该电阻层；以及一第一电极结构，设置于该电阻层的第一端上并与之电性接触，以及一第二电极结构，设置于该电阻层的与该第一端相对的第二端上并与之电性接触，而第第一电极结构和第二电极结构各具有至少一导电凸起。其中该第一电极结构的该至少一导电凸起和该第二电极结构的该至少一导电凸起皆具有一延伸至该保护层顶面上方的顶面。
[0014]在本专利技术的又一方面，在一种用以测量一电阻器装置的阻值的阻值测量系统中，该电阻器装置包括：一电阻器本体、一与该电阻层的第一端电性接触的第一电极结构、以及一与该电阻层的与该第一端相对的第二端电性接触的第二电极结构，其中该第一电极结构和该第二电极结构皆分别具有第一组导电凸起和第二组导电凸起，而该阻值测量系统包括：一测量治具，包括四个接线垫，分别用以与该第一电极结构及该第二电极结构的该第一组导电凸点与该第二组导电凸点电性接触，其中每一个该接线垫的可接触面积均大于每一与其电性接触的相对应导电凸起的可接触面积；一电源装置，提供一电源；一电压测量装置，电连接至该电源装置、以及该第一电极结构的该第一组导电凸起与该第二电极结构的该第一组导电凸起，并于该电源供电下测量该第一组导电凸起间的电压值；一电流测量装置，电连接至该第一电极结构的该第二组导电凸起与该第二电极结构的该第二组导电凸起，并于该电源供电下测量流经该第一电极结构与与该第二电极结构的该第二组导电凸起间的电流值；以及一阻值判读装置，电连接至该电压测量装置与该电流测量装置，根据所测得的该电压值与该电流值得到该电阻器装置的阻值。
附图说明
[0015]在阅读以下详细说明和附图之后，本领域普通技术人员将更容易了解本专利技术的以上内容，其中：
[0016]图1是利用二线式测量系统测量一电阻器的电阻值的示意图。
[0017]图2A是利用四线式测量系统测量一电阻器的电阻值的示意图。
[0018]图2B是一现有芯片电阻的结构示意图。
[0019]图3A是显示测量图2B的芯片电阻的电阻值时，理想的测量点位置示意图。
[0020]图3B是显示测量图2B的芯片电阻的电阻值时，一测量点偏移情况的示意图。
[0021]图3C是显示测量图2B的芯片电阻的电阻值时，另一测量点偏移情况的示意图。
[0022]图3D是显示测量图2B的芯片电阻的电阻值时，又一测量点偏移情况的示意图。
[0023]图4A显示本专利技术一实施例中，形成于待测电阻器上用以进行电压与电流测量的导电凸起的示意图。
[0024]图4B显示本专利技术一实施例中，电阻器结构的示意图。
[0025]图4C显示本专利技术一实施例中，电阻器结构的截面示意图。
[0026]图4D显示本专利技术一实施例中，电阻器电阻值测量系统的示意图。
[0027]图5A显示本专利技术一实施例中，将待测电阻器置于图4D系统的治具中时的理想情况示意图。
[0028]图5B
‑
图5F分别显示本专利技术一实施例中，将待测电阻器置于图4D系统的治具中时的可能偏移情况示意图。
[0029]图6A与图6B是说明本专利技术一实施例的电阻器结构的导电凸起的构形与尺寸示意图。
[0030]其中，附图标记说明如下：
[0031]P：电源
[0032]A：安培计、电流测量装置
[0033]V：伏特计、电压测量装置
[0034本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻器结构，包括：一电阻器本体；以及一第一电极结构与一第二电极结构，分别位于该电阻器本体上相对的第一端与第二端处，并与之电性接触，该第一电极结构与该第二电极结构各具有至少一导电凸起，其中，该第一电极结构上的该至少一导电凸起与该第二电极结构上的该至少一导电凸起是电连接至一外部电压测量装置作为电压测量点，或该第一电极结构的该至少一导电凸起与该第二电极结构的该至少一导电凸起是电连接至一外部电流测量装置作为电流测量点。2.如权利要求1所述的电阻器结构，其中该第一电极结构的该至少一导电凸起包括一第一导电凸起以及一第二导电凸起，该第一导电凸起电连接至该外部电压测量装置作为该电压测量点之一，而该第二导电凸起电连接至该外部电流测量装置作为该电流测量点之一，又该第二电极结构的该至少一导电凸起包括一第三导电凸起以及一第四导电凸起，该第三导电凸起电连接至该外部电压测量装置作为另一该电压测量点，而该第四导电凸起电连接至该外部电流测量装置作为另一该电流测量点。3.如权利要求2所述的电阻器结构，其中该第一导电凸起、该第二导电凸起、该第三导电凸起、该第四导电凸起的顶点共平面。4.如权利要求2所述的电阻器结构，其中该第一电极结构的该第一导电凸起与该第二电极结构的该第三导电凸起间的距离范围在450到570微米之间，且该第一电极结构的该第二导电凸起与该第二电极结构的该第四导电凸起间的距离范围在450到570微米之间。5.如权利要求2所述的电阻器结构，其中该第一电极结构的该第一导电凸起与该第二导电凸起间的距离小于100微米，且该第二电极结构的该第三导电凸起与该第四导电凸起间的距离小于100微米。6.如权利要求2所述的电阻器结构，其中该第一导电凸起、该第二导电凸起、该第三导电凸起、该第四导电凸起中至少有一个凸点直径范围在10到40微米之间。7.如权利要求2所述的电阻器结构，其中该第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡智裕，吴文豪，姚俊丞，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：