System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 高共面度的电子元件及其制作方法技术_技高网

高共面度的电子元件及其制作方法技术

技术编号:40787150 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-28 19:18
一种高共面度的电子元件,包含一主体,其具有一功能电路与一安装面、一具有第一面积的第一电极设置在该安装面上、以及一具有第二面积的第二电极设置在该安装面上,其中该第一面积大于该第二面积,且该第一电极与该第二电极包含一导电层以及至少一第一电镀层覆盖在该导电层上,且该第一电极的导电层厚度小于该第二电极的导电层厚度,且该第一电极的第一电镀层厚度大于该第二电极的第一电镀层厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上与一种电子元件及其制作方法有关,更特定言之,其涉及一种电极具有高共面度的电子元件及其制作方法


技术介绍

1、现今许多的高频元件中,如天线或滤波器,其接地电极与信号电极通常是共面且不彼此连接的,即意味着这两种电极是设计成形成在同一平面上且各自独立的。由于实作中高频元件的接地电极与信号电极通常会具有不同的平面面积,前述的各种因素会共同导致现有同一道电镀工艺中形成在电极上的电镀层具有相当不同厚度的现象,而这样厚度不一的现象是无法满足高频运行中射频元件(rf)的接地电极与信号电极之间的严格共面度(10μm以内)要求。故此,本领域的一般技术人士需要为这类高频元件的电镀工艺开发可以改善其共面度的方法。


技术实现思路

1、为了解决前述高频元件的电极厚度不一的问题,本专利技术于此提出了一种新颖的高共面度电子元件的设计及其制作方法,其做法特点在于对于不同面积的电极使用不同厚度的导电层,以及在电镀工艺后切断不同面积的电极之间的导电连接部位,以此在不同电极的导电层上得到厚度一致的最终电镀层。

2、本专利技术的其一面向在于提出一种高共面度的电子元件,包含一主体,其具有一功能电路与一安装面、一第一电极,其具有一第一面积且设置在该安装面上、以及一第二电极,其具有一第二面积且设置在该安装面上,其中该第一面积大于该第二面积,且该第一电极与该第二电极包含一导电层以及至少一第一电镀层覆盖在该导电层上,且该第一电极的导电层厚度小于该第二电极的导电层厚度,且该第一电极的第一电镀层厚度大于该第二电极的第一电镀层厚度。

3、本专利技术的另一面向在于提出一种高共面度的电子元件,包含一主体,其具有一功能电路与一安装面、一第一电极,位于该安装面上且具有一第一面积、以及一第二电极,位于该安装面上且具有一第二面积,其中该第一面积大于该第二面积,一刻槽位于该安装面上且连接该第一电极与该第二电极,其中该第一电极与该第二电极包含一导电层以及至少一第一电镀层覆盖在该导电层上,且该第一电极的导电层厚度实质上等于该第二电极的导电层厚度,且该第一电极的第一电镀层厚度实质上等于该第二电极的第一电镀层厚度。

4、本专利技术的又一面向在于提出一种制作高共面度电子元件的方法,其步骤包含提供一具有安装面的主体、在该主体的安装面上形成一导电层,其中该导电层包含一第一电极图案以及一第二电极图案,且该第一电极图案的第一面积大于该第二电极图案的第二面积,且该第一电极图案的厚度小于该第二电极图案的厚度、以及同时在该第一电极图案与该第二电极图案的导电层上形成至少一第一电镀层,其中该第一电极图案上的该第一电镀层厚度大于该第二电极图案上的该第一电镀层厚度。

5、本专利技术的又一面向在于提出一种制作高共面度电子元件的方法,其步骤包含提供一具有安装面的主体、在该主体的安装面上形成一导电层,其中该导电层包含一第一电极图案、一第二电极图案以及一切割图案连接该第一电极图案与该第二电极图案,且该第一电极图案的第一面积大于该第二电极图案的第二面积,且该第一电极图案的厚度实质上等于该第二电极图案的厚度、在该导电层上形成至少一第一电镀层,其中该第一电极图案上的第一电镀层厚度实质上等于该第二电极图案上的第一电镀层厚度、以及进行一移除工艺移除该切割图案以及其上的该第一电镀层,如此在该处的安装面上留下一刻槽连接该第一电极图案与该第二电极图案并切断该第一电极图案与该第二电极图案之间的电性连接。

6、本专利技术的这类目的与其他目的在阅者读过下文中以多种图示与绘图来描述的优选实施例的细节说明后应可变得更为明了显见。

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【技术保护点】

1.一种高共面度的电子元件,包含:

2.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,还包含一第二电镀层介于该第一电镀层与该导电层之间,其中该第一电极的该第二电镀层的厚度大于该第二电极的该第二电镀层的厚度。

3.如权利要求2所述的高共面度的电子元件,其中该第二电镀层的材料包含镍(Ni)、锌镍(Zn-Ni)、镍合金(Ni)、或是其组合或合金,该第一电镀层的材料包含锡(Sn)、锡银(Sn-Ag)、锡银铜(Sn-Ag-Cu)、锡铅(Sn-Pb)、锡铋(Sn-Bi)、锡铟(Sn-In)、或是其组合或合金。

4.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该导电层的材料包含银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、或是其组合或合金。

5.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该导电层形成在同样高度的该安装面上。

6.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极的厚度差在10μm以内。

7.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极是一接地电极电性连接至该功能电路的一接地端,而该第二电极是一信号电极电性连接至该功能电路的一信号端。

8.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该功能电路包含低通滤波器、带通滤波器、双工器、三工器或是天线。

9.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该主体还包含一基底,该安装面为该基底的一平面,且该功能电路形成在该基底中。

10.如权利要求9所述的高共面度的电子元件,其中该基底为多层结构。

11.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极具有同样数目的层结构。

12.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极之间的间距在200μm以内。

13.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极的该导电层的电阻值大于该第二电极的该导电层的电阻值。

14.一种高共面度的电子元件,包含:

15.如权利要求14所述的高共面度的电子元件,还包含一第二电镀层介于该第一电镀层与该导电层之间,其中该第一电极的该第二电镀层的厚度实质上等于该第二电极的该第二电镀层的厚度。

16.如权利要求14所述的高共面度的电子元件,其中该导电层形成在同样高度的该安装面上。

17.如权利要求14所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极的厚度差在10μm以内。

18.如权利要求14所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极是一接地电极电性连接至该功能电路的一接地端,该第二电极是一信号电极电性连接至该功能电路的一信号端。

19.如权利要求14所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极具有同样数目的层结构。

20.如权利要求14所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极之间的间距在200μm以内。

21.一种制作高共面度电子元件的方法,包含:

22.如权利要求21所述的制作高共面度电子元件的方法,其中在该安装面上形成该导电层的步骤包含:

23.如权利要求21所述的制作高共面度电子元件的方法,其中在该安装面上形成该导电层的步骤包含进行一光刻工艺将一导电材料层图案化成该导电层的该第一电极图案以及该第二电极图案。

24.如权利要求21所述的制作高共面度电子元件的方法,还包含在该第一电镀层形成之前同时在该第一电极图案与该第二电极图案上形成一第二电镀层。

25.如权利要求21所述的制作高共面度电子元件的方法,其中该导电层形成在同样高度的该安装面上。

...

【技术特征摘要】

1.一种高共面度的电子元件,包含:

2.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,还包含一第二电镀层介于该第一电镀层与该导电层之间,其中该第一电极的该第二电镀层的厚度大于该第二电极的该第二电镀层的厚度。

3.如权利要求2所述的高共面度的电子元件,其中该第二电镀层的材料包含镍(ni)、锌镍(zn-ni)、镍合金(ni)、或是其组合或合金,该第一电镀层的材料包含锡(sn)、锡银(sn-ag)、锡银铜(sn-ag-cu)、锡铅(sn-pb)、锡铋(sn-bi)、锡铟(sn-in)、或是其组合或合金。

4.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该导电层的材料包含银(ag)、铜(cu)、金(au)、或是其组合或合金。

5.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该导电层形成在同样高度的该安装面上。

6.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极的厚度差在10μm以内。

7.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极是一接地电极电性连接至该功能电路的一接地端,而该第二电极是一信号电极电性连接至该功能电路的一信号端。

8.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该功能电路包含低通滤波器、带通滤波器、双工器、三工器或是天线。

9.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该主体还包含一基底,该安装面为该基底的一平面,且该功能电路形成在该基底中。

10.如权利要求9所述的高共面度的电子元件,其中该基底为多层结构。

11.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极具有同样数目的层结构。

12.如权利要求1所述的高共面度的电子元件,其中该第一电极与该第二电极之间的间距在200μm以内。...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏稘翃
申请(专利权)人:乾坤科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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