悬空栅极鳍形半导体器件制备方法技术

一种悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，包括：提供衬底，并且在所述衬底上形成具有翅片结构硅基体，该翅片结构硅基体包含源极结构、漏极结构以及位于所述源极结构和漏极结构之间的鳍形沟道结构；在鳍形沟道结构和衬底表面上覆盖氧化物层；干法蚀刻或SICONI蚀刻氧化物层直到鳍形沟道结构顶部上表面及顶部拐角处的鳍形沟道结构材料露出；对露出的鳍形沟道结构进行外延生长，以形成处于鳍形沟道结构顶部的膨胀区域；去除剩余的氧化物层；热氧化处理使所述鳍形沟道结构被完全氧化成氧化物，并且使得所述膨胀区域的表层被氧化成氧化物；去除氧化物，以便由暴露的内层形成悬空于衬底上方的沟道。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成度越来越高。随着半导体器件特征尺寸由于器件尺寸越来越小而不断减小，传统的平面半导体制造技术已经无法使用，非平面技术的半导体器件应运而生，例如绝缘体上硅，双栅，多栅等新工艺的应用。目前鳍式场效应管在小尺寸领域被广发使用，而具有全包围栅极(gate-all-around)结构的半导体器件由于在器件性能及能有效抑制短沟道效应(shortchannel effect)的特殊性能，正是半导体业界所追求的。由于器件沟道被栅极包围，所以器件漏场的影响也被消除，有效抑制了器件的漏电及穿通问题。由于全包围栅极悬空于底部衬底，因此全包围栅极器件的制造工艺较为复杂。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够实现全包围栅极的。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种，包括:第一步骤，其中提供衬底，并且在所述衬底上形成具有翅片结构硅基体，该翅片结构硅基体包含源极结构、漏极结构以及位于所述源极结构和漏极结构之间的鳍形沟道结构；第二步骤，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种悬空栅极鳍形半导体器件制备方法，其特征在于包括：第一步骤，其中提供衬底，并且在所述衬底上形成具有翅片结构硅基体，该翅片结构硅基体包含源极结构、漏极结构以及位于所述源极结构和漏极结构之间的鳍形沟道结构；第二步骤，其中在鳍形沟道结构和衬底表面上覆盖氧化物层；第三步骤，其中干法蚀刻或SICONI蚀刻氧化物层直到鳍形沟道结构顶部上表面及顶部拐角处的鳍形沟道结构材料露出；第四步骤，其中对露出的鳍形沟道结构进行外延生长，以形成处于鳍形沟道结构顶部的膨胀区域；第五步骤，其中去除剩余的氧化物层；第六步骤，其中热氧化处理使所述鳍形沟道结构被完全氧化成氧化物，并且使得所述膨胀区域的表层被氧化成氧化物，所述膨胀...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄秋铭，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31