本实用新型专利技术提供了一种卡环、承载装置及半导体加工设备。卡环与用于承载晶片的卡盘配合使用，以将晶片固定在卡盘上，卡盘的边缘设置有沿其周向间隔分布的多个豁口；卡环的内周壁上沿其周向间隔设置有多个压爪和多个第一遮挡部，压爪用于叠压在晶片的边缘区域，以将晶片固定在卡盘上；第一遮挡部的下表面高于压爪的下表面，且第一遮挡部与豁口一一对应，用于遮挡豁口。本实用新型专利技术提供的卡盘，在实现固定晶片和遮挡豁口条件下，还可在晶片为键合片时防止处于悬空状态的部分键合片背面的玻璃被压裂，当然，针对其他易碎晶片，同样可防止该处于悬空状态的部分晶片被压裂甚至压碎，因而可避免对晶片造成严重和不可挽回的损失，从而可提高经济效益。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于微电子加工
，具体涉及一种卡环、承载装置及半导体加工设备。
技术介绍
物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n，以下简称PVD)技术或者磁控派射技术是微电子领域常用的加工技术，用以沉积金属等薄膜。图1为典型的物理气相沉积设备的反应腔室的结构示意图。请参阅图1，在反应腔室10内设置有用于承载晶片S的卡盘101 ;卡环102用于叠压在晶片S上表面的边缘区域，用以将晶片S固定在卡盘101，以保证在向晶片S的背面吹冷却气体来对其温控时防止其不会被吹飞；在反应腔室10的顶部位置设置有靶位，用于安装靶材103，在开始溅射沉积工艺时，通过直流电源向靶材103施加负压，以将反应腔室10内的工艺气体(例如氩气)激发形成等离子体，并吸引等离子中的带正电离子朝向靶材103运动，当带正电离子的能量足够高时，靶材103表面的原子被轰击逸出沉积在晶片S上表面上，从而实现在晶片S的上表面上沉积薄膜。具体地，图2为现有的卡环与卡盘的俯视图，请参阅图2，在卡环102的周向上间隔设置有多个大压爪1021和多个小压爪1022，且多个大压爪1021和多个小压爪1022沿卡环102周向上相间设置，每个大压爪1021和小压爪1022的远离卡环102的一端设置有遮挡部，通常将遮挡部称之为“屋檐”结构，以避免在其下表面与晶片S相接触的位置处沉积薄膜，在卸载晶片S时发生粘片现象。并且，在卡盘101的边缘位置处有沿其周向间隔设置的多个豁口 1011，用于实现与其他部件配合动作。在这种情况下，大压爪1021对应豁口 1011设置，晶片S在豁口 1011位置处的为悬空状态，大卡环1021不仅用于将晶片S固定在卡盘101上，而且还用于遮挡豁口 1011，以避免粒子经由豁口 1011污染卡盘101下方的腔室环境；小压爪1022对应卡盘101的除去豁口 1011的其他边缘位置设置。在实际应用中，采用上述卡环102不可避免地会存在以下技术问题:由于晶片S在豁口 1011位置处为悬空状态，并且，大压爪1021垂直压在晶片S表面的切割道11上，如图3所示，因此，在晶片S为键合片时，键合片的背面贴有一层易碎的玻璃，若键合片的翘曲较大和/或切割道11较深，则容易造成大压爪1021将玻璃的边缘压裂，即，造成玻璃表面产生裂纹，因而在后续的预切割工艺时会造成自裂纹的地方延裂，从而造成较大且不可挽回的损失，经济效益差。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种卡环、承载装置及半导体加工设备，该卡环在实现固定晶片和遮挡豁口的条件下，还可以在晶片为键合片时防止处于悬空状态的部分键合片背面的玻璃被压裂，当然针对其他易碎晶片，同样可以防止该处于悬空状态的部分晶片被压裂甚至压碎，因而可以避免对晶片造成严重和不可挽回的损失，从而可以提高承载装置和半导体加工设备的经济效益。为解决上述问题之一，本技术提供了一种卡环，所述卡环与用于承载晶片的卡盘配合使用，所述卡盘的边缘设置有沿其周向间隔分布的多个豁口 ；所述卡环的内周壁上沿其周向间隔设置有多个压爪和多个第一遮挡部，其中，所述压爪用于叠压在所述晶片上表面的边缘区域，以将所述晶片固定在所述卡盘上；所述第一遮挡部与所述豁口一一对应，用于遮挡所述豁口，并且，在所述压爪叠压在所述晶片上表面的边缘区域上时，所述第一遮挡部未与所述晶片接触。优选地，多个所述第一遮挡部沿所述卡环的周向间隔且均匀设置。优选地，每相邻两个所述第一遮挡部之间设置有一个或多个所述压爪。优选地，一个所述压爪设置在相邻两个第一遮挡部之间的中点位置；或，多个所述压爪在相邻两个第一遮挡部之间间隔且均匀设置。优选地，所述卡环的下表面上靠近其环孔的区域设置有环形凸部，且所述环形凸部在所述卡环叠压在所述晶片上表面的边缘区域上时套置在所述晶片的侧壁外侧。优选地，每个所述压爪远离所述卡环的一端设置有第二遮挡部。优选地，所述第一遮挡部在所述压爪叠压在所述晶片上表面的边缘区域上时与所述晶片上表面之间的垂直距离范围在0.2um?0.3um之间。优选地，所述第一遮挡部在所述压爪叠压在所述晶片上表面的边缘区域上时与所述晶片上表面之间的垂直距离与所述第一遮挡部沿所述卡环径向尺寸的比值范围在0.075 ?0.05 之间。作为本技术另一技术方案，还提供一种承载装置，包括卡盘和上述技术方案提供的卡环。作为本技术另一技术方案，还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和上述技术方案提供的承载装置，所述承载装置设置在反应腔室内。本技术具有以下有益效果:本技术提供的卡环，在其内周壁上沿其周向间隔设置有多个压爪和多个第一遮挡部，其中，压爪的下表面叠置在晶片上表面的边缘区域，用于将晶片固定在卡盘上；第一遮挡部与卡盘上的豁口一一对应，用于遮挡该豁口，并且，在压爪叠压在晶片上表面的边缘区域上时，第一遮挡部未与晶片接触。在这种情况下，压爪可将晶片固定，而第一遮挡部不会与晶片处于悬空状态的部分区域接触，也就是说，晶片处于悬空状态的部分区域不会受到第一遮挡部的压力。本技术在实现固定晶片和遮挡豁口的条件下在晶片为键合片时防止处于悬空状态的部分区域的背面玻璃被压裂，当然针对其他易碎晶片，同样可以防止该处于悬空状态的部分区域被压裂甚至压碎，从而可以避免对晶片造成严重和不可挽回的损坏，提尚经济效益。本技术提供的承载装置，其采用本技术另一技术方案提供的卡环，可以防止易碎的晶片(例如，背面具有玻璃的键合片)被卡环压裂甚至压碎，从而可以降低晶片的损失，提尚经济效益。本技术提供的半导体加工设备，其采用本技术另一技术方案提供的承载装置，可以降低晶片的损失，从而可以提高经济效益。【附图说明】图1为典型的物理气相沉积设备的反应腔室的结构示意图；图2为现有的卡环与卡盘的俯视图；图3为现有的在晶片固定在卡环和卡盘之间时的俯视图；图4为本技术实施例提供的卡环的仰视图；图5为晶片固定在图4所示的卡环与卡盘之间时的剖视图；以及图6为本技术中在晶片固定在卡环和卡盘之间时的俯视图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图来对本技术提供的卡环、承载装置及半导体加工设备进行详细描述。图4为本技术实施例提供的卡环的仰视图；图5为晶片固定在图4所示的卡环与卡盘之间时的剖视图；图6为本技术中在晶片固定在卡环和卡盘之间时的俯视图。请一并参阅图4、图5和图6，本实施例提供的卡环20，卡环20与用于承载晶片S的卡盘30配合使用，以将晶片S固定在卡盘30上，卡盘30的边缘位置设置有沿其周向间隔分布的多个豁口 301，豁口 301用于配合其他部件。卡环20的内周壁上沿其周向间隔设置有多个压爪201和多个第一遮挡部202，其中，压爪201用于叠压在晶片S上表面的边缘区域，以将晶片S固定在卡盘30上；第一遮挡部202与豁口 301——对应，用于遮挡豁口 301，以避免粒子自该豁口 301进入卡盘30的下方造成污染，并且，在压爪202叠压在晶片S上表面的边缘区域上时，第一遮挡部202未与晶片S接触。另外，豁口 301的径向尺寸小于晶片S的径向尺寸，这使得当晶片S放置在卡盘30上时豁口 301所对应的晶片的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种卡环，其特征在于，所述卡环与用于承载晶片的卡盘配合使用，所述卡盘的边缘设置有沿其周向间隔分布的多个豁口；所述卡环的内周壁上沿其周向间隔设置有多个压爪和多个第一遮挡部，其中所述压爪用于叠压在所述晶片上表面的边缘区域，以将所述晶片固定在所述卡盘上；所述第一遮挡部与所述豁口一一对应，用于遮挡所述豁口，并且，在所述压爪叠压在所述晶片上表面的边缘区域上时，所述第一遮挡部未与所述晶片接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秉轩，李新颖，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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