本实用新型专利技术公开了一种新型泵浦激光器，涉及激光器技术领域。所述泵浦激光器包括管壳、陶瓷热沉、若干个芯片组件、晶体以及晶体热沉，所述管壳上开设有左右对称的槽体，所述陶瓷热沉固定在所述槽体内，芯片组件分别布置于陶瓷热沉的左、右和下侧面上，芯片组件之间通过电极串联，所述晶体贴装到晶体热沉上，所述晶体左右两侧的晶体热沉上设有晶体热沉倒角θ，芯片组件发出的光路最外侧的边沿光线与晶体的侧面相切。所述激光器能够有效改善光场分布情况，能够将原始输出由长条椭圆形光斑，改善为基本对称的圆形光斑，效果好。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及激光器
，尤其涉及一种新型泵浦激光器。
技术介绍
常规侧面泵浦激光模块一般有以下两种结构:圆形、梯形泵浦。其基本结构是:将芯片、载体等经过一次装架烧焊成芯组，再采用夹具焊接到阵列管壳内表面，进行二次烧焊，最后组装成模块。在光路结构上，依据芯片发散角度、晶体尺寸、泵浦能量等参数，进行泵浦设计与排列，从侧面不同方向照射到晶体，并被晶体所吸收。已有技术情况:现在半面圆形、半面梯形泵浦结构两种常规结构，也有偏心泵浦结构技术专利、多侧面圆形泵浦结构等技术，在常规结构中，由于结构的不完全对称性，通常会导致光斑缺陷的存在。上述结构中，一般采用半面泵浦半面冷却的方式进行，在下一个循环中将翻转180°相连，因此，在结构设计时，一般会由于半边泵浦的原因，导致在连接面会出现泵浦缺失的情况，这是不均匀性的主要来源。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种新型泵浦激光器，所述激光器能够有效改善光场分布情况，能够将原始输出由长条椭圆形光斑，改善为基本对称的圆形光斑，效果好。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是:一种新型泵浦激光器，其特征在于:包括管壳、陶瓷热沉、若干个芯片组件、晶体以及晶体热沉，所述管壳上开设有左右对称的槽体，所述陶瓷热沉固定在所述槽体内，芯片组件分别布置于陶瓷热沉的左、右和下侧面上，芯片组件之间通过电极串联，所述晶体贴装到晶体热沉上，所述晶体左右两侧的晶体热沉上设有晶体热沉倒角Θ，芯片组件发出的光路最外侧的边沿光线与晶体的侧面相切。进一步的技术方案在于:所述芯片组件包括芯片以及位于芯片左右两侧的载体。进一步的技术方案在于:所述芯片的长度为5mm。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:所述激光器采用整体平移、增加晶体热沉倒角的结构，将泵浦中心向晶体热沉一侧移动，有效转移泵浦中心，同时将两侧边缘的泵浦缺陷补齐，实验表明，所述激光器能够有效改善光场分布情况，能够将原始输出由长条椭圆形光斑，改善为基本对称的圆形光斑。【附图说明】图1是本技术的剖视结构示意图；图2现有技术发出的光斑图；图3是本技术发出的光斑图；其中:1、管壳2、陶瓷热沉3、芯片组件31、芯片32、载体4、晶体5、晶体热沉6、电极7、边沿光线8、光斑。【具体实施方式】下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。如图1所示，本技术公开了一种新型泵浦激光器，包括管壳1、陶瓷热沉2、若干个芯片组件3、晶体4以及晶体热沉5，所述芯片组件3包括芯片31以及位于芯片左右两侧的载体32。所述管壳I上开设有左右对称的槽体(槽体为梯形或半圆形)，所述陶瓷热沉2固定在所述槽体内，芯片组件3分别布置于陶瓷热沉2的左、右和下侧面上，芯片组件3之间通过电极6串联，所述晶体4贴装到晶体热沉5上，所述晶体4左右两侧的晶体热沉5上设有晶体热沉倒角Θ，芯片组件3发出的光路最外侧的边沿光线7与晶体4的侧面相切。通过将所述晶体4左右两侧的晶体热沉5上设置晶体热沉倒角Θ，以及将芯片组件3发出的光路最外侧的边沿光线7设置为与晶体4的侧面相切，使得晶体中心向贴近芯片方向位移一定距离L，也即该晶体热沉将原来的半圆贴装改为小半圆贴装，将轴心由原来的晶体中心位置向靠近阵列方向偏移，偏移尺寸L和晶体热沉倒角Θ由芯片发散角、芯片数量、芯片轴心距离参数确定。边沿光线指能量为Ι/e2的发散角位置的光线，由半导体激光器本身性质决定；上述关系也可以采用晶体位移或晶体热沉倒角的二者中的一种手段来完成，即:L=0，时进行倒角处理；或者Θ =0，进行整体位移处理，以上方法用于改善截面光场均匀性；以上单侧面阵列在使用时，需偶数连用，用于改善沿轴向泵浦光场的均匀性；以上单侧面阵列数量由泵浦功率决定，可以是一组或者多组；芯片长度可以是标准cm条或者5_条，或者按照需求解理尺寸而成。最终输出光斑的试验效果如图3所示，所述激光器采用整体平移、增加晶体热沉倒角的方法，将泵浦中心向晶体热沉一侧移动，有效转移泵浦中心，同时将两侧边缘的泵浦缺陷补齐，实验表明，所述激光器能够有效改善光场分布情况，能够将原始输出由长条椭圆形光斑(如图2所示)，改善为基本对称的圆形光斑(如图3所示)。【主权项】1.一种新型泵浦激光器，其特征在于:包括管壳(I)、陶瓷热沉(2)、若干个芯片组件(3)、晶体(4)以及晶体热沉(5)，所述管壳(I)上开设有左右对称的槽体，所述陶瓷热沉(2)固定在所述槽体内，芯片组件(3)分别布置于陶瓷热沉(2)的左、右和下侧面上，芯片组件(3)之间通过电极(6)串联，所述晶体(4)贴装到晶体热沉(5)上，所述晶体(4)左右两侧的晶体热沉(5)上设有晶体热沉倒角Θ，芯片组件(3)发出的光路最外侧的边沿光线(7)与晶体(4)的侧面相切。2.根据权利要求1所述的新型泵浦激光器，其特征在于:所述芯片组件(3)包括芯片(31)以及位于芯片(31)左右两侧的载体(32)。3.根据权利要求2所述的新型泵浦激光器，其特征在于:所述芯片(31)的长度为5_。【专利摘要】本技术公开了一种新型泵浦激光器，涉及激光器
所述泵浦激光器包括管壳、陶瓷热沉、若干个芯片组件、晶体以及晶体热沉，所述管壳上开设有左右对称的槽体，所述陶瓷热沉固定在所述槽体内，芯片组件分别布置于陶瓷热沉的左、右和下侧面上，芯片组件之间通过电极串联，所述晶体贴装到晶体热沉上，所述晶体左右两侧的晶体热沉上设有晶体热沉倒角θ，芯片组件发出的光路最外侧的边沿光线与晶体的侧面相切。所述激光器能够有效改善光场分布情况，能够将原始输出由长条椭圆形光斑，改善为基本对称的圆形光斑，效果好。【IPC分类】H01S5/02【公开号】CN204720775【申请号】CN201520452580【专利技术人】闫立华, 任浩, 韩文杰, 牛江丽, 任永学, 王媛媛, 徐会武, 安振峰 【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所【公开日】2015年10月21日【申请日】2015年6月29日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型泵浦激光器，其特征在于：包括管壳（1）、陶瓷热沉（2）、若干个芯片组件（3）、晶体（4）以及晶体热沉（5），所述管壳（1）上开设有左右对称的槽体，所述陶瓷热沉（2）固定在所述槽体内，芯片组件（3）分别布置于陶瓷热沉（2）的左、右和下侧面上，芯片组件（3）之间通过电极（6）串联，所述晶体（4）贴装到晶体热沉（5）上，所述晶体（4）左右两侧的晶体热沉（5）上设有晶体热沉倒角θ，芯片组件（3）发出的光路最外侧的边沿光线（7）与晶体（4）的侧面相切。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：闫立华，任浩，韩文杰，牛江丽，任永学，王媛媛，徐会武，安振峰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13
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