具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及单面双电极型的半导体激光元件以及使用其的热辅助磁记录头。另外本专利技术涉及单面双电极型的半导体激光元件的制造方法。
技术介绍
与近年来的信息化社会的发展相伴，推进了声音和影像的高精细化，并且因特网的数据通信量显著增加。另外，由于所谓云计算的发达而使积蓄在因特网上的数据量极大地膨胀，预测该倾向今后也将继续不断高涨。在这样的状況下，对积蓄电子数据的信息记录系统的大容量化的期待不断提高。作为大容量的信息记录装置，以硬盘为首的磁记录装置起到大的作用。为了提升该磁记录装置的记录密度，实现了能实现微小的记录比特的垂直磁记录，进而推进了热辅助磁记录技术的开发。热辅助磁记录为了使磁化更加稳定而使用由磁各向异性能量大的磁性材料形成的磁记录介质。并且，通过加热使该磁记录介质的数据写入的部分的各向异性磁场降低，紧接其后施加写入磁场来进行微小的尺寸的写入。作为加热磁记录介质的方法，一般有照射近场光等的光的方法，作为该目的的光源，一般利用半导体激光元件。在专利文献I公开了具备半导体激光元件的现有的热辅助磁记录头。图12示出该热辅助磁记录头的概略主视图。热辅助磁记录头I具备浮动块(Slider)1以及半导体激光元件30，配置在磁盘(未图示)上。浮动块10浮在旋转的磁盘上，在面朝磁盘的一端部设置磁记录部13以及磁再现部14。在磁记录部13的近旁设置光波导15，在光波导15内配置产生近场光的元件(未图示)O半导体激光元件30在基板31上形成半导体层叠膜32，通过半导体层叠膜32的脊结构形成条带状的光波导36。在基板31的底面形成第I电极(未图示)，在半导体层叠膜32的上表面形成第2电极(未图示)。浮动块10的背面侧(与磁盘相反侧)的设置面1a经由粘结剂19粘结副基台21的前面21a。半导体激光元件30经由第2电极上设置的焊料29粘结在与副基台21的前面21a垂直的垂直面21b上。这时，光波导36的一端面的射出部36a与浮动块10的光波导15对置配置。另外，在副基台21的垂直面21b上形成经由焊料29与第2电极导通的端子部(未图示)。由此，第I电极以及端子部面向同一方向(图中左方)配置，能容易地将引线连接到第I电极以及端子部。若在第I电极与端子部之间施加电压，则从射出部36a射出激光。从射出部36a射出的激光在浮动块10的光波导15中进行导波而产生近场光。磁盘由于近场光的热而局部地各向异性磁场降低，通过磁记录部13进行磁记录。由磁再现部14读出记录在磁盘的数据。另外，半导体激光元件30的发热经由焊料29传递到副基台21，经由粘结剂19传递到浮动块10。由此，半导体激光元件30的发热从副基台21以及浮动块10散热。上述的半导体激光元件30的第I电极以及第2电极分别设置在基板31的底面以及半导体层叠膜32的上表面，与基板31的两面对置配置。与此相对，在非专利文献I中公开了在基板的单面配置第I电极以及第2电极的单面双电极型的半导体激光元件。图13示出该单面双电极型的半导体激光元件40的主视图。半导体激光元件40将半导体层叠膜42层叠在蓝宝石等的基板41上。半导体层叠膜42以设置在基板41上的基底层(未图示)为基底进行外延生长而形成，从基板41侧起依次具有η型半导体层43、活性层44、P型半导体层45。另外，基板41上由半导体层叠膜42相邻地形成凹部51和发光部52。凹部51通过利用蚀刻将半导体层叠膜42挖入到η型半导体层43的中间而形成。在凹部51的底面上设置第I电极47。发光部52在半导体层叠膜42的上部突出地设置条带状的狭幅的脊部49。脊部49通过利用蚀刻将两侧方挖入到P型半导体层45的中间而形成。在脊部49的上表面设置第2电极48。由于活性层44经由脊部49被注入电流，因此形成条带状的光波导46，从光波导46的端面的射出部46a射出激光。另外，由于在基板41的单面设置第1、第2电极47、48，因此能容易地将引线连接到第1、第2电极47、48。在先技术文献专利文献专利文献1:JP特许第4635607号公报(第7页?第12页、第I图)专利文献2:JP特开2012-18747号公报(第7页?第22页、第2图)专利文献3:JP特开2003-45004号公报(第5页?第11页、第I图)非专利文献非专利文献1:只一i 卜'、?年' ;1/ (Bernard Gil)著，「夕' ;1/一7° III.i~ ^ 卜 7 彳卜'、?七 S 3 '乂久、夕夕.3 y /N y X' (Group III Nitride Semiconductor Compounds)」，(英国)，夕歹 > Vr F V.y° V 7s (Clarendon Press)，1998 年 4 月 23 日，ρ.405专利技术的概要专利技术要解决的课题根据上述专利文献I所公开的热辅助磁记录头1，在粘结于浮动块10的副基台21的垂直面21b粘结半导体激光元件30。为此，若半导体激光元件30在与垂直面21b平行的面内、或在与前面21a以及垂直面21b垂直的面内倾斜，则射出部36a和光波导15的对位变得困难。因此，需要将半导体激光元件30相对于副基台21高精度对位，有热辅助磁记录头I的工时增大且成品率降低的问题。另外，半导体激光元件30的发热在经由焊料29传递到副基台21后经由粘结剂19传递到浮动块10。由此，由于在热辅助磁记录头I的散热路径上存在2处的界面，因此热辅助磁记录头I的散热性变低。由于半导体激光元件30的故障率相对于温度上升而指数函数地增加，因此还有因散热性的降低而热辅助磁记录头I的可靠性变差的问题。另一方面，若为了提升热辅助磁记录头I的散热性而使副基台21的体积较大，则会使热辅助磁记录头I的重量变大。由此，有在磁盘上浮起的热辅助磁记录头I的姿态控制变得困难的问题。为了解决这些问题，考虑省去副基台21而将单面双电极型的半导体激光元件40的前面的射出面40a粘结在浮动块10的设置面10a。根据该构成，由于不需要半导体激光元件40相对于副基台21的对位，因此能谋求热辅助磁记录头I的工时削减以及成品率提升。另外，热辅助磁记录头I由于散热路径上的界面成为I处，因此提升了散热性。但是，在半导体激光元件40中，第I电极47接近于基板41而配置(例如数ym)。由此，若为了散热性提升而在半导体激光元件40的射出面40a宽范围地涂布粘结剂19，则粘结剂19有时会附着在第I电极47上。由此，引线对第I电极47的连接变得困难，产生不能充分谋求热辅助磁记录头I的工时削减的问题。另外，基板41由相对于半导体层叠膜42为异种材料的蓝宝石等构成，基板41与半导体层叠膜42的界面的导热性较低。由此还产生不能充分提升热辅助磁记录头I的散热性的问题。进而，在半导体激光元件40的制造时，首先在晶片状的基板41形成半导体层叠膜42。之后，在与脊部49垂直的方向以及平行的方向形成划片槽，对划片槽施加应力，通过劈开而将半导体激光元件40单片化。这时，有时因发光部52和凹部51交替反复而劈开方向出现偏离，射出面40a的平坦性变差。由此还产生半导体激光元件40与浮动块10的紧贴性降低而不能充分提升热辅助磁记录头I的散热性的问题。此外，由于发光部52与凹部51的体积差较大，因此内部形变偏本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体激光元件，其特征在于，具备：基板，其由半导体构成；发光部，其具有以所述基板为基底通过外延生长而依次层叠第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层的半导体层叠膜，并且由所述活性层形成条带状的光波导；环状的保护壁，其与所述发光部相邻且由所述半导体层叠膜形成，并且包围以所述基板或第1导电型半导体层为底面的凹部；第1电极，其配置在所述凹部的底面上；和第2电极，其配置在所述发光部的上表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上俊之，有吉章，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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