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半导体Tm:TAG泵浦激光器制造技术

技术编号:11800502 阅读:92 留言:0更新日期:2015-07-30 18:46
本实用新型专利技术涉及一种半导体Tm:TAG泵浦激光器,包括激光发射器(1)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),按照光路方向依次设置激光发射器(1)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),所述衍射光栅(2)和光纤(4)之间设置有入射透镜(3),所述光纤(5)和晶体腔(8)之间依次设置耦合器(6)和出射透镜(7)。本实用新型专利技术提供的半导体Tm:TAG泵浦激光器采用双标准具选模的方式获得了波长较长的线偏振单频输出,输出功率达到高且频率稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种泵浦激光器,尤其涉及一种半导体Tm:TAG泵浦激光器,属于泵浦激光器领域。
技术介绍
2 μπι波段光具有人眼安全的特性,它在军事、医疗和环境监测等方面有着广泛的用途。作为2 μ m波段激光器的工作物质,Tm:YAP晶体具有掺杂浓度高、转换效率高等优点,是一种具有极大应用潜力的新型固体激光材料。一般的,该波段常用的领域包括激光雷达、医学应用等。目前国外对此研宄较多,而国内的相关应用研宄才刚刚开始,人们围绕如何提高2 μπι波段激光输出功率及效率从材料与器件上进行了多方位的探索研宄,特别是大功率半导体激光器出现后,促使人们以激光二极管为泵浦源在提供高效、小型化及性能稳定的2 μ m波段激光器上进行更深层次的研宄和开发。目前该领域的几个基本问题是:国产化较低,目前国内没有系统的研宄和稳定的实物;小型化设备较少,极大地限制了其应用的领域;与传统的泵浦方式相比,泵浦效率较低。其中上述这些问题均是没有相应的实验装置提供稳定可靠的实验环境造成的。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,解决好现有技术的问题,弥补现有目前市场上现有产品的不足。本技术提供了一种半导体Tm:TAG泵浦激光器,包括激光发射器、衍射光栅、光纤、晶体腔、激光晶体和出射镜,按照光路方向依次设置激光发射器、衍射光栅、光纤、晶体腔、激光晶体和出射镜,所述衍射光栅和光纤之间设置有入射透镜,所述光纤和晶体腔之间依次设置耦合器和出射透镜。优选的,上述耦合器由多个并列设置的透镜构成。优选的,上述激光晶体为Tm:TAG晶体。优选的,上述入射透镜的焦距为25mm,出射透镜的焦距为200mm。优选的,上述出射镜为凹面镜。本技术提供的半导体Tm:TAG泵浦激光器采用双标准具选模的方式获得了波长较长的线偏振单频输出,输出功率达到高且频率稳定。【附图说明】图1为本技术结构示意图。附图标记:1-激光发射器;2_衍射光栅;3_入射透镜;4_半反半透镜;5-光纤;6-耦合器;7_出射透镜;8_晶体腔;9_激光晶体;10_出射镜。【具体实施方式】为了便于本领域普通技术人员理解和实施本技术,下面结合附图及【具体实施方式】对本技术作进一步的详细描述。如图1所示,本技术提供的半导体Tm:TAG泵浦激光器,包括激光发射器1、衍射光栅2、光纤5、晶体腔8、激光晶体9和出射镜10,按照光路方向依次设置激光发射器1、衍射光栅2、光纤5、晶体腔8、激光晶体9和出射镜10,衍射光栅2和光纤4之间设置有入射透镜3,光纤5和晶体腔8之间依次设置耦合器6和出射透镜7。其中,耦合器6由多个并列设置的透镜构成。激光晶体9为Tm:TAG晶体。入射透镜3的焦距为25mm,出射透镜7的焦距为200mm。出射镜10为凹面镜。本技术提供的半导体Tm:TAG泵浦激光器,利用半导体泵浦Tm:TAG晶体的方式,采用双标准具选模的方式获得了波长2013nm的线偏振单频输出,输出功率达到60nm频率稳定度为1.27X10'以上所述之【具体实施方式】为本技术的较佳实施方式,并非以此限定本技术的具体实施范围,本技术的范围包括并不限于本【具体实施方式】,凡依照本技术之形状、结构所作的等效变化均在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种半导体Tm:TAG泵浦激光器,其特征在于:所述激光器包括激光发射器(I)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),按照光路方向依次设置激光发射器(I)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),所述衍射光栅(2)和光纤(4)之间设置有入射透镜(3),所述光纤(5)和晶体腔(8)之间依次设置耦合器(6)和出射透镜(7)。2.根据权利要求1所述的半导体Tm:TAG泵浦激光器,其特征在于:所述耦合器(6)由多个并列设置的透镜构成。3.根据权利要求1所述的半导体Tm:TAG泵浦激光器,其特征在于:所述激光晶体(9)为Tm:TAG晶体。4.根据权利要求1所述的半导体Tm:TAG泵浦激光器,其特征在于:所述入射透镜(3)的焦距为25mm,出射透镜(7)的焦距为200mm。5.根据权利要求1所述的半导体Tm:TAG泵浦激光器,其特征在于:所述出射镜(10)为凹面镜。【专利摘要】本技术涉及一种半导体Tm:TAG泵浦激光器,包括激光发射器(1)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),按照光路方向依次设置激光发射器(1)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),所述衍射光栅(2)和光纤(4)之间设置有入射透镜(3),所述光纤(5)和晶体腔(8)之间依次设置耦合器(6)和出射透镜(7)。本技术提供的半导体Tm:TAG泵浦激光器采用双标准具选模的方式获得了波长较长的线偏振单频输出,输出功率达到高且频率稳定。【IPC分类】H01S3-131, H01S3-098, H01S3-13, H01S3-16【公开号】CN204517152【申请号】CN201520276168【专利技术人】林燕彬 【申请人】林燕彬【公开日】2015年7月29日【申请日】2015年4月27日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体Tm:TAG泵浦激光器,其特征在于:所述激光器包括激光发射器(1)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),按照光路方向依次设置激光发射器(1)、衍射光栅(2)、光纤(5)、晶体腔(8)、激光晶体(9)和出射镜(10),所述衍射光栅(2)和光纤(4)之间设置有入射透镜(3),所述光纤(5)和晶体腔(8)之间依次设置耦合器(6)和出射透镜(7)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林燕彬
申请(专利权)人:林燕彬
类型:新型
国别省市:福建;35

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