感测装置及其数据感测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种感测装置及其数据感测方法，感测装置包括初始化电路、参考电流产生器及感测电路。初始化电路耦接至感测端，在放电时期将初始化电路从感测端放电至参考接地端，并且根据输出信号在预充电时期将该感测端预先充电至预设电压。参考电流产生器耦接至感测端，从感测端汲取参考电流。感测电路耦接至感测端，用以感测在感测端的电压以产生输出信号，其中感测端从记忆胞(memory cell)接收胞电流，此外预充电时期在放电时期之后。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种感测放大器和其数据感测的方法，且特别涉及一种用于减少数据感测时间的感测放大器和其数据感测的方法。
技术介绍
随着半导体制程技术快速发展，集成电路的操作电压越来越低。对于非易失性记忆胞(non-volatile memory cell),当操作电压很低时(例如，操作电压VDD=L 5V/1.2V或1.0V),胞电流(cell current)通过感测放大器的电流很小。当感测放大器进行非易失性记忆胞中的数据的感测动作时，由于胞电流对位元线(bit lin)所进行的充电动作需要很长的时间，致使提升感测端的电压到大于触发电压所需的数据感测时间也会很长，如此一来非易失性记忆胞的效能会受到限制。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于减少从记忆胞感测数据的感测时间的感测装置。本专利技术提供一种用于减少从记忆胞感测数据的感测时间的数据感测方法。本专利技术提供一种感测装置包括一初始化电路、一参考电流产生器及一感测电路。初始化电路耦接至感测端，在放电时期将初始化电路从感测端放电至参考接地端，并且根据输出信号在预充电时期将该感测端预先充电至预设电压。参考电流产生器耦接至感测端，从感测端汲取参考电流。感测电路耦接至感测端，用以感测在感测端的电压以产生输出信号，其中感测端从记忆胞(memory cell)接收胞电流,此外预充电时期在放电时期之后。本专利技术提供一种数据感测方法包括:在放电时期经由初始化电路将电压自感测端放电至参考接地端；在预充电时期，根据初始化电路的输出信号将电压自感测端预充电至预设电压；从记忆胞经由感测端接收胞电流；从感测端通过参考电流产生器汲取参考电流；以及通过感测电路感测在感测端的电压，产生输出信号，其中预充电时期在放电时期之后。综上所述，本专利技术提供的感测装置在预充电时期将感测端的电压拉至预设电压。也就是说，当预充电时期结束时，电压可迅速提升至超过触发电压，并且可以减少感测装置需要的感测时间。应了解以上一般描述和以下的详细描述都是示例性的，并且旨在提供进一步的解释揭露本专利技术。【附图说明】下面的附图是本揭露的说明书的一部分，绘示了本申请揭露的示例实施例，附图与说明书的描述一起说明本揭露的原理。图1是根据本专利技术的一实施例的感测装置100的方块图。图2是根据本专利技术的一实施例的初始化电路110的方块图。图3A是根据本专利技术的另一实施例的感测装置300的电路图。图3B是根据感测装置300的另一实施例的预充电电路311的电路图。图4是根据本专利技术的一实施例的波形图。图5是根据本专利技术的一实施例的数据感测方法的流程图。【符号说明】100:感测装置110:初始化电路120:参考电流产生器130:感测电路170:记忆胞VDD:操作电压GND:参考接地端SE:感测端IREF:参考电流ICELL:胞电流ZPREEN:反向预充电致能信号PREEN:预充电致能信号DISEN:放电致能信号110:初始化电路111:预充电电路112:放电电路Q:锁存门的数据端D:锁存门的致能端E:锁存门的输出端310:初始化电路311:预充电电路312:放电电路320:参考电流产生器330:感测电路331:过冲预防电路340:锁存电路341:逻辑门342:锁存门370:记忆胞ENSA:感测放大器致能信号NBIAS:偏压ENLAT:锁存致能信号ZENLAT:反相锁存致能信号VSA:电压LATOUT:锁存输出信号SW:开关MP:P 型 MOSFETMN:N 型 MOSFETOUT:输出信号Cl:曲线TA1、TA2:时间区间TP1、TP2:预充电时期TD1、TD2:放电时期TT、TLAT:时间点VPRE:预设电压VTRIG:触发电压S510 ?S540:步骤【具体实施方式】现在将详细描述本专利技术优选的实施例，例示将在附图中说明。无论什么时候，只要有可能，相同或相似组件可以由相同或相似的标号表示。请参考图1，图1是根据本专利技术的一实施例的感测装置100的方块图。感测装置100包括初始化电路110、参考电流产生器120和感测电路130。初始化电路110耦接至感测端SE，并且感测端SE进一步耦接至记忆胞170。记忆胞170可以是非易失性记忆胞中的其中一个。初始化电路110接收预充电致能信号PREEN与放电致能信号DISEN，初始化电路110也接收由感测电路130反馈的输出信号OUT。初始化电路110可根据放电致能信号DISEN将感测端放电至参考接地电压，或初始化电路110可根据预充电致能信号PREEN以及输出信号OUT将感测端预先充电至预设电压。在本实施例中，预充电致能信号PREEN用于表示感测装置100是否处于预充电时期，和放电致能信号DISEN用于表示感测装置100是否是处于放电时期。此外，放电时期在预充电时期之前。参考电流产生器120耦接至感测端SE。参考电流产生器120汲取参考电流IREF，并且参考电流产生器120使参考电流IREF从感测端SE流向参考接地端。在本实施例中，记忆胞170提供了胞电流ICELL至感测端SE，并且参考电流产生器120从感测端SE汲取参考电流IREF。也就是说，感测端SE上进行电流比较操作，而当胞电流ICELL大于参考电流IREF时，感测端SE上的电压会升高。相反的，当胞电流ICELL小于参考电流IREF时，感测端SE上的电压将会降低。此外，当胞电流ICELL大小等于参考电流IREF时，感测端SE上的电压则不产生变化。另一方面，参考电流产生器120接收反向预充电致能信号ZPREEN。参考电流产生器120决定是否根据反向预充电致能信号ZPREEN以产生参考电流IREF，而且，反向预充电致能信号ZPREEN和预充电致能信号PREEN是互补的。也就是说，在预充电时期中不产生参考电流IREF。感测电路130耦接至感测端SE。感测电路130感测在感测端SE上的电压，并据以产生输出信号OUT。举例来说明，感测电路130可以根据感测在感测端SE上的电压是否小于触发电压以产生输出信号。详细来说，当感测端SE上的电压小于触发电压时，感测电路130可决定输出信号为第一逻辑状态。相反的，当在感测端SE上的电压小于触发电压时，感测电路130可决定输出信号为第二逻辑状态。感测电路130还接收预充电致能信号PREEN，以及感测电路130在预充电时期可提供从感测电路130的输出端流至参考接地端的电流。感测电路130提供的电流可以预防输出信号OUT发生过冲(overshooting)的现象。值得注意的是，上述的触发电压大于预设电压，而预设电压可以由设计者根据触发电压来决定。<当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感测装置，包括:初始化电路，耦接至感测端，该初始化电路在放电时期使该感测端放电至参考接地电压，该初始化电路并根据输出信号以在预充电时期将该感测端预先充电至预设电压值；参考电流产生器，耦接至该感测端，从该感测端汲取参考电流；以及感测电路，耦接至该感测端，用以感测在该感测端上的电压以产生该输出信号，其中，该感测端从记忆胞接收胞电流，且该预充电时期在该放电时期之后。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王博平，黄正达，林俊宏，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71