【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及一种稀释剂组合物及其用途，更具体地设及一种在半导体制造过程中 能够用于光罩蚀刻工艺之各步骤的稀释剂组合物，W及使用该组合物形成感光膜的方法。
技术介绍
光罩蚀刻（photolithography)是一种使用光罩将预先设计好的图案复制到半导 体基板上的感光膜，然后依据所复制的图案蚀刻基板或是下层膜的过程。 在光罩蚀刻工艺（photolithographyprocess)中，光阻剂被涂布于半导体基板 上W形成感光膜。并且，使用曝光设备将感光膜暴露于光线下，W投影出光罩的图案，之 后，进行显影工艺制造出所需形状的感光膜图案。接着，使用感光膜图案蚀刻基板，其后， 藉由剥离等方法将不再需要的感光膜图案从基板上移除。在此过程中，依据欲形成之图 案的线宽使用诸如G-线（G-line)、I-线（I-line)、氣化氯（Kr巧、氣化氣（ArF)、紫外光 (ultravioletrays)、电子束（e-beam)、X射线狂-ray)等等各种光源。依据光源的种类、 感光膜的性能等等，用于形成感光膜的光阻剂包括各种主要成分的树脂、光敏剂等等。 同时，在光罩蚀刻...
【技术保护点】
一种稀释剂组合物，包含有：1‑甲氧基‑2‑丙醇醋酸酯；以及乙二醇丙基醚。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：权五焕，尹锡壹，郑宗铉，金炳郁，赵泰杓，辛成健，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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