【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种光阻胶边缘清洗装置，包括溶剂管4，用于输送溶剂；其特征在于：溶剂管4连接一刮刀8。以及一种光阻胶边缘清洗方法，该方法包括以下步骤：对晶圆上的光阻胶进行物理去除；对晶圆上的光阻胶进行化学去除。刮刀8向下移动刮除晶圆3上的光阻胶之后，位于刮刀8之上或者之内的针头喷出溶剂，晶圆3底层剩余的光阻和所述溶剂药剂的反应。与现有技术相比，本专利技术可以大幅提升边缘光阻的去除时间，在提高效率的同时减少了化学溶剂的用量，起到降本增效的作用。【专利说明】
本专利技术涉及半导体光刻
，尤其涉及。
技术介绍
光刻是一种图象复印的技术，是集成电路制程中一项关键的工艺技术。简单的说，光刻就是用照相复印的方法，将掩膜版上之图形精确地复印到涂在硅片表面的光致抗蚀剂(下面统称光刻胶)上面，然后在光刻胶的保护下对硅片进行离子注入，刻蚀(干，湿法)，金属蒸镀等。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过...
【技术保护点】
一种光阻胶边缘清洗装置，包括溶剂管(4)，用于输送溶剂；其特征在于：溶剂管(4)连接一刮刀(8)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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