一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法技术

技术编号:12033605 阅读:343 留言:0更新日期:2015-09-10 22:14
一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法,涉及一种对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法。本发明专利技术是要解决现有膜污染及膜光催化改性方法存在膜孔阻塞、催化剂不稳定、光催化效率低的技术问题。本发明专利技术的方法为:一、将微滤膜放入反应腔室中进行加热;二、制备第一沉积层;三、制备第二沉积层;四、制备总沉积厚度为10~800nm,即完成利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性。本光催化改性微滤膜降解有机污染物的性能较强,有机污染物的去除率达90%以上,可同时降解膜污染物及水中有机污染物,延缓膜污染的同时提高水质。本发明专利技术应用于膜的改性领域。

【技术实现步骤摘要】
一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法
本专利技术涉及一种对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法。
技术介绍
膜法水处理技术是我国水环境严重污染条件下,实现水质高效处理的主导技术,但膜污染导致其运行成本提高40%以上,已成为限制其快速发展的技术瓶颈。膜的光催化改性技术,通过在膜材料上负载或嵌入光催化剂,吸收光子能量,抑制细菌等微生物的吸附,降解膜上有机污染物,实现膜污染的自我清洁,有效控制膜污染。目前,膜的光催化改性主要采用浸没沉淀、接枝聚合和共混改性等方法,存在催化剂分布不均、稳定性较差、膜孔易阻塞、光催化效率较低等缺点。原子层沉积技术,利用气体前驱体与基底间的化学吸附和化学反应过程,生成可用于改性的目标生成物,它以单原子形式一层一层地沉积在基底表面,实现基底的表面改性。
技术实现思路
本专利技术是要解决现有膜污染及膜光催化改性方法存在膜孔阻塞、催化剂不稳定、光催化效率低的技术问题,从而提供了一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法。本专利技术的第一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法是按以下步骤进行的:一、将原子层沉积设备的反应腔室的温度设定为20本文档来自技高网...
一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法

【技术保护点】
一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法,其特征在于利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法是按以下步骤进行的:一、将原子层沉积设备的反应腔室的温度设定为20~130℃,然后将微滤膜放入反应腔室中进行加热;二、将第一前驱体通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,然后将前驱体氧源通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,得到第一沉积层;三、将第二前驱体通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~13...

【技术特征摘要】
1.一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法,其特征在于利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法是按以下步骤进行的:一、将原子层沉积设备的反应腔室的温度设定为20~130℃,然后将微滤膜放入反应腔室中进行加热;二、将第一前驱体通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,然后将前驱体氧源通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,得到第一沉积层;三、将第二前驱体通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,然后将前驱体氧源通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,得到第二沉积层;四、重复步骤二和步骤三,至总沉积厚度为10~800nm,即完成利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性;所述的第一前驱体为钛源或锌源,第二前驱体为钛源或锌源,且第一前驱体和第二前驱体不相同;所述的前驱体氧源为H2O或O3,所述的前驱体钛源为TiCl4、Ti(OCH(CH3)2)4或Ti(OCH3)4,所述的前驱体锌源为Zn(C2H5)2或Zn(CH3)2;其中步骤一中微滤膜的膜材料为聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚酰胺、聚砜、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚丙烯、聚醚、陶瓷或不锈钢。2.一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法,其特征在于利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法是按以下步骤进行的:一、将原子层沉积设备的反应腔室的温度设定为20~130℃,然后将微滤膜放入反应腔室中进行加热;二、将第一前驱体通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,然后将前驱体氧源通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃下反应0.1~60s,反应完成后,N2吹扫0.3~20s,得到第一沉积层;三、重复步骤二,得到厚度为0.2~400nm的第一沉积层;四、将第二前驱体通入原子层沉积设备的反应腔室中进行脉冲反应,在温度为20~130℃...

【专利技术属性】
技术研发人员:田禹李宁张军詹巍孔令超左薇王一然
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:黑龙江;23

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